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.module flash.c
.area text
.dbfile F:\01科研~1\編著2005\HC08嵌~1\GP32程序\HC08EX~2\C\C06_FL~1\flash.c
.dbfunc e EarseFlash _EarseFlash fV
; addr -> 2,X
_EarseFlash::
.dbline -1
tsx
.dbline 30
; /*文件描述:本文件包含的子程序為 *
; * 1.void EarseFlash(unsigned int addr) *
; * Flash擦除子程序 *
; * 2.void WriteFlash(unsigned int addr) *
; * Flash寫入子程序 *
; *說 明: *
; * 1.用來暫存寫入或擦除程序的首末地址的變量pbase, *
; * pend;用來暫存待寫入或擦除的Flash首地址faddr; *
; * 用來存放寫入的數據個數N和寫入的數據data[]必須 *
; * 在main函數中定義,否則將出錯 *
; * 2.調用擦/寫子程序之前先將待擦/寫頁的后一頁開始的 *
; * 所有區域寫保護 *
; *-------------《嵌入式應用技術基礎教程》--------------*/
; //[包含頭文件]
; #include "GP32C.h"
; #include <String.h>
; //外部內存變量聲明
; extern unsigned char N,data[];
; extern unsigned int pbase,pend,faddr;
; unsigned char PrgOfRam[]; //存放擦/寫FLASH程序以便執行
; //內部調用函數聲明
; void DoEarseFlash(void);
; void DoWriteFlash(void);
; /*EarseFlash:擦除指定flash的一頁-----------------------*
; *功 能:擦除以addr為首地址的flash一頁 *
; *參 數:addr要擦除的首地址 *
; *返 回:無 *
; *-----------------------------------------------------*/
; void EarseFlash(unsigned int addr)
; {
.dbline 31
; faddr=addr; //擦除flash的首地址
lda 2,X
sta _faddr
lda 3,X
sta _faddr+1
.dbline 33
; //將擦除程序從Flash區拷貝到RAM區PrgOfRam
; asm("ldhx #_DoEarseFlash"); //擦除程序的首地址->HX
ldhx #_DoEarseFlash
.dbline 34
; asm("sthx _pbase"); //HX->內存變量pbase
sthx _pbase
.dbline 35
; asm("ldhx #_EarseFlash_END"); //擦除程序的末地址->HX
ldhx #_EarseFlash_END
.dbline 36
; asm("sthx _pend"); //HX->內存變量pend
sthx _pend
.dbline 37
; memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
lda _pend+1
sub _pbase+1
sta *__r1
lda _pend
sbc _pbase
sta *__r0
lda *__r1
psha
lda *__r0
psha
lda _pbase+1
psha
lda _pbase
psha
lda #<_PrgOfRam
psha
lda #>_PrgOfRam
psha
jsr _memcpy
ais #6
tsx
.dbline 39
; //在RAM區執行擦除程序
; asm("ldhx #_PrgOfRam"); //擦除程序在RAM區的首地址
ldhx #_PrgOfRam
.dbline 40
; asm("jsr ,X"); //執行RAM區域的擦除程序
jsr ,X
.dbline -2
L1:
.dbline 0 ; func end
rts
.dbsym l addr 2 i
.dbend
.dbfunc e DoEarseFlash _DoEarseFlash fV
; i -> 0,X
_DoEarseFlash::
.dbline -1
ais #-1
tsx
.dbline 50
; }
; /*DoEarseFlash:擦除指定flash區-------------------------*
; *功 能: 真正執行擦除addr指向的flash區的操作 *
; *參 數:無 *
; *返 回:無 *
; *內部調用:延時函數delay1 (用嵌入匯編調用) *
; *-----------------------------------------------------*/
; void delay1(void);
; void DoEarseFlash(void)
; {
.dbline 52
; unsigned char i;
; FLCR=0b00000010; //①1->ERASE,0->MASS(頁擦除)
lda #2
sta 0xfe08
.dbline 53
; i=FLBPR; //②讀FLBPR
lda 0xff7e
sta ,X
.dbline 55
; //③任意數->faddr,選中flash頁
; *((volatile unsigned char *)faddr)=68;
lda _faddr+1
sta *__r1
lda _faddr
sta *__r0
lda #68
ldhx *__r0
sta ,x
tsx
.dbline 56
; asm ("bsr _delay1"); //④延時10us
bsr _delay1
.dbline 57
; FLCR=0b00001010; //⑤1->HVEN (加高壓)
lda #10
sta 0xfe08
.dbline 58
; asm ("bsr _delay1"); //延時時間必須>1.6ms
bsr _delay1
.dbline 59
; FLCR=0b00001000; //⑦0->Erase
lda #8
sta 0xfe08
.dbline 60
; asm ("bsr _delay1"); //⑧10us
bsr _delay1
.dbline 61
; FLCR=0b00000000; //⑨0->HVEN(取消高壓)
clra
sta 0xfe08
.dbline 62
; asm ("bsr _delay1"); //⑩延時10us
bsr _delay1
.dbline -2
L2:
ais #1
.dbline 0 ; func end
rts
.dbsym l i 0 c
.dbend
.dbfunc e delay1 _delay1 fV
; j -> 0,X
_delay1::
.dbline -1
ais #-1
tsx
.dbline 65
; }
; void delay1(void) //延時一定時間,供上述程序調用
; { unsigned char j;
.dbline 66
clr ,X
bra L7
L4:
.dbline 66
L5:
.dbline 66
inc ,X
L7:
.dbline 66
; for (j=0;j<10;j++); }
lda ,X
cmp #10
blo L4
.dbline -2
L3:
ais #1
.dbline 0 ; func end
rts
.dbsym l j 0 c
.dbend
.dbfunc e EarseFlash_END _EarseFlash_END fV
_EarseFlash_END::
.dbline -1
.dbline 68
; void EarseFlash_END(void) //擦除程序的末地址
; { }
.dbline -2
L8:
.dbline 0 ; func end
rts
.dbend
.dbfunc e WriteFlash _WriteFlash fV
; addr -> 2,X
_WriteFlash::
.dbline -1
tsx
.dbline 75
; /*WriteFlash:向addr指向的flash區寫入數據---------------*
; *功 能:向指定flash地址寫入數據 *
; *參 數:addr要寫入的首址 *
; *返 回:無 *
; *-----------------------------------------------------*/
; void WriteFlash(unsigned int addr)
; {
.dbline 76
; faddr=addr; //寫入flash的首地址
lda 2,X
sta _faddr
lda 3,X
sta _faddr+1
.dbline 78
; //將寫入程序從Flash區拷貝到RAM區PrgOfRam
; asm("ldhx #_DoWriteFlash"); //寫入程序的首地址->HX
ldhx #_DoWriteFlash
.dbline 79
; asm("sthx _pbase"); //HX->內存變量pbase
sthx _pbase
.dbline 80
; asm("ldhx #_WriteFlash_END");//寫入程序的末地址->HX
ldhx #_WriteFlash_END
.dbline 81
; asm("sthx _pend"); //HX->內存變量pend
sthx _pend
.dbline 83
; //將寫入程序從Flash區拷貝到RAM區PrgOfRam
; memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
lda _pend+1
sub _pbase+1
sta *__r1
lda _pend
sbc _pbase
sta *__r0
lda *__r1
psha
lda *__r0
psha
lda _pbase+1
psha
lda _pbase
psha
lda #<_PrgOfRam
psha
lda #>_PrgOfRam
psha
jsr _memcpy
ais #6
tsx
.dbline 85
; //在RAM區執行寫入程序
; asm("LDHX #_PrgOfRam"); //寫入程序在RAM的首地址
LDHX #_PrgOfRam
.dbline 86
; asm("jsr ,X"); //執行RAM區的寫入程序
jsr ,X
.dbline -2
L9:
.dbline 0 ; func end
rts
.dbsym l addr 2 i
.dbend
.dbfunc e DoWriteFlash _DoWriteFlash fV
; i -> 0,X
; j -> 1,X
_DoWriteFlash::
.dbline -1
ais #-2
tsx
.dbline 96
; }
; /*DoWriteFlash:實際執行的寫入函數----------------------*
; *功 能:調入內存執行擦除指定flash地址的數據 *
; *參 數:無 *
; *返 回:無 *
; *內部調用:延時函數delay2(用嵌入匯編調用) *
; *-----------------------------------------------------*/
; void delay2(void);
; void DoWriteFlash(void)
; {
.dbline 99
; unsigned char i;
; unsigned char j;
; FLCR=0b00000001; //①1->PGM
lda #1
sta 0xfe08
.dbline 100
; i=FLBPR; //②讀FLBPR
lda 0xff7e
sta ,X
.dbline 102
; //③任意數->faddr,選中flash行
; *((volatile unsigned char *)faddr)=56;
lda _faddr+1
sta *__r1
lda _faddr
sta *__r0
lda #56
ldhx *__r0
sta ,x
tsx
.dbline 103
; asm ("bsr _delay2"); //④延時10us
bsr _delay2
.dbline 104
; FLCR=0b00001001; //⑤1->HVEN
lda #9
sta 0xfe08
.dbline 105
; asm ("bsr _delay2"); //⑥延時10us
bsr _delay2
.dbline 107
; //⑦將數據寫入相應的flash地址
; for(i=0;i<N;i++)
clr ,X
bra L14
L11:
.dbline 108
; { //數據送入flash地址
.dbline 109
; *((volatile unsigned char *)faddr+i)=data[i];
clr *__r0
lda ,X
add #<_data
sta *__r1
lda *__r0
adc #>_data
sta *__r0
ldhx *__r0
lda ,x
tsx
sta *__r1
clr *__r2
lda ,X
add _faddr+1
sta *__r3
lda *__r2
adc _faddr
sta *__r2
lda *__r1
ldhx *__r2
sta ,x
tsx
.dbline 110
clr 1,X
bra L18
L15:
.dbline 110
L16:
.dbline 110
inc 1,X
L18:
.dbline 110
lda 1,X
cmp #30
blo L15
.dbline 111
L12:
.dbline 107
inc ,X
L14:
.dbline 107
lda ,X
cmp _N
blo L11
.dbline 112
; for (j=0;j<30;j++); //⑧延時30us,不能調用延時程序
; }
; FLCR=0b00001000; //⑨0->PGM
lda #8
sta 0xfe08
.dbline 113
; asm ("bsr _delay2"); //⑩延時10us
bsr _delay2
.dbline 114
; FLCR=0b00000000; //⑾0->HVEN
clra
sta 0xfe08
.dbline 115
; asm ("bsr _delay2"); //⑿延時6us
bsr _delay2
.dbline -2
L10:
ais #2
.dbline 0 ; func end
rts
.dbsym l i 0 c
.dbsym l j 1 c
.dbend
.dbfunc e delay2 _delay2 fV
; j -> 0,X
_delay2::
.dbline -1
ais #-1
tsx
.dbline 118
; }
; void delay2(void) //延時一定時間
; { unsigned char j;
.dbline 119
clr ,X
bra L23
L20:
.dbline 119
L21:
.dbline 119
inc ,X
L23:
.dbline 119
; for (j=0;j<10;j++); }
lda ,X
cmp #10
blo L20
.dbline -2
L19:
ais #1
.dbline 0 ; func end
rts
.dbsym l j 0 c
.dbend
.dbfunc e WriteFlash_END _WriteFlash_END fV
_WriteFlash_END::
.dbline -1
.dbline 121
; void WriteFlash_END(void) //寫入程序的末地址
; { }
.dbline -2
L24:
.dbline 0 ; func end
rts
.dbend
.area bss
.dbfile F:\01科研~1\編著2005\HC08嵌~1\GP32程序\HC08EX~2\C\C06_FL~1\flash.c
_PrgOfRam::
.blkb 1
.dbsym e PrgOfRam _PrgOfRam A[1:1]c
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