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?? 1603_flash_list_20071106-spansion_slc_256m.txt

?? 成功量產(chǎn)金士頓4G工具SK6281PDT20080123[1]
?? TXT
字號:
[FLASH_LIST]
//	File:\\super\RD\SharedDocs\SKYMEDI\1603_Flash_Support_Spec
//	Flash list definition
//	Offset		abbreviation		value
//=================================================================================================================================================================================================
//						1st flash ID ( Manufacture ID )
//						2nd flash ID ( Device ID )
//						3rd flash ID
//						4th flash ID
//						LA: 5th flash ID
//	0x00		BLK_MASK_H		For formula Block Mask H Register ( 0x7010 ) in normal mode
//	0x01		BLK_MASK_M		For formula Block Mask M Register ( 0x7011 ) in normal mode
//	0x02		PARTI_SHIFT 		For formula Parti Shift Register ( 0x7015 ) in normal mode
//	0x03		BLK_SHIFT		For formula Block Shift Register ( 0x7017 ) in normal mode
//	0x04		PAGE_SHIFT		For formula Page Shift Register ( 0x7018 ) in normal mode
//	0x05		ADDR_CYCLE		Address Cycle Register ( 0x7019 )
//	0x06, 0x07	DEFECT_BLK		The percentage of defective blocks per chip
//	0x08		SCAN_MODE		The scan flash mode 0 : check 0, 2047 byte of 1st, 2nd and last page of each block, 1 : check whole page data of 1st, 2nd and last page, 2: check whole block data
//	0x09		FSH_CFG			Flash Cfg Register ( 0x701A )
//	0x0A		FSH_WR_CTRL		Flash Write Control Register ( 0x701B )
//	0x0B		FSH_RD_CTRL		Flash Read Control Register ( 0x701C )
//	0x0C		FSH_RD_CTRL2		Flash Read Control 2 Register ( 0x701D )
//	0x0D		FSH_ALE_CLE_CTRL	Flash ALE/CLE Control Register ( 0x701E )
//	0x0E		FSH_CTRL0		Flash Control0 Register ( 0x701F )
//	0x0F		FSH_CTRL1		Flash Control1 Register ( 0x7020 )
//	0x10		FSH_CTRL2		Flash Control2 Register ( 0x7021 )
//	0x11		FSH_CTRL3		Flash Control3 Register ( 0x7022 )
//	0x12		FSH_DEFECT		Flash Defect Register ( 0x70D7 )
//	0x13		MP_FACTOR		MP Factor Register ( 0x7012 )
//	0x14		BANK_SHIFT		Bank Shift Register ( 0x7017)
//	0x15		DIE_FACTOR		Die Factor Register ( 0x7013 )
//	0x16		CHIP_FACTOR		Chip Factor Register ( 0x7014 )
//	0x17		FSH_CTRL4		Flash Control4 Register ( 0x7023 )

//	0x18		See the Summary below:
//	bit0 ~ bit1: No of R Blks (0 -> 1 R Blk, 1 -> 2 R Blks, 2 -> 3 R Blks, 3 -> No R Blks)
//	bit2: Even and Odd Pages Copy Back restriction (0 -> Have restriction, 1 -> No restriction)
//	bit3: Reset First before flash command



//	                               0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    10   11   12   13   14   15   16   17   18   		OSC	tWC	tRC	VCC	Spec		CB	Even-Odd
S19MN256P30 0x01 0x29 0x04 0x95 0x55 0x00 0x00 0x02 0x08 0x06 0x11 0x00 0x14 0x00 0x32 0x51 0xB1 0x0B 0x03 0x10 0x0F 0x81 0x04 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00 0x22 0x26	//	29M	30	30	33	01,2006 ver1.0	Yes	No	Yes	No

[SD_CID]
// (A) SD 2.0/SD 1.xx
1F 53 4B 4D 4D 43 20 34 30 10 00 00 00 01 87 75

[MMC_CID]
// (B) MMC 4.0/MMC 3.x
44 12 34 4D 4D 43 20 34 30 10 00 00 00 01 67 75

[SD_CSD]
// 2GB
// (A) SD 2.0/SD 1.xx, 2F: Large/AG-AND/Small/Multi-Plane
// 00 3F 01 32 5F 5A 80 00 36 D8 5F FF 9E 40 00 75

// (B) SD 1.01, 2F:Large/AG-AND/Small/Multi-Plane
// 00 3F 01 32 1F 5A 80 00 36 D8 5F FF 9E 40 00 75

// Under 2GB
// (C) SD 2.0/SD 1.xx, 2F: Large/AG-AND/Small/Multi-Plane
00 3F 01 32 5F 59 80 00 36 D8 5F FF 9E 40 00 75

// (D) SD 1.01, 2F:Large/AG-AND/Small/Multi-Plane
// 00 3F 01 32 1F 59 80 00 36 D8 5F FF 9E 40 00 75

[MMC_CSD]
// 2GB
// (A) MMC 4.0, 2F: Large/Small/Multi-Plane
// 90 3F 01 2A 0F 5A 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// (B) MMC 3.x, 2F: Large/Small/Multi-Plane
// 8C 3F 01 2A 0F 5A 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// (C) MMC 4.0, 3F: AG-AND
// 90 3F 01 2A 0F 5A 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// (D) MMC 3.x, 3F: AG-AND
// 8C 3F 01 2A 0F 5A 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// Under 2GB
// (A) MMC 4.0, 2F: Large/Small/Multi-Plane
90 3F 01 2A 0F 59 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// (B) MMC 3.x, 2F: Large/Small/Multi-Plane
// 8C 3F 01 2A 0F 59 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// (C) MMC 4.0, 3F: AG-AND
// 90 3F 01 2A 0F 59 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

// (D) MMC 3.x, 3F: AG-AND
// 8C 3F 01 2A 0F 59 80 00 36 D8 7F E3 9E 40 00 75

[SD_COMP_PARAS]
// (A) SD 2.0/SD 1.xx, OSC : 35M
76 B8 B3 61 39 2D B8 80 FF 00 00 00 00 00 21 38 76 A0 B1 61 39 2D B8 80 3B 23 20 00 00 21 7F 5A

// (B) SD 2.0/SD 1.xx, OSC : 29M
//70 B8 B3 61 39 2B B8 80 FF 00 00 00 00 00 19 0F 70 A0 B1 60 38 29 B8 80 BB B3 00 00 00 00 7F 5A

// (C) SD 2.0/SD 1.xx, OSC : 25M
//70 B8 B3 61 39 2B B8 80 FF 00 00 00 00 00 11 0F 70 A0 B1 60 38 29 B8 80 BB B3 00 00 00 00 7F 5A

// (D) SD 2.0/SD 1.xx, OSC : 21M
//70 B8 B3 61 39 2B B8 80 FF 00 00 00 00 00 09 0F 70 A0 B1 60 38 29 B8 80 BB B3 00 00 00 00 7F 5A

[MMC_COMP_PARAS]
// (A) MMC 4.0/MMC 3.x, OSC : 35M
76 B8 B3 61 39 2D B8 80 FF 00 00 00 00 00 21 38 76 A0 B2 63 3A 2F B8 89 3B 23 00 00 00 21 7F 5A

// (B) MMC 4.0/MMC 3.x, OSC : 29M
//70 B8 B3 61 39 2B B8 80 FF 00 00 00 00 00 19 0F 70 A0 B1 60 38 29 B8 80 BB B3 00 00 00 00 7F 5A

// (C) MMC 4.0/MMC 3.x, OSC : 25M
//70 B8 B3 61 39 2B B8 80 FF 00 00 00 00 00 11 0F 70 A0 B1 60 38 29 B8 80 BB B3 00 00 00 00 7F 5A

// (D) MMC 4.0/MMC 3.x, OSC : 21M
//70 B8 B3 61 39 2B B8 80 FF 00 00 00 00 00 09 0F 70 A0 B1 60 38 29 B8 80 BB B3 00 00 00 00 7F 5A

[VERSION]
04 09

[MMC_EXT_CSD]
00 00 00 00 00 00 0A 00 00 00 00 00 00 03 00 03 00 00 00 66 66 66 66 00 00 00 00 00 00 00 00 00

[SD_EXT_CSD]
00 00 00 00 00 00 0A 00 00 00 00 00 00 03 00 03 00 00 00 66 66 66 66 00 00 00 00 00 00 00 00 00

[MULPAGE_WRITE_CMD_SET]
// 1. Page Program, only 0x9F, Ex: 
//    1.1 Hynix: HY27UG084G2M, HY27UT084G2M, HY27UU088G5M,  HY27UH088G2M
//    1.2 SAMSUNG: 
//    1.3 Toshiba: TC58NVG0S3, Tc58NVG1S3, TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C
//    1.4 Micron: MT29F1G16ABA, MT29F2G08AAA 
//    1.5 STM: NAND01GW3B, NAND02GW3A, NAND04GW3B, NAND04GW3C
//80 10 10 00 85 70 10 00 DC 11

// 2. Cache Program, 0x1F(Quickly), 0x9F(Slowly), Ex:
//    2.1 Hynix: HY27UF084G2M, HY27UG084G2M, HY27UG088G2M, HY27UH08AG5M, 
//    2.2 SAMSUNG: K9F1G08U0M, K9F1G08U0A, K9F1G16U0M, K9K2G08U0M, K9F2G08U0M, K9F2G16U0M	
80 10 10 00 85 70 10 00 DC 11

// 3. Multi-Plane Program, Ex: 
//    3.1 Hynix: HY27UT084G2M, HY27UU088G5M
//    3.2 SAMSUNG: K9F4G08U0M, K9G4G08U0M, K9K8G08U0M, K9WAG08U1M 	
//    3.3 Toshiba: TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C
//    3.4 STM: NAND04GW3C 
//80 10 11 81 85 70 10 00 FC 11 

// 4. Multi-Plane Program, Ex:
//    4.1 Toshiba: TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C
//80 15 11 80 85 70 10 00 FC 11

// 5. Multi-Plane Program, Internal interleave, Ex: K9K8G08U0M	
//    5.1 High speed
//80 10 11 81 85 F1 10 00 FC 11
//    5.2 Low speed
//80 10 11 81 85 70 10 00 FC 11

[MULPAGE_READ_CMD_SET]
// 1. Page Read, Multi-Plane Read, Ex: Others(HY27UF084G2M/HY27UG084G2M)
//    1.1 Toshiba: TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C(Temp)
//    1.2 Micron: MT29F1G16ABA(Temp)
00 30 00 E0 05 70 00 00 6E 10

// 2. Cache Read, Ex:
//    2.1 Micron: MT29F2G08AAA
//00 31 30 E0 05 70 00 00 7E 19

// 3. Cache Read, Ex:
//    3.1 Toshiba: TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C

[MULPAGE_CB_CMD_SET]
// 1. No Copy-Back, Ex: 
//    1.1 Hynix: HY27UG084G2M, HY27UT084G2M, HY27UU088G5M, HY27UH088G2M
//    1.2 SAMSUNG: K9G4G08U0M
//    1.3 Toshiba: TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C(Temp)
//		   TC58NVG0S3, TC58NVG1S3
//    1.4 STM: NAND01GW3B, NAND02GW3A, NAND04GW3B, NAND04GW3C 
//00 10 10 00 00 00 35 00 FC 15		

// 2. Copy-Back, Ex: 
//    2.1 Hynix: HY27UF084G2M, HY27UH088G2M, HY27UG084G2M, HY27UG088G2M, HY27UH08AG5M
//    2.2 SAMSUNG: K9F1G08U0M, K9F1G08U0A, K9F1G16U0M, K9F2G16U0M, K9K2G08U0M, K9F2G08U0M
//    2.3 Toshiba: 
//    2.4 Micron:  MT29F1G16ABA, MT29F2G08AAA
00 10 10 00 85 70 35 00 FC 15

// 3. Multi-Plane Copy-Back, Ex: 
//    3.1 SAMSUNG:		
//	  3.1.1 High speed - K9K8G08U0M
//00 10 11 81 85 F1 35 00 FC 16 	
//	  3.1.2 Low speed - K9K8G08U0M, K9F4G08U0M, K9WAG08U1M
//00 10 11 81 85 70 35 00 FC 16

[MULBLOCK_ERASE_CMD_SET]
// 1. Signal Bank Erase, Ex:
//    1.1 Hynix: HY27UT084G2M, HY27UF084G2M, HY27UG084G2M, HY27UH088G2M, HY27UG088G2M, HY27UU088G5M, HY2708AG5M, 
//    1.2 SAMSUNG: K9F1G08U0M, K9F1G08U0A, K9K2G08U0M, K9F2G08U0M, K9F1G16U0M, K9F2G16U0m
//    1.3 Toshiba: TC58NVG0S3, TC58NVG1S3
//    1.4 Micron: MT29F1G16ABA, MT29F2G08AAA
//    1.5 STM: NAND01GW3B, NAND02GW3A, NAND04GW3B, NAND04GW3C 
60 D0 00 00 00 70 00 00 0C 20

// 2. Multi-Plane Erase, Ex: 
//    2.1 Hynix: HY27UT084G2M, HY27UU088G5M	
//    2.2 SAMSUNG: K9G4G08U0M, K9F4G08U0M, K9WAG08U1M
//60 D0 00 60 00 70 00 00 2C 20

// 3. Multi-Plane Erase, Ex:
//    3.1 Toshiba: TC58NVG3D4C, TH58NVG4D4C
//60 D0 00 60 00 71 00 00 2C 20

// 4. Multi-Plane Erase, Ex: Internal interleave, K9K8G08U0M 	
//60 D0 00 60 00 F1 00 00 2C 20 	

[SD_SCR]
// (A) SD 2.0/SD 1.x
01 25 00 00 00 00 00 00

// (B) SD 1.01
//00 25 00 00 00 00 00 00

[SD_SIZE_OF_PROTECTED_AREA]
// card density is less than 1GB(< 1GB)
00 00 00 20

// card density is larger than or equal to 1GB(>= 1GB)
//00 00 00 30	//	AG-AND
//00 00 00 50	//	Others                                                                

?? 快捷鍵說明

復(fù)制代碼 Ctrl + C
搜索代碼 Ctrl + F
全屏模式 F11
切換主題 Ctrl + Shift + D
顯示快捷鍵 ?
增大字號 Ctrl + =
減小字號 Ctrl + -
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