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*  MEMORY.ASM	v1.00								                            *
*  版權(c) 	2003-		北京合眾達電子技術有限責任公司			                *
*  設計者：	段立鋒								                                *
*********************************************************************************
		.file	"memory.asm"
		.c_mode
		.mmregs
		

		.copy	"vc54x.inc"	; VC5402 Memory-Mapped	Register Declaration
		.copy   "dec5416.inc" ; SEED DEC5416 Memory-Mapped Register Declaration
                       
		.def	_flash_erase
		.def	_flash_writes
		.def	_flash_writem
		.def	_flash_reads
		.def	_flash_readm
		.def    _progm_readm
		.def    _progm_writem
		.def    _progm_reads
		
		.text

*********************************************************************************
*	FLASH的操作																	*
*********************************************************************************
*********************************************************************************
*																				*
* 函數定義：uint _flash_erase(uint addr, uint type)		   						*
* 功    能：Flash扇區/塊/整片擦除操作											*
*																				*
* 入口參數：A	  ---- 地址addr													*
*		       扇區擦除:Amsb～A11，每個扇區2K   								*
*		       塊擦除  :Amsb～A15，每個塊32K									*
*		       整片擦除:5555H													*
*		       Amsb:	A16，Flash用SST39VF200時								*
*		       			A17，Flash用SST39VF400時（缺省）						*
*		      			A18，Flash用SST39VF800時								*
*		       Flash定位在程序儲存空間0x4000000～401FFFFH                       *
*											   ～403FFFFH(缺省)   				*
*											   ～407FFFFH		                *
*		       地址addr為從A11開始的偏移地址，而非Flash的絕對地址					*
*          	   (SP+n) ---- 操作類型type，如果是.far_mode模式則n為2，否則n為1	*
*		       扇區擦除：30H													*
*		       塊擦除：  50H													*
*		       整片擦除：10H													*
* 出口參數：A	  ---- 擦除標志													*
*		       未擦干凈：00H													*
*		       已擦干凈：01H													*
* 資源使用：B,AR0																*
*																				*
*********************************************************************************
_flash_erase:	PSHM SWWSR            ;保存當前的系統等待時間
				LDM SWWSR,B
				OR #03FH,B          ;設置系統為14個等待
				STLM B,SWWSR
				
				PSHM    AH
				PSHM	AL			; 保存地址
				STM	#Flash_base,AH
				STM	#Flash_5555,AL
				STM	#Flash_UL1,BL
				WRITA	*(BL)			; AAH -> (405555H)
				STM	#Flash_2AAA,AL
				STM	#Flash_UL2,BL
				WRITA	*(BL)			; 55H -> (402AAAH)
				STM	#Flash_5555,AL
				STM	#Flash_ERASE,BL
				WRITA	*(BL)			; 80H -> (405555H)
				STM	#Flash_5555,AL
				STM	#Flash_UL1,BL
				WRITA	*(BL)			; AAH -> (405555H)
				STM	#Flash_2AAA,AL
				STM	#Flash_UL2,BL
				WRITA	*(BL)			; 55H -> (82AAAH)
	
				POPM	AL			; 恢復地址
				POPM    AH
				NOP
				NOP
				NOP
				.if	__far_mode
				WRITA	3H			; type -> (addr)
				.else
				WRITA	2H
				.endif
		
erase_poll:		READA	*(BL)
				BITF	*(BL),#Polling_Bit
				NOP
				NOP
				BC	erase_poll,NTC		; 查詢擦除是否完成？
				
				;STM	#00H,AH
				.if	__far_mode
				CMPM	3H,#Flash_SE
				BC	verify_SE,TC		; 扇區擦除時，轉verify_SE
				CMPM	3H,#Flash_BE
				BC	verify_BE,TC		; 塊擦除時，轉verify_BE
				CMPM	3H,#Flash_CE
				BC	verify_CE,TC		; 整片擦除時，轉verify_CE
				POPM SWWSR
				LD	#0,A			; 不是上述3種擦除操作，則置未擦除干凈標志，返回
				FRET
				.else		
				CMPM	2H,#Flash_SE
				BC	verify_SE,TC		; 扇區擦除時，轉verify_SE
				CMPM	2H,#Flash_BE
				BC	verify_BE,TC		; 塊擦除時，轉verify_BE
				CMPM	2H,#Flash_CE
				BC	verify_CE,TC		; 整片擦除時，轉verify_CE
				POPM SWWSR
				LD	#0,A			; 不是上述3種擦除操作，則置未擦除干凈標志，返回
				RET
				.endif
		
verify_SE:		;SFTL	A,Flash_SBIT
				;OR	#Flash_base,16,A		; A = 被擦除扇區的起始地址
				BD	verify_erase
				LD	#Flash_SSIZE,B		; B = 扇區大小
		
verify_BE:		;SFTL	A,Flash_BBIT
				;OR	#Flash_base,16,A		; A = 被擦除塊的起始地址
				BD	verify_erase
				LD	#Flash_BSIZE,B		; B = 塊大小

verify_CE:		LD	#Flash_base,16,A	; A = Flash起始地址
				LD	#Flash_CSIZE,4,B	; B = Flash大小

verify_erase:	READA	*(AR0)
				CMPM	*(AR0),#Flash_BLANK
				BCD	erase_end,NTC
				XC	1,NTC
				LD	#0,A			; 置未擦除干凈標志
				ADD	#ONE,A
				SUB	#ONE,B
				BC	verify_erase,BNEQ
				LD	#1,A			; 置擦除干凈標志，返回
erase_end:		POPM SWWSR
				.if	__far_mode
				FRET
				.else
				RET
				.endif
		
*********************************************************************************
*										*
* 函數定義：uint _flash_writes(ulong addr, uint data)		   		*
* 功    能：將數據data寫入addr所指定的Flash單元					*
*										*
* 入口參數：A	  ---- 地址addr，Amsb～A0					*
*		       Amsb:	A16，Flash用SST39VF200時				*
*		       		A17，Flash用SST39VF400時（缺省）			*
*		      		A18，Flash用SST39VF800時				*
*		       Flash定位在程序儲存空間80000H～9FFFFH/BFFFFH(缺省)/FFFFFH	*
*		       地址addr為從0開始的偏移地址，而非Flash的絕對地址		*
*          (SP+n) ---- 數據data，如果是.far_mode模式則n為2，否則n為1		*
* 出口參數：A	  ---- 寫入標志							*
*		       未寫入：00H						*
*		       已寫入：01H						*
* 資源使用：B									*
*										*
*********************************************************************************
_flash_writes:	PSHM SWWSR            ;保存當前的系統等待時間
				LDM SWWSR,B
				OR #03FH,B          ;設置系統為14個等待
				STLM B,SWWSR
				
				PSHM	AL
				PSHM	AH			; 保存地址
				STM	#Flash_base,AH
				STM	#Flash_5555,AL
				STM	#Flash_UL1,BL
				WRITA	*(BL)			; AAH -> (85555H)
				STM	#Flash_2AAA,AL
				STM	#Flash_UL2,BL
				WRITA	*(BL)			; 55H -> (82AAAH)
				STM	#Flash_5555,AL
				STM	#Flash_PRG,BL
				WRITA	*(BL)			; A0H -> (85555H)
				
				POPM	AH			; 恢復地址 
				POPM	AL
				OR	#Flash_base,16,A
				.if	__far_mode
				WRITA	3H			; data -> (addr)
				.else
				WRITA	2H
				.endif
		
write_poll:		READA	*(BL)
				NOP
				NOP
				.if	__far_mode
				XOR	3H,B			; data ^ B
				.else
				XOR	2H,B
				.endif
				NOP
				NOP
				NOP	
				BITF	*(BL),#Polling_Bit
				BC	write_poll,TC		; 查詢寫操作是否完成？
				
			    READA	*(BL)
			    .if	__far_mode
				XOR	3H,B			; data ^ B
				.else
				XOR	2H,B
				.endif
				NOP
				NOP
				NOP
				STM	#ZERO,BH		; 驗證寫操作
				LD	#1,A			; 正確，A = 1
				XC	1,BNEQ
				LD	#0,A			; 錯誤，A = 0
				NOP
				NOP
				NOP
				POPM SWWSR
				.if	__far_mode
				FRET
				.else
				RET
				.endif
		
*********************************************************************************
*										*
* 函數定義：uint _flash_writem(ulong addr, uint * ptr, uint length)   		*
* 功    能：將ptr所指向的數據緩沖區中的length個數據寫入addr所指定的Flash單元	*
*										*