#include "SPCE061V004.h"
//10.3.3 內部 FLASH 的讀寫程序 
//32K 字的內部 FLASH 被劃分為 128 個 PAGE(每個 PAGE 存儲容量為 256 字)，
//第一頁 [0x8000—0x80ff]最后一頁為[0xff00—0xffff]。全部 32K 字閃存均可被編程寫入
//或被擦除。上電以后，芯片就處于讀存儲單元狀態，讀存儲單元的操作與 SRAM 相同。
//函數SP_ReadWord()實現的功能是從內部 FLASH 中讀出一個 Word，參數為 FLASH 地址，
//返回值為該地址存放的數據。
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unsigned int SP_ReadWord(unsigned int addr) 
{ 
  unsigned int *ADDR,data; 
  ADDR=(unsigned int*)addr; 
  data=*ADDR; 
  return data; 
} //內部 FLASH 的讀寫程序 
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//和讀 FLASH 相比，擦寫就麻煩一點了。圖 10.11 說明了擦寫的過程。需要指出一
//點，圖中所提到延時等待是由硬件完成不需要軟件延時。
 
//SP_PageErase()為頁擦除函數。 
//用 C 語言實現 SP_PageErase()的代碼如下： 
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void SP_PageErase(unsigned int addr) 
{ 
  unsigned int *ADDR; 
 ADDR=(unsigned int*)addr; 
  *P_Flash_Ctrl=0xAAAA;   
  *P_Flash_Ctrl=0x5511; 
 *ADDR=1; 
} 
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//SP_WriteWord()的功能是往 FLASH 寫一個 Word 的數據，該函數有兩個參數，第
//一個是 FLASH 地址，第二個是要寫入的數據。 
//用 C 語言實現 SP_WriteWord()的代碼如下： 
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void SP_WriteWord(unsigned int addr,unsigned int data) 
{ 
  unsigned int *ADDR; 
 ADDR=(unsigned int*)addr; 
  *P_Flash_Ctrl=0xAAAA;   
  *P_Flash_Ctrl=0x5533; 
 *ADDR=data; 
} 
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