結合直接數字頻率合成（DDS）和鎖相環（PLL）技術完成了X波段低相噪本振跳頻源的設計。文章通過軟件仿真重點分析了本振跳頻源的低相噪設計方法，同時給出了主要的硬件選擇和詳細電路設計過程。最后對樣機的測試結果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優點，滿足了實際工程應用。
標簽： X波段 跳頻源
上傳時間： 2013-11-12
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介紹了基于AD549高精度快響應低漂移微電流放大器的工作原理、電路設計和制造工藝、詞試技術，該微電流放大器是核反應堆反應性測量的關鍵部件之一，其低噪聲、快響應與低漂移技術是精確測量反應性重要因數之一。
標簽： 低漂移 微電流放大器
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：boyaboy
基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構，通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網絡，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達24dB；噪聲系數小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26．5GHz本地多點通信系統中．
標簽： MMIC 增益 低噪聲放大器 波段
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：masochism
設計一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對電路的頻率特性、特征參量等進行了仿真分析,仿真結果與理論設計一致,為有源濾波器的電路設計提供了EDA手段和依據。
標簽： 二階 有源低通濾波 電路分析
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凌力爾特數字系統的線性電路—凌力爾特一直致力服務全球模擬產品用戶，滿足日益增長的嚴格模擬產品設計的需求。公司具有超強的創新能力，每年推出的新產品超過200款，該公司產品的應用領域包括電信、蜂窩電話、網絡產品、筆記本電腦和臺式電腦等等。
標簽： 凌力爾特 數字系統 線性電路
上傳用戶：haohaoxuexi
提出了一種應用于CSTN-LCD系統中低功耗、高轉換速率的跟隨器的實現方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高壓工藝SPICE模型的仿真結果表明，在典型的轉角下，打開2個輔助模塊時，靜態功耗約為35 μA；關掉輔助模塊時，主放大器的靜態功耗為24 μA。有外接1 μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為10 μs；沒有外接1μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為13μs。驗證表明，該跟隨器能滿足CSTN-LCD系統低功耗、高轉換速率性能要求。
標簽： 低功耗 跟隨器
上傳時間： 2013-11-18
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為解決ISM頻段低噪聲放大器降低失配與減小噪聲之間的矛盾,提出了一種改善放大器性能的設計方法.分析了單項參數的變化規律,提出了提高綜合性能的方法,給出了放大器封裝模型的電路結構.對射頻放大器SP模型和封裝模型進行仿真.仿真結果表明,輸入和輸出匹配網絡對放大器的性能有影響,所提出的設計方法能有效分配性能指標,為改善ISM頻段低噪聲放大器的性能提出了一種新的途徑
標簽： ISM 頻段 低噪聲放大器 設計方法
上傳時間： 2013-11-10
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文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路，該電路結構小巧（20 mm ×13 mm ，厚度為0.6 mm），功能可靠、穩定。放大器芯片采用3SK318YB，該芯片具有高增益、低噪聲等特點。電路主要用于超高頻段微波通信，電路拓撲結構采用反饋型、穩定衰減器法和低端增益衰減法進行設計。生產成品并經測試，該產品性價比高，完全達到了設計要求
標簽： 超高頻 窄帶 低噪聲放大器
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：xja31415
今天，電視機與視訊轉換盒應用中的大多數調諧器采用的都是傳統單變換MOPLL概念。這種調諧器既能處理模擬電視訊號也能處理數字電視訊號，或是同時處理這兩種電視訊號(即所謂的混合調諧器)。在設計這種調諧器時需考慮的關鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實現超低成本調諧器參考設計。這種單芯片ULC調諧器整合了射頻和中頻電路，可工作在5V或3.3V，功耗可降低34%。設計采用一塊單層PCB，進一步降低了系統成本，同時能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號，可支持幾乎全球所有地區標準。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設計單變換調諧器架構圖。該調諧器實際上不僅是一個射頻調諧器，也是一個half NIM，因為它包括了中頻模塊。射頻輸入訊號透過一個簡單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進行分離。該設計沒有采用PIN二極管進行頻段切換，而是采用一個非常簡單的三工電路進行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對預選訊號進行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個VHF頻段。在接下來的調諧后帶通濾波器電路中，則進行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號的抑制。前級追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補償電路就是專門用來抑制影像頻率。
標簽： PCB 調諧器
上傳時間： 2013-11-19
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
標簽： 封裝 IC封裝 制程
上傳時間： 2014-01-20
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