ds18b20的完整程序（c51）

        //DS1820 C51 子程序
        //這里以11.0592M晶體為例，不同的晶體速度可能需要調整延時的時間
        //sbit DQ =P2^1;//根據實際情況定義端口 

        typedef unsigned char byte;
        typedef unsigned int word;

        //延時
        void delay(word useconds)
        {
        for(;useconds>0;useconds--);
        }

        //復位
        byte ow_reset(void)
        {
        byte presence;
        DQ = 0; //pull DQ line low
        delay(29); // leave it low for 480us
        DQ = 1; // allow line to return high
        delay(3); // wait for presence
        presence = DQ; // get presence signal
        delay(25); // wait for end of timeslot
        return(presence); // presence signal returned
        } // 0=presence, 1 = no part

        //從 1-wire 總線上讀取一個字節
        byte read_byte(void)
        {
        byte i;
        byte value = 0;
        for (i=8;i>0;i--)
        {
        value>>=1;
        DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot
        DQ = 1; // then return high
        delay(1); //for (i=0; i<3; i++); 
        if(DQ)value|=0x80;
        delay(6); // wait for rest of timeslot
        }
        return(value);
        }

        //向 1-WIRE 總線上寫一個字節
        void write_byte(char val)
        {
        byte i;
        for (i=8; i>0; i--) // writes byte, one bit at a time
        {
        DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot
        DQ = val&0x01;
        delay(5); // hold value for remainder of timeslot
        DQ = 1;
        val=val/2;
        }
        delay(5);
        }

        //讀取溫度
        char Read_Temperature(void)
        {
        union{
        byte c[2];
        int x;
        }temp;

        ow_reset();
        write_byte(0xCC); // Skip ROM
        write_byte(0xBE); // Read Scratch Pad
        temp.c[1]=read_byte();
        temp.c[0]=read_byte();
        ow_reset();
        write_byte(0xCC); //Skip ROM
        write_byte(0x44); // Start Conversion
        return temp.x/2;
        }