//[Flash.c]Flash擦寫-------------------------------------------------------*
//本文件包含:                                                              *
//    (1)Flash_Erase_Sector:擦除一個指定的扇區                             *
//    (2)Flash_Write_Nword:向一個指定的區域寫入若干個字                    *
//    (3)Flash_unsecured:使用后門機制解除Flash的安全狀態                   *
//    (4)Flash_SetKey:設置后門鑰匙                                         *
//    (5)Flash_SetStatus:設置Flash的安全狀態                               *
//-------------------------------------------------------------------------*

//頭文件
#include "Flash.h"                           //Flash擦寫頭文件


//內部調用函數聲明
void Erase_Write_Pretreat(uchar page);   //擦寫子函數內部調用的函數聲明

//頁所對應的塊對照表
//兩個flash塊,每塊4頁           flash0                flash1        
const uchar pagetable[2][4] = {{0x3C,0x3D,0x3E,0x3F},{0x38,0x39,0x3A,0x3B}};


//由于在Flash擦寫時會在Flash區產生高壓,造成擦寫不穩定,本工程把在高壓時執行
//的程序轉換成機器碼存放在RAM區,在執行擦寫操作時,執行RAM區0的機器碼,
//擦寫操作穩定,該機器碼存放在下面數組中,其中'0x3D'是'RTS'的機器碼
const uchar P[18] = {0x18,0x0B,0x80,0x01,0x05,0xF6,0x01,0x05,0x87,
                     0x87,0xC4,0x40,0x8C,0x00,0x00,0x27,0xF4,0x0A};
                                             //FSTAT=0x80;
                                             //while(!(FSTAT&0x80));
uchar PrgOfRam[18];                          /*存放RAM區執行的的機器碼 */


void PrgToRAM(void)
{
  uchar i=0x00;
  for (i=0; i<18; i++) 
    PrgOfRam[i] = P[i];
}


//Flash_Erase_Sector:擦除指定的扇區----------------------------------------*
//功  能:對頁號為page,扇區首地址為addr的一個扇區進行擦除                   *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//       addr--扇區首地址(偶數)                                            *
//返  回:無                                                                *
//注  意:調用該函數之前,必須確定要擦除的區域可擦除                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Erase_Sector(uchar page,uint addr)
{
    //1 判斷是否已分頻、清相關錯誤標志、根據頁號選擇相應的flash塊
    //2 向要擦除的扇區首地址寫任意值(注意:經實驗證實,不可以寫0x0000)
    //3 向命令寄存器寫扇區擦除命令
    //4 在加高壓期間,調用RAM區的機器碼,相當于兩條語句:
    //  FSTAT=0x08; 
    //  while(!(FSTAT&0x40));
    
    Erase_Write_Pretreat(page);    //擦寫子函數共同調用的內部子函數
    *(uint *)addr = 0xFFFF;
    FCMD = 0x40; 
    _asm("CALL PrgOfRam");
}
//-------------------------------------------------------------------------*
//Flash_Write_Nword:向指定的扇區寫入若干個字-------------------------------*
//功  能:將從address_source開始的len個字,寫入頁號為 page,起始地址為        *
//       address_destination的扇區                                         *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//       address_destination--目標扇區首地址(偶數)                         *
//       address_source--源地址                                            *
//       len--字節數                                                       *
//返  回:無                                                                *
//注  意:調用該函數之前,必須確定要寫入的區域可寫入                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Write_Nword(uchar page,uint address_destination,
                              uint address_source,uint len)
{
    //1 判斷是否已分頻、清相關錯誤標志、根據頁號選擇相應的flash塊
    //2 寫入若干個字
    //   (1)將源地址的一個字寫入目標地址
    //   (2)向命令寄存器寫字寫入命令
    //   (3)在加高壓期間,調用RAM區的機器碼,相當于兩條語句:
    //      FSTAT=0x08; 
    //      while(!(FSTAT&0x40));
    //   (4)源地址和目標地址同時向后移一個字
    uint m;
    Erase_Write_Pretreat(page);   //擦寫子函數共同調用的內部子函數
    PPAGE = page;                 //設置頁寄存器
    for (m=0; m<len; m++)
    {
        *(uint *)address_destination = *(uint *)address_source;
        FCMD = 0x20;
        asm("CALL PrgOfRam");
        address_destination = address_destination+2;
        address_source = address_source+2;
    }
}
//-------------------------------------------------------------------------*
//Flash_Erase_Nsector:擦除多個扇區-----------------------------------------*
//功  能:以len個字為依據計算所需擦除的扇區量                               *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//       address_destination--目標扇區首地址(偶數)                         *
//       len--字節數                                                       *
//返  回:無                                                                *
//注  意:此函數可擦除多扇區(一頁),但須保證最后一個字不                     *
//       能超出指定頁,即地址不能大于0xBFFE                                 *                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Erase_Nsector(uchar page,uint address_destination,uint len)
  {
     //1 判斷是否已分頻、清相關錯誤標志、根據頁號選擇相應的flash塊
     //2 計算要存儲數據所占用地址的扇區量
     //3 擦除扇區
     uchar Fi,Fn;
     Erase_Write_Pretreat(page);
     if(len%256==0)
        Fn=len/256;                   
     else
        Fn=len/256+1;
     if(Fn==0) return;
     for(Fi=0x00;Fi<Fn;Fi++)
      {
        Flash_Erase_Sector(page,(address_destination+512*Fi));
      }
  }
//-------------------------------------------------------------------------*
//Erase_Write_Pretreat:開始擦除或寫入前的公共操作序列子函數----------------*
//功  能:判斷是否已分頻;清相關錯誤標志;根據頁號選擇相應的flash塊;如果頁號不*
//       為0,則設置PPAGE寄存器                                             *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//返  回:無                                                                *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Erase_Write_Pretreat(uchar page)
{
    //1 判斷是否設置時鐘分頻,若無分頻,則先分頻
    //2 清保護錯誤和訪問錯誤標志位
    //3 查表、選擇塊號
    uchar i,j;
    if ((FCLKDIV&0x80) == 0) 
      FCLKDIV |= 0x4A;       //設置分頻系數
    FCNFG |= 0x01;    //FCNFG的第0位置1,選擇BLOCK1
    FSTAT |= 0x30;    //清保護錯誤和訪問錯誤標志位   
    FCNFG &= 0xFE;    //FCNFG的第0位置0,選擇BLOCK0
    FSTAT |= 0x30;    //清保護錯誤和訪問錯誤標志位
    if (page != 0)
      {
          for (i = 0;i < 2;i++)
            {
                for (j = 0;j < 4;j++)
                  {
                      if (page == pagetable[i][j])
                          break;
                  }
                if (j < 4)
                    break;
            }
          if (i == 0)  FCNFG &= 0xFE;    //頁號3C~3F,選擇BLOCK0
          if (i == 1)  FCNFG |= 0x01;    //頁號38~3B,選擇BLOCK1
      }
    PPAGE=page;
}
//-------------------------------------------------------------------------*
//Flash_Read_Sector:讀指定Flash地址中的內容--------------------------------*
//功  能:讀取指定頁號為page,首地址為addr的連續len個字節,寫入到ch[]數組中   *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//       addr--源目標首地址                                                *
//       ch[]--目標首地址                                                  *
//       len --字節個數                                                    *
//返  回:無                                                                *
//注  意:FLASH存儲區的兩個字節表示一個字                                   *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Read_Sector(uchar page,uint addr,uint ch[],uint len) 
{   
    
    uint m;
    uchar i,j;
    if (page != 0)
      {
          for (i = 0;i < 2;i++)
            {
              for (j = 0;j < 4;j++)
                {
                  if (page == pagetable[i][j])