//[Flash.c]Flash擦寫-------------------------------------------------------*
//本文件包含:                                                              *
//    (1)Flash_Erase_Sector:擦除一個指定的扇區                             *
//    (2)Flash_Write_Nword:向一個指定的區域寫入若干個字                    *
//    (3)Flash_unsecured:使用后門機制解除Flash的安全狀態                   *
//    (4)Flash_SetKey:設置后門鑰匙                                         *
//    (5)Flash_SetStatus:設置Flash的安全狀態                               *
//-------------------------------------------------------------------------*

//頭文件
#include  "Flash.h"    //Flash擦寫頭文件

//內部調用函數聲明
void Erase_Write_Pretreat(INT8U page);   //擦寫子函數內部調用的函數聲明

//頁所對應的塊對照表
//兩個flash塊,每塊4頁           flash0                flash1        
const INT8U pagetable[2][4] = {{0x3C,0x3D,0x3E,0x3F},{0x38,0x39,0x3A,0x3B}};

//Flash_Erase_Sector:擦除指定的扇區----------------------------------------*
//功  能:對頁號為page,扇區首地址為addr的一個扇區進行擦除                   *
//參  數:page--頁號(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)               *
//       addr--扇區首地址(偶數)                                            *
//返  回:無                                                                *
//注  意:調用該函數之前,必須確定要擦除的區域可擦除                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Erase_Sector(INT8U page,INT16U addr)
{
    //1 判斷是否已分頻、清相關錯誤標志、根據頁號選擇相應的flash塊 
    Erase_Write_Pretreat(page);    //擦寫子函數共同調用的內部子函數
    //2 向要擦除的扇區首地址寫任意值(注意:經實驗證實,不可以寫0x0000)
    *(INT16U *)addr = 0xFFFF;
    //3 向命令寄存器寫扇區擦除命令
    FCMD = 0x40; 
    //4 在加高壓期間,調用RAM區的機器碼,相當于兩條語句:
    //  FSTAT=0x80; 
    //  while(!(FSTAT&0x40));
    asm("JSR PrgOfRam");
}

//Flash_Write_Nword:向指定的扇區寫入若干個字-------------------------------*
//功  能:將從address_source開始的len個字,寫入頁號為 page,起始地址為        *
//       address_destination的扇區                                         *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//       address_destination--目標扇區首地址(偶數)                         *
//       address_source--源地址                                            *
//       len--字數(一次最多寫入一行,即128個字)                             *
//返  回:無                                                                *
//注  意:調用該函數之前,必須確定要寫入的區域可寫入                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Write_Nword(INT8U page,INT16U address_destination,
                              INT16U address_source,INT8U len)
{
    INT8U m;
    //1 判斷是否已分頻、清相關錯誤標志、根據頁號選擇相應的flash塊 
    Erase_Write_Pretreat(page);   //擦寫子函數共同調用的內部子函數
    //2 寫入若干個字
    for (m=0; m<len; m++)
    {
        //(1) 將源地址的一個字寫入目標地址
        *(INT16U  *)address_destination = *(INT16U  *)address_source;
        //(2) 向命令寄存器寫字寫入命令
        FCMD = 0x20;
        //(3) 在加高壓期間,調用RAM區的機器碼,相當于兩條語句:
        //    FSTAT=0x80; 
        //    while(!(FSTAT&0x40));
        asm("JSR PrgOfRam");
        //(4) 源地址和目標地址同時向后移一個字
        address_destination = address_destination+2;
        address_source = address_source+2;
    }
}

//Erase_Write_Pretreat:開始擦除或寫入前的公共操作序列子函數----------------*
//功  能:判斷是否已分頻;清相關錯誤標志;根據頁號選擇相應的flash塊;如果頁號不*
//       為0,則設置PPAGE寄存器                                             *
//參  數:page--頁映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//返  回:無                                                                *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Erase_Write_Pretreat(INT8U page)
{
    INT8U i,j;
    //1 判斷是否設置時鐘分頻,若無分頻,則先分頻
    if ((FCLKDIV&0x80) == 0) FCLKDIV |= 0x03;
    //2 清保護錯誤和訪問錯誤標志位
    FCNFG |= 0x01;    //FCNFG的第0位置1,選擇BLOCK1
    FSTAT |= 0x30;    //清保護錯誤和訪問錯誤標志位   
    FCNFG &= 0xFE;    //FCNFG的第0位置0,選擇BLOCK0
    FSTAT |= 0x30;    //清保護錯誤和訪問錯誤標志位
    //3 查表、選擇塊號,如果頁號不為0就設置頁寄存器
    if (page != 0)
    {
        for (i = 0;i < 2;i++)
        {
            for (j = 0;j < 4;j++)
            {
                if (page == pagetable[i][j])
                    break;
            }
            if (j < 4)
                break;
        }
        if (i == 0)  FCNFG &= 0xFE;    //頁號3C~3F,選擇BLOCK0
        if (i == 1)  FCNFG |= 0x01;    //頁號38~3B,選擇BLOCK1
        PPAGE = page;    //設置頁寄存器
    }
}

//Flash_unsecured:使用后門機制解除Flash的安全狀態--------------------------*
//功  能:使用后門鑰匙解除Flash的安全狀態                                   *
//參  數:key[8]--8個字節的后門鑰匙                                         *
//返  回:無                                                                *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_unsecured(INT8U key[8])
{
    //1 判斷是否設置時鐘分頻,若無分頻,則先分頻
    if ((FCLKDIV&0x80) == 0)
        FCLKDIV |= 0x03;
    //2 輸入密碼進行匹配
    FCNFG |= 0x20;
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF00,(INT16U)key,4);
    FCNFG &= 0xCF;
}

//Flash_SetKey:設置后門鑰匙------------------------------------------------*
//功  能:設置后門鑰匙                                                      *
//參  數:key[8]--8個字節的后門鑰匙                                         *
//返  回:無                                                                *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_SetKey(INT8U key[8])
{
    INT8U i;
    INT8U Sbyte[2];
    INT8U vec[128];
    //1 判斷是否設置時鐘分頻,若無分頻,則先分頻
    if ((FCLKDIV&0x80) == 0)
        FCLKDIV |= 0x03;
    //2 將安全字節保存到Sbyte
    Sbyte[1]=*(INT8U  *)0xFF0F;
    //3 將向量區的字節搬到vector數組中
    for(i=0;i<128;i++)
        vec[i]=*(INT8U  *)(0xFF80+i);
    //4 擦除后門鑰匙所在的扇區
    Flash_Erase_Sector(0X00,0xFF0E);
    //5 將要設置的后門機制密碼寫入到0xFF00開始的8個字節中
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF00,(INT16U)key,4);
    //6 將Sbyte中的值重新寫入到Flash的安全字節中
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF0E,(INT16U)Sbyte,1);
    //7 將vector數組中的向量字節重新寫入到Flash的向量區
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF80,(INT16U)vec,64);
}

//Flash_SetStatus:設置Flash的安全狀態--------------------------------------*
//功  能:設置Flash的安全狀態                                               *
//參  數:Sbyte[2]--其中Sbyte[1]中放的是安全字節，Sbyte[0]中放0xFF          *
//返  回:無                                                                *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_SetStatus(INT8U Sbyte[2])
{
    INT8U i;
    INT8U vec[128];
    INT8U key[8];
    //1判斷是否設置時鐘分頻,若無分頻,則先分頻
    if ((FCLKDIV&0x80) == 0)
        FCLKDIV |= 0x03;
    //2 將安全字節搬到key數組中
    for(i=0;i<8;i++)
        key[i]=*(INT8U  *)(0xFF00+i);
    //3 將向量區的字節搬到vector數組中
    for(i=0;i<128;i++)
        vec[i]=*(INT8U  *)(0xFF80+i);
    //4 擦除安全字節所在的扇區
    Flash_Erase_Sector(0X00,0xFF0E);
    //5 設置安全字節
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF0E,(INT16U)Sbyte,1);
    //6 將key數組中的數據重新寫入Flash的0xFF00開始的8個安全字節中
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF00,(INT16U)key,4);
    //7 將vector數組中的向量字節重新寫入到Flash的向量區
    Flash_Write_Nword(0x00,0xFF80,(INT16U)vec,64);
}