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互感器、CT/PT

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • ADC采樣信息ADM1275、ADM1276、ADM1075

    ADM1275、ADM1276和ADM1075均共用同樣的基本模數轉換器(ADC)內核和PMBus接口。這些器件在平均計算和ADC寄存器更新方面存在一些細微差異。從ADM1275、ADM1276或ADM1075器件快速讀取數據時，也需要考慮一些因素和限制。本應用筆記介紹了每種器件的ADC操作，以及如何將其數據速率提到最高(如需要)。

    標簽： ADM 1275 1075 1276

    上傳時間： 2013-10-09

    上傳用戶：agent

  • 模電、數電所必備的電路基礎知識

    模電、數電所必備的電路基礎知識

    標簽： 模電 數電 基礎知識 電路

    上傳時間： 2013-10-17

    上傳用戶：風之驕子

  • 采用FemtoCharge技術的高速、高分辨率、低功耗的新一代ADC

    先進的系統架構和集成電路設計技術，使得模數轉換器 (ADC) 制造商得以開發出更高速率和分辨率，更低功耗的產品。這樣，當設計下一代的系統時，ADC設計人員已經簡化了很多系統平臺的開發。例如，同時提高ADC采樣率和分辨率可簡化多載波、多標準軟件無線電系統的設計。這些軟件無線電系統需要具有數字采樣非常寬頻范圍，高動態范圍的信號的能力，以同步接收遠、近端發射機的多種調制方式的高頻信號。同樣，先進的雷達系統也需要提高ADC采樣率和分辨率，以改善靈敏度和精度。在滿足了很多應用的具體需求，ADC的主要性能有了很大的提高的同時，ADC的功耗也有數量級的下降，進一步簡化了系統散熱設計和更小尺寸產品的設計。

    標簽： FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗

    上傳時間： 2013-10-22

    上傳用戶：meiguiweishi

  • 數電五版習題、數電四版教師手冊、電路考研例題

    數電五版習題、數電四版教師手冊、電路考研例題

    標簽： 數電 電路

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：如果你也聽說

  • XTR105_BURR-BROWN_273961

    XTR105、XTR112、XTR114是美國Burr－Brown公司在傳感器領域推出的用于RTD的兩線制專用集成變送電路，這個電路的突出優點是可以對Pt電阻中的二次項進行線性化補償。文章介紹了它們的工作原理及其在一體化溫度變送器中的應用。 關鍵詞：XTR；RTD；線性化；溫度變送器

    標簽： BURR-BROWN 273961 XTR 105

    上傳時間： 2014-02-17

    上傳用戶：mahone

  • 計算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電

    計算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電。

    標簽： 有源濾波 計算 二階 充放電

    上傳時間： 2013-11-17

    上傳用戶：hgmmyl

  • OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    標簽： 2227 OPA 高精度 低噪聲

    上傳時間： 2013-11-09

    上傳用戶：zxh122

  • 555芯片用于組成單穩態觸發器、施密特觸發器以及多諧振蕩器

    555芯片用于組成單穩態觸發器、施密特觸發器以及多諧振蕩器。

    標簽： 555 芯片 單穩態觸發器 施密特觸發器

    上傳時間： 2013-10-19

    上傳用戶：fredguo

  • CoolMos的原理、結構及制造

    對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。

    標簽： CoolMos 制造

    上傳時間： 2013-11-11

    上傳用戶：小眼睛LSL

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