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低壓電力線

X波段低相噪跳頻源的設(shè)計(jì)

結(jié)合直接數(shù)字頻率合成（DDS）和鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計(jì)。文章通過軟件仿真重點(diǎn)分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計(jì)方法，同時(shí)給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計(jì)過程。最后對(duì)樣機(jī)的測(cè)試結(jié)果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，滿足了實(shí)際工程應(yīng)用。

標(biāo)簽： X波段跳頻源

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：jiwy
快響應(yīng)低漂移微電流放大器的設(shè)計(jì)

介紹了基于AD549高精度快響應(yīng)低漂移微電流放大器的工作原理、電路設(shè)計(jì)和制造工藝、詞試技術(shù)，該微電流放大器是核反應(yīng)堆反應(yīng)性測(cè)量的關(guān)鍵部件之一，其低噪聲、快響應(yīng)與低漂移技術(shù)是精確測(cè)量反應(yīng)性重要因數(shù)之一。

標(biāo)簽： 低漂移微電流放大器

上傳時(shí)間： 2013-10-25

上傳用戶：boyaboy
高增益K波段MMIC低噪聲放大器

基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計(jì)中采用了三級(jí)級(jí)聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級(jí)源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級(jí)電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個(gè)放大器都有較高的動(dòng)態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．

標(biāo)簽： MMIC 增益低噪聲放大器波段

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：masochism
二階有源低通濾波電路分析

設(shè)計(jì)一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對(duì)電路的頻率特性、特征參量等進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果與理論設(shè)計(jì)一致,為有源濾波器的電路設(shè)計(jì)提供了EDA手段和依據(jù)。

標(biāo)簽： 二階有源低通濾波電路分析

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：名爵少年
凌力爾特?cái)?shù)字系統(tǒng)的線性電路

凌力爾特?cái)?shù)字系統(tǒng)的線性電路—凌力爾特一直致力服務(wù)全球模擬產(chǎn)品用戶，滿足日益增長(zhǎng)的嚴(yán)格模擬產(chǎn)品設(shè)計(jì)的需求。公司具有超強(qiáng)的創(chuàng)新能力，每年推出的新產(chǎn)品超過200款，該公司產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域包括電信、蜂窩電話、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品、筆記本電腦和臺(tái)式電腦等等。

標(biāo)簽： 凌力爾特數(shù)字系統(tǒng) 線性電路

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：haohaoxuexi
低功耗高速跟隨器的設(shè)計(jì)

提出了一種應(yīng)用于CSTN-LCD系統(tǒng)中低功耗、高轉(zhuǎn)換速率的跟隨器的實(shí)現(xiàn)方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高壓工藝SPICE模型的仿真結(jié)果表明，在典型的轉(zhuǎn)角下，打開2個(gè)輔助模塊時(shí)，靜態(tài)功耗約為35 μA；關(guān)掉輔助模塊時(shí)，主放大器的靜態(tài)功耗為24 μA。有外接1 μF的大電容時(shí)，屏幕上的充放電時(shí)間為10 μs；沒有外接1μF的大電容時(shí)，屏幕上的充放電時(shí)間為13μs。驗(yàn)證表明，該跟隨器能滿足CSTN-LCD系統(tǒng)低功耗、高轉(zhuǎn)換速率性能要求。

標(biāo)簽： 低功耗跟隨器

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：kxyw404582151
一種新的ISM頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法

為解決ISM頻段低噪聲放大器降低失配與減小噪聲之間的矛盾,提出了一種改善放大器性能的設(shè)計(jì)方法.分析了單項(xiàng)參數(shù)的變化規(guī)律,提出了提高綜合性能的方法,給出了放大器封裝模型的電路結(jié)構(gòu).對(duì)射頻放大器SP模型和封裝模型進(jìn)行仿真.仿真結(jié)果表明,輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)對(duì)放大器的性能有影響,所提出的設(shè)計(jì)方法能有效分配性能指標(biāo),為改善ISM頻段低噪聲放大器的性能提出了一種新的途徑

標(biāo)簽： ISM 頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法

上傳時(shí)間： 2013-11-10

上傳用戶：909000580
超高頻窄帶單級(jí)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路，該電路結(jié)構(gòu)小巧（20 mm ×13 mm ，厚度為0.6 mm），功能可靠、穩(wěn)定。放大器芯片采用3SK318YB，該芯片具有高增益、低噪聲等特點(diǎn)。電路主要用于超高頻段微波通信，電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用反饋型、穩(wěn)定衰減器法和低端增益衰減法進(jìn)行設(shè)計(jì)。生產(chǎn)成品并經(jīng)測(cè)試，該產(chǎn)品性價(jià)比高，完全達(dá)到了設(shè)計(jì)要求

標(biāo)簽： 超高頻窄帶低噪聲放大器

上傳時(shí)間： 2013-11-03

上傳用戶：xja31415
用單層PCB設(shè)計(jì)超低成本混合調(diào)諧器

今天，電視機(jī)與視訊轉(zhuǎn)換盒應(yīng)用中的大多數(shù)調(diào)諧器采用的都是傳統(tǒng)單變換MOPLL概念。這種調(diào)諧器既能處理模擬電視訊號(hào)也能處理數(shù)字電視訊號(hào)，或是同時(shí)處理這兩種電視訊號(hào)(即所謂的混合調(diào)諧器)。在設(shè)計(jì)這種調(diào)諧器時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對(duì)外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調(diào)諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實(shí)現(xiàn)超低成本調(diào)諧器參考設(shè)計(jì)。這種單芯片ULC調(diào)諧器整合了射頻和中頻電路，可工作在5V或3.3V，功耗可降低34%。設(shè)計(jì)采用一塊單層PCB，進(jìn)一步降低了系統(tǒng)成本，同時(shí)能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號(hào)，可支持幾乎全球所有地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設(shè)計(jì)單變換調(diào)諧器架構(gòu)圖。該調(diào)諧器實(shí)際上不僅是一個(gè)射頻調(diào)諧器，也是一個(gè)half NIM，因?yàn)樗酥蓄l模塊。射頻輸入訊號(hào)透過一個(gè)簡(jiǎn)單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進(jìn)行分離。該設(shè)計(jì)沒有采用PIN二極管進(jìn)行頻段切換，而是采用一個(gè)非常簡(jiǎn)單的三工電路進(jìn)行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調(diào)諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對(duì)預(yù)選訊號(hào)進(jìn)行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個(gè)VHF頻段。在接下來的調(diào)諧后帶通濾波器電路中，則進(jìn)行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號(hào)的抑制。前級(jí)追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補(bǔ)償電路就是專門用來抑制影像頻率。

標(biāo)簽： PCB 調(diào)諧器

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：ryb
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海