}

void Port_DS18B20()
{
	DDRC &= ~(1 << PC2);   // 輸入模式(上電時(shí)為高電平)
    PORTC &= ~(1 << PC2);  // 輸出鎖存器寫(xiě)0，以后不再更改
}

//USART寄存器配置函數(shù)
void Usart_Init()
{
	UCSRA = 0X00;	
	UCSRC |= (1<<URSEL) | (1 << UCSZ1) | (1 << UCSZ0);  //異步，數(shù)據(jù)格式8，N，1
	     //UCSRC寄存器與UBRRH寄存器共用相同的I/O地址,寫(xiě) UCSRC 時(shí)， URSEL 應(yīng)設(shè)置為 1。
	UBRRL = (F_CPU / BAUD / 16 - 1) % 256;    //波特率設(shè)置
	UBRRH = (F_CPU / BAUD / 16 - 1) / 256;		
	UCSRB |= (1 << RXCIE) | (1 << RXEN) | (1 << TXEN);    //發(fā)送使能
	
}

//字節(jié)發(fā)送函數(shù)
void Usart_PutChar(unsigned char cTXData)
{
	while( !(UCSRA & (1 << UDRE)) );  //只有數(shù)據(jù)寄存器為空時(shí)才能發(fā)送數(shù)據(jù)
	UDR = cTXData;	                 //發(fā)送數(shù)據(jù)送USART I/O數(shù)據(jù)寄存器－UDR
}

//接收中斷函數(shù)
ISR(USART_RXC_vect )
{
	unsigned char Rev;
	Rev = UDR;              //從USART I/O數(shù)據(jù)寄存器－UDR中讀出數(shù)據(jù)
	Usart_PutChar(Rev);    //將接收到的數(shù)據(jù)發(fā)送
}


void Usart_PutString(unsigned char *pcString)
{
	while (*pcString)
	{
		Usart_PutChar(*pcString++);
	}	
}

//DS18B20初始化
unsigned char DS18B20_Init()
{	
	SET_OUT;   //PA2設(shè)置為輸出口（相當(dāng)于拉低數(shù)據(jù)線上的電平）	
	
	Delayus(490);  //延時(shí)大于480us
	
	SET_IN;     //輸入 釋放數(shù)據(jù)線（相當(dāng)于拉高數(shù)據(jù)線上的電平）
	
	Delayus(68);	//延時(shí)大于60US，
		
	//while(DQ_IN);	    //可以用兩個(gè)while()死循環(huán)來(lái)判斷復(fù)位是否成功，當(dāng)數(shù)據(jù)線被拉低，說(shuō)明
	//while(!(DQ_IN));	 //DS18B20開(kāi)始復(fù)位應(yīng)答，當(dāng)數(shù)據(jù)線變高，說(shuō)明應(yīng)答完畢
	
	if(DQ_IN)   //判斷DSDS18B20是否拉低數(shù)據(jù)線
	{
		OK_Flag = 0;		//	數(shù)據(jù)線是高？復(fù)位失敗
	}
	else
	{
		OK_Flag = 1;	//	數(shù)據(jù)線是低？復(fù)位成功
	}
	Delayus(422);	//有復(fù)位應(yīng)答信號(hào)后，應(yīng)當(dāng)再延時(shí)一段時(shí)間（480-68），以等待應(yīng)答完畢
	
	return OK_Flag;    //返回復(fù)位標(biāo)志
}

//從DSDS18B20讀取一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)
unsigned char Read_DS18B20()
{
	unsigned char i;   
	unsigned char dat = 0;   // dat用于存儲(chǔ)讀到的數(shù)據(jù)，先清零	
	
	for(i = 0;i < 8;i++)   //共讀8位數(shù)據(jù)，構(gòu)成一個(gè)字節(jié)
	{		
		SET_OUT;    //定義為輸出（拉低數(shù)據(jù)線）
		
		Delayus(2);   //拉低2微秒		
		
		SET_IN;        //定義成輸入，讀入數(shù)據(jù)（同時(shí)也相當(dāng)于拉高數(shù)據(jù)線）
			
		Delayus(4);        //延時(shí)
		dat = dat >> 1;	       //數(shù)據(jù)右移，讀順序：先低后高
		if(DQ_IN)       //讀數(shù)據(jù)，
		{			
			dat |= 0x80;   //如果是高，置1，右移數(shù)據(jù)
		}
		Delayus(62);		 //延時(shí)大于60us
	}	
	return dat;     //返回讀到的1字節(jié)數(shù)據(jù)
}

//向DSDS18B20寫(xiě)1字節(jié)數(shù)據(jù)
void Write_DS18B20(unsigned char dat)
{
	unsigned char i;	
	
	for(i = 0;i < 8;i++)  //寫(xiě)8次，一次寫(xiě)1位，先寫(xiě)低字節(jié)
	{
		SET_OUT;         //拉低數(shù)據(jù)線2us，開(kāi)始寫(xiě)數(shù)據(jù)
		Delayus(2);      //
		
		if(dat & 0x01)   //寫(xiě)數(shù)據(jù)
		{
			SET_IN;    //寫(xiě)1			
		}
		else
		{
			SET_OUT;   //寫(xiě)0			
		}
		dat >>= 1;      //數(shù)據(jù)右移1位，先寫(xiě)低位
		Delayus(62);       //延時(shí)大于60us	
			
		SET_IN;          //拉高數(shù)據(jù)線
		Delayus(2);   //寫(xiě)兩位數(shù)據(jù)的時(shí)間間隔		
	}	
}

//us級(jí)別的延時(shí)函數(shù)
void Delayus(unsigned int lus)
{
	while(lus--)
	{
		_delay_loop_2(3);      //_delay_loop_2(1)是延時(shí)4個(gè)時(shí)鐘周期，參數(shù)為3則延時(shí)12
		           //個(gè)時(shí)鐘周期，本實(shí)驗(yàn)用12M晶體，則12個(gè)時(shí)鐘周期為12/12=1us
    }
}

//ms級(jí)別的延時(shí)函數(shù)
void Delayms(unsigned int lms)
{
	while(lms--)
	{
		Delayus(1000);        //延時(shí)1ms
    }
}

//啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換
void DS18B20_StartConvert(void)   
{
	unsigned char i;
	
	DS18B20_Init();     //初始化DS18B20
		
	Write_DS18B20(DS18B20_SKIP_ROM);  //發(fā)送ROM指令，跳過(guò)ROM匹配
		
	Write_DS18B20(DS18B20_CONVERT_RAM);  //	發(fā)送溫度轉(zhuǎn)換命令	
		
	for(i=0;i<50;i++)      //延時(shí)1S，等轉(zhuǎn)換完成
	{
		Delayms(20);
	}		
}

//獲得溫度轉(zhuǎn)換結(jié)果
void DS18B20_GetConvert(void)
{
	DS18B20_Init();    //初始化DSDS18B20
		
	Write_DS18B20(DS18B20_SKIP_ROM);  //發(fā)送ROM指令，跳過(guò)ROM匹配
		
	Write_DS18B20(DS18B20_READ_RAM);  //發(fā)送讀取暫存器指令
		
	Temp_L = Read_DS18B20(); //獲得溫度的低位
	
	Temp_H = Read_DS18B20(); //獲得溫度的高位
}   

 // 讀取RAM內(nèi)容
void DS18B20_ReadRAM(void)       
{
	unsigned char i;
	
	DS18B20_Init();     //初始化DSDS18B20
	
	Write_DS18B20(DS18B20_SKIP_ROM);  //發(fā)送ROM指令，跳過(guò)ROM匹配		
		
	Write_DS18B20(DS18B20_READ_RAM);  //發(fā)送讀取暫存器指令
	
	for(i = 0;i < 9;i++)
	{
		ReadRAM_Buff[i] = Read_DS18B20();
	}	
}

//寫(xiě)溫度上下限和配置寄存器到RAM
void DS18B20_WriteRAM(void)       
{
	DS18B20_Init();     //初始化DSDS18B20
		
	Write_DS18B20(DS18B20_SKIP_ROM);  //發(fā)送ROM指令，跳過(guò)ROM匹配
	
	Write_DS18B20(DS18B20_WRITE_RAM);  //	發(fā)送寫(xiě)RAM命令	
		
	Write_DS18B20(ThrH);        //寫(xiě)溫度報(bào)警上限值
	Write_DS18B20(ThrL);        //寫(xiě)溫度報(bào)警下限值
	Write_DS18B20(CFG);         //寫(xiě)配置寄存器
}

//復(fù)制RAM中的溫度上下線和配置寄存器到EEPROM
void DS18B20_CopyEEPROM(void)     
{
	DS18B20_Init();     //初始化DSDS18B20
		
	Write_DS18B20(DS18B20_SKIP_ROM);  //發(fā)送ROM指令，跳過(guò)ROM匹配
	
	Write_DS18B20(DS18B20_COPY_RAM);  //	發(fā)送復(fù)制命令	
		
	Delayms(20);   //  等待復(fù)制完成	
}

//把EEPROM中的溫度上下線和配置寄存器恢復(fù)到RAM
void DS18B20_RecallRAM(void)      
{
	DS18B20_Init();     //初始化DSDS18B20
	
	Write_DS18B20(DS18B20_SKIP_ROM);  //發(fā)送ROM指令，跳過(guò)ROM匹配
		
	Write_DS18B20(DS18B20_RECALL_EEPROM);  //	發(fā)送溫度轉(zhuǎn)換命令	
	
	Delayms(20);	
}