?? 152.htm
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<title>CTerm非常精華下載</title>
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<hr><p align="left"><small>發(fā)信人: Muff (笨笨), 信區(qū): DSPTech <br>
標 題: 問一個DSK6711上FLASHROM的問題！！！ <br>
發(fā)信站: BBS 水木清華站 (Wed Jun 12 17:03:18 2002) <br>
<br>
看了一下TI提供的寫FLASHROM的程序，有幾個地方不是很明白： <br>
1.每次向FLASH中寫如數(shù)據(jù)時，為什么要執(zhí)行下面的程序 <br>
*(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1; <br>
*(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2; <br>
*(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3; <br>
宏FLASH_ADR對應(yīng)的地址在FLASHROM的空間中？ <br>
2.為什么要定義宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中寫入數(shù)據(jù) <br>
長度有限制？ <br>
<br>
-- <br>
<br>
※ 來源:·BBS 水木清華站 smth.edu.cn·[FROM: 202.114.1.14] <br>
發(fā)信人: wbs (永不言敗), 信區(qū): DSPTech <br>
標 題: Re: 問一個DSK6711上FLASHROM的問題！！！ <br>
發(fā)信站: BBS 水木清華站 (Thu Jun 13 00:09:04 2002) <br>
<br>
我覺得可能是Flash通常是8位或者16位的，所以寫它的時候通常 <br>
需要需要分幾步。沒有看到具體程序，只是猜測。 <br>
你的flash是外置的吧？寫起來肯定麻煩一些，因為還得寫指令先。 <br>
<br>
【 在 Muff (笨笨) 的大作中提到: 】 <br>
: 看了一下TI提供的寫FLASHROM的程序，有幾個地方不是很明白： <br>
: 1.每次向FLASH中寫如數(shù)據(jù)時，為什么要執(zhí)行下面的程序 <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1; <br>
: *(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2; <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3; <br>
: 宏FLASH_ADR對應(yīng)的地址在FLASHROM的空間中？ <br>
: 2.為什么要定義宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中寫入數(shù)據(jù) <br>
: 長度有限制？ <br>
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<br>
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－－DSP牛嗎？ <br>
－－牛！ <br>
－－好開發(fā)嗎？ <br>
－－Easy!找我！ <br>
<br>
<br>
※ 來源:·BBS 水木清華站 smth.edu.cn·[FROM: 142.103.36.161] <br>
發(fā)信人: DSK6711 (DSK), 信區(qū): DSPTech <br>
標 題: Re: 問一個DSK6711上FLASHROM的問題！！！ <br>
發(fā)信站: BBS 水木清華站 (Thu Jun 13 09:07:44 2002) <br>
<br>
這些代碼都同所使用的flash芯片有關(guān)。TI的DSK6711板上用的是 <br>
SST29LE010，針對這種芯片的寫代碼都同你所提到的兩段代碼一樣。 <br>
<br>
第一個主要是涉及到Software Data Protection (SDP)，其用于 <br>
防止對FLASH的誤寫入，目前好像所有的FLASH都采用了這種技術(shù)。 <br>
SST29LE010芯片資料上是這樣寫的： <br>
With this scheme, any Write operation requires the <br>
inclusion of a series of three byte-load operations <br>
to precede the data loading operation. <br>
The three byte-load sequence is used to initiate the Write cycle, <br>
providing optimal protection from inadvertent write operations. <br>
<br>
第二段代碼是由于這種芯片的特性所決定的，它每次寫入好像是必須 <br>
一次寫入一個Page（128Bytes），這個是我看芯片手冊后的理解， <br>
不知是否完全正確。 <br>
<br>
具體你可以到SST公司站點上下SST29LE010芯片手冊。 <br>
<br>
【 在 Muff (笨笨) 的大作中提到: 】 <br>
: 看了一下TI提供的寫FLASHROM的程序，有幾個地方不是很明白： <br>
: 1.每次向FLASH中寫如數(shù)據(jù)時，為什么要執(zhí)行下面的程序 <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1; <br>
: *(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2; <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3; <br>
: 宏FLASH_ADR對應(yīng)的地址在FLASHROM的空間中？ <br>
: 2.為什么要定義宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中寫入數(shù)據(jù) <br>
: 長度有限制？ <br>
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※ 來源:·BBS 水木清華站 smth.edu.cn·[FROM: 202.114.10.204] <br>
</small><hr>
<p align="center">[<a href="DSP開發(fā)技術(shù).htm">回到開始</a>][<a href="8.htm">上一層</a>][<a href="153.htm">下一篇</a>]
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