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低<b>漂移</b>

  • 具有壓縮和噪聲門的低噪聲模擬MEMS麥克風和前置放大器

    本電路用于實現模擬MEMS麥克風與麥克風前置放大器的接口,如圖1所示。ADMP504由一個MEMS麥克風元件和一個輸出放大器組成。ADI公司的MEMS麥克風具有高信噪比(SNR)和平坦的寬帶頻率響應,堪稱高性能、低功耗應用的絕佳選擇。

    標簽: MEMS 低噪聲 模擬 前置放大器

    上傳時間: 2014-01-16

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  • 無功功率自動補償控制器

    1) 全數字化設計,交流采樣,人機界面采用大屏幕點陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實時顯示A、B、C各相功率因數、電壓、電流、有功功率、無功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態、報警等信息。 3) 設置參數中文提示,數字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補償、分相補償、混合補償方案,可通過菜單操作進行設置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼(1:2、 1:2:3、 1:2:4:8…)等投切方式。 6) 具有手動補償/自動補償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口(+12V),動態響應優于20MS。 8) 取樣物理量為無功功率,具有諧波測量及保護功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口,MODBUS標準現場總線協議,方便接入低壓配電系統。

    標簽: 無功功率 控制器 自動補償

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:dancnc

  • Butterworth函數的高階低通濾波器的有源設計

    Butterworth函數的高階低通濾波器的有源設計

    標簽: Butterworth 函數 低通濾波器 有源

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:旗魚旗魚

  • 采用FemtoCharge技術的高速、高分辨率、低功耗的新一代ADC

    先進的系統架構和集成電路設計技術,使得模數轉換器 (ADC) 制造商得以開發出更高速率和分辨率,更低功耗的產品。這樣,當設計下一代的系統時,ADC設計人員已經簡化了很多系統平臺的開發。例如,同時提高ADC采樣率和分辨率可簡化多載波、多標準軟件無線電系統的設計。這些軟件無線電系統需要具有數字采樣非常寬頻范圍,高動態范圍的信號的能力,以同步接收遠、近端發射機的多種調制方式的高頻信號。同樣,先進的雷達系統也需要提高ADC采樣率和分辨率,以改善靈敏度和精度。在滿足了很多應用的具體需求,ADC的主要性能有了很大的提高的同時,ADC的功耗也有數量級的下降,進一步簡化了系統散熱設計和更小尺寸產品的設計。

    標簽: FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:meiguiweishi

  • 模擬信號發生頻率計方法

    ? 計算方法: 1) A值(相位)的計算:根據設置的相位值D(單位為度,0度-360度可設置),由公式A=D/360,得出A值,按四舍五入的方法得出相位A的最終值; 2) B偏移量值的計算:按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5; 3) C峰峰值的計算:按C=VPP/20V*4095;

    標簽: 模擬信號 發生 頻率計

    上傳時間: 2013-11-18

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  • AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內置FM天線的低噪聲放大器

    AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內置FM天線的低噪聲放_大器

    標簽: EZ-FM 5007 0.95 CN_V

    上傳時間: 2014-01-14

    上傳用戶:xiaowei314

  • OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    標簽: 2227 OPA 高精度 低噪聲

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:zxh122

  • 小波變換在圖像邊緣檢測中的應用

    目前,被廣泛使用的經典邊緣檢測算子有Sobel算子,Prewitt算子,Roberts算子,Log算子,Canny算子等等。這些算子的核心思想是圖像的邊緣點是相對應于圖像灰度值梯度的局部極大值點。然而,當圖像中含有噪聲時這些算子對噪聲都比較敏感,使得將噪聲作為邊緣點。由于噪聲的干擾,不能檢測出真正的邊緣。一個擁有良好屬性的的邊緣檢測算法是每個研究者的追求。利用小波交換的特點,設計了三次B樣條平滑濾波算子。通過利用這個算子,對利用小波變換來檢測圖像的邊緣進行了一定的研究和理解。

    標簽: 小波變換 圖像邊緣檢測 中的應用

    上傳時間: 2013-10-13

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  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

    標簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 低通濾波器設計

    低通濾波器設計

    標簽: 低通 濾波器設計

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:lyson

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