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一鍵通

  • 一種單相電路無功電流實時檢測新方法的研究

    一種單相電路無功電流實時檢測新方法的研究

    標簽： 單相 電路 無功電流 實時檢測

    上傳時間： 2013-10-28

    上傳用戶：穿著衣服的大衛

  • 反激式控制器簡化了低輸入電壓DCDC轉換器的設計

    LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓，但可通過采用一個 VCC 穩壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。

    標簽： DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器

    上傳時間： 2013-11-01

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  • DN505 - 雙通道控制器可為1.5V電壓軌提供2us階躍響應和92%效率

    LTC®3838 是一款雙輸出、兩相降壓型控制器，其采用一種受控恒定導通時間、谷值電流模式架構，可提供快速負載階躍響應、高開關頻率和低占空比能力。開關頻率范圍為 200kHz 至 2MHz，其鎖相環可在穩態操作期間保持固定頻率，并可同步至一個外部時鐘

    標簽： 505 1.5 2us 92%

    上傳時間： 2013-11-09

    上傳用戶：uuuuuuu

  • 一種非常實用的Boost升壓電路原理詳解

    一種非常實用的Boost升壓電路原理詳解

    標簽： Boost 升壓 電路原理

    上傳時間： 2013-10-29

    上傳用戶：gundan

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • 一種平均電流控制型開關調節系統的建模

    文中對BUCK型DC_DC變換器進行了系統建模。為了得到包含平均電流調節開關控制方式的雙環控制系統的簡化模型，提出了一種電流環閉環傳遞函數的近似函數，并分別對電流控制器，電流補償網絡和功率級進行了建模，采用Mathcad進行仿真，得到系統相位裕度達到54°的結果。

    標簽： 電流控制 開關調節系統 建模

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：lunshaomo

  • 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計

    利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽： LDO 無片外電容 瞬態 電路設計

    上傳時間： 2013-12-20

    上傳用戶：niumeng16

  • 內高頻環逆變器的設計

    本文主要研究了一種比較簡單的正弦輸出的逆變器的設計。本設計采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設計方法來獲得較大的輸出功率和較高的功率因數.在直流升壓過程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來控制開關管的導通與關斷，進而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓，再利用SPWM調制信號控制逆變器開關管的導通與關斷，再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分，得到正弦波形，最后利用保護控制電路使逆變輸出一個穩定的滿足要求的交流波形。

    標簽： 高頻 逆變器

    上傳時間： 2013-10-20

    上傳用戶：acwme

  • 一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

    標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源

    上傳時間： 2014-12-03

    上傳用戶：88mao

  • 一種實驗用直流穩壓電源的設計

    在分析直流穩壓電源存在問題的基礎上，設計并制作了一種以AT89C51為核心的智能直流穩壓電源。該電源采用數字調節和輸出精度高，且兼具完善的保護功能，成本低，同時控制系統在軟件上還可以進一步改進，不需要增加硬件成本，從而提高穩壓電源的性價比。

    標簽： 實驗 直流穩壓電源

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：1397412112

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