亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

您現在的位置是:蟲蟲下載站 > 資源下載 > 模擬電子 > CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

  • 資源大小:768 K
  • 上傳時間: 2013-10-21
  • 上傳用戶:rain0413
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

資 源 簡 介

為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優(yōu)于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

相 關 資 源

主站蜘蛛池模板: 龙江县| 璧山县| 廉江市| 视频| 土默特右旗| 渑池县| 宁陵县| 葵青区| 祁东县| 延安市| 都昌县| 高州市| 兴安盟| 香河县| 鹤岗市| 开封市| 肇东市| 上犹县| 安国市| 信阳市| 清新县| 绩溪县| 诸城市| 平顶山市| 惠州市| 普宁市| 崇信县| 九台市| 平定县| 鄯善县| 宜良县| 固安县| 曲靖市| 北海市| 芷江| 紫金县| 青神县| 红安县| 大埔县| 康马县| 清镇市|