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中斷方式

Atmel 系列UART & USART範例程式,Polling與中斷兩種方式

Atmel 系列UART & USART範例程式,Polling與中斷兩種方式

標簽： Polling Atmel USART UART

上傳時間： 2015-11-22

上傳用戶：凌云御清風
本程序實現多中kcluster方式

本程序實現多中kcluster方式，并對最新k方式進行了編程，并采用隨機采樣方式

標簽： kcluster 程序方式

上傳時間： 2014-12-04

上傳用戶：qq521
用來設定中斷TIMER0把計算出來的秒數輸出

用來設定中斷TIMER0把計算出來的秒數輸出

標簽： TIMER0

上傳時間： 2015-11-08

上傳用戶：ddddddos
c8051f330 uart 可以使用中斷唷~

c8051f330 uart 可以使用中斷唷~

標簽： c8051f330 uart

上傳時間： 2014-08-31

上傳用戶：金宜
利用PIC18f452系列寫的計時器中斷練習程式

利用PIC18f452系列寫的計時器中斷練習程式，其中包含了如何進入SLEEP的範例解說。

標簽： f452 PIC 18f 452

上傳時間： 2016-10-08

上傳用戶：cx111111
這個程序包包括對兩款常用的LCD的串行和并行2中驅動方式: HDG12864液晶仿真 HY12864液晶驅動 HY12864液晶閱讀器 LCD1602液晶顯示 LCD顯示PC-MCU串口通信

這個程序包包括對兩款常用的LCD的串行和并行2中驅動方式: HDG12864液晶仿真 HY12864液晶驅動 HY12864液晶閱讀器 LCD1602液晶顯示 LCD顯示PC-MCU串口通信 FYD12864并行8位.c FYD12864并行8位.c

標簽： 12864 LCD PC-MCU 1602

上傳時間： 2017-05-06

上傳用戶：lunshaomo
mircochip dsPIIC30F 晶片使用中斷去控制的範例

mircochip dsPIIC30F 晶片使用中斷去控制的範例

標簽： mircochip dsPIIC 30F 30

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：mpquest
STM32在RVMDK中入門講解之安裝目錄說明

cortex在rvmdk中設置方式，及STM32在RVMDK中入門講解之開發環境的建立

標簽： RVMDK STM 32 目錄

上傳時間： 2013-06-10

上傳用戶：sh19831212
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

標簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：ewtrwrtwe