大家好，我是記得誠(chéng)。
I2C一般為開(kāi)漏結(jié)構(gòu)，需要在外部加上拉電阻，常見(jiàn)的阻值有1k、1.5k、2.2k、4.7k、5.1k、10k等。
但是應(yīng)該如何根據(jù)開(kāi)發(fā)要求選擇合適的阻值呢？
假設(shè)SDA是低電平時(shí)，即MOS管導(dǎo)通。那么，就可以求出上拉電阻R的阻值。
上拉電阻計(jì)算公式：
VOL定義為在漏極開(kāi)路或集電極開(kāi)路時(shí)，有3mA下拉電流時(shí)的低電平輸出電壓。IOL就是該端口的灌電流，即IOL=3mA。
由上式可得，當(dāng)VDD不變， VOL取最大值時(shí)，上拉電阻有最小值。
根據(jù)I2C協(xié)議，端口輸出低電平的最高允許電壓是0.4V。
公式1可以改為：
由式2可以得出：電源電壓決定了上拉電阻的最小值。因此，當(dāng)VDD=5V時(shí)，最小上拉電阻約為1.5k；當(dāng)VDD=3V3時(shí)，約為1k。
由于I2C總線端口的高電平是通過(guò)上拉電阻實(shí)現(xiàn)，線上的電平從低變高時(shí)，電源通過(guò)上拉電阻對(duì)線上負(fù)載電容CL充電，這需要一定的上升時(shí)間。
電容充電一般公式：
整理可得：
I2C規(guī)范將低于VIL或0.3VDD的電壓定義為邏輯低電平，同樣將高于VIH或0.7VDD的電壓定義為邏輯高電平，由式4可以求得：
由公式5可判斷，當(dāng)Tr取最大值，CL取最小值時(shí)，R有最大值。
由于不同模式下，上升沿的最大時(shí)間及總線負(fù)載最大容限要求不同，標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式、高速模式分別是：1000ns/400pF、300ns/400pF、120ns/550pF。
以快速模式下，負(fù)載電容50pF為例，則有：
結(jié)論：電源電壓決定上拉電阻的最小值，總線負(fù)載電容決定上拉電阻的最大值。
希望對(duì)你有幫助，我們下一期見(jiàn)。
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但是應(yīng)該如何根據(jù)開(kāi)發(fā)要求選擇合適的阻值呢？
假設(shè)SDA是低電平時(shí)，即MOS管導(dǎo)通。那么，就可以求出上拉電阻R的阻值。
上拉電阻計(jì)算公式：
VOL定義為在漏極開(kāi)路或集電極開(kāi)路時(shí)，有3mA下拉電流時(shí)的低電平輸出電壓。IOL就是該端口的灌電流，即IOL=3mA。
由上式可得，當(dāng)VDD不變， VOL取最大值時(shí)，上拉電阻有最小值。
根據(jù)I2C協(xié)議，端口輸出低電平的最高允許電壓是0.4V。
公式1可以改為：
由式2可以得出：電源電壓決定了上拉電阻的最小值。因此，當(dāng)VDD=5V時(shí)，最小上拉電阻約為1.5k；當(dāng)VDD=3V3時(shí)，約為1k。
由于I2C總線端口的高電平是通過(guò)上拉電阻實(shí)現(xiàn)，線上的電平從低變高時(shí)，電源通過(guò)上拉電阻對(duì)線上負(fù)載電容CL充電，這需要一定的上升時(shí)間。
電容充電一般公式：
整理可得：
I2C規(guī)范將低于VIL或0.3VDD的電壓定義為邏輯低電平，同樣將高于VIH或0.7VDD的電壓定義為邏輯高電平，由式4可以求得：
由公式5可判斷，當(dāng)Tr取最大值，CL取最小值時(shí)，R有最大值。
由于不同模式下，上升沿的最大時(shí)間及總線負(fù)載最大容限要求不同，標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式、高速模式分別是：1000ns/400pF、300ns/400pF、120ns/550pF。
以快速模式下，負(fù)載電容50pF為例，則有：
結(jié)論：電源電壓決定上拉電阻的最小值，總線負(fù)載電容決定上拉電阻的最大值。
希望對(duì)你有幫助，我們下一期見(jiàn)。
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