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偏轉(zhuǎn)

N系列射頻同軸連接器

N系列射頻同軸連接器

標簽： 射頻同軸連接器

上傳時間： 2013-06-29

上傳用戶：eeworm
GB-T 2689.4-1981 命試驗和加速壽命試驗的最好線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

GB-T 2689.4-1981 命試驗和加速壽命試驗的最好線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

標簽： 2689.4 GB-T 1981 壽命

上傳時間： 2013-05-18

上傳用戶：eeworm
GB-T 2689.3-1981 壽命試驗和加速壽命試驗的簡單線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

GB-T 2689.3-1981 壽命試驗和加速壽命試驗的簡單線性無偏估計法 (用于威布爾分布)

標簽： 2689.3 GB-T 1981 壽命

上傳時間： 2013-06-14

上傳用戶：eeworm
大型換流變壓器直流偏磁問題的研究.rar

直流偏磁是變壓器的一種非正常工作狀態，是指在變壓器的勵磁電流中出現了直流分量。在直流輸電系統中，由于換流站的工作特性，有直流電流分量流過換流變壓器的繞組，產生直流偏磁現象，這一現象將對換流變壓器的正常運行產生不利的影響，如勵磁電流發生畸變、變壓器鐵心損耗增加及鐵心高度飽和引起的漏磁通增加。因此，從電磁場的角度分析這一現象是必要的。由于鐵磁材料的非線性，不能應用疊加原理分析直流偏磁時的勵磁情況。為此，本文應用了二維瞬態場路直接耦合有限元法，借助大型有限元分析軟件Ansoft，定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器空載運行狀態下的勵磁電流波形情況，結果表明，直流偏磁使鐵心中的磁通密度發生偏移，對應的勵磁電流波形呈現正負半波極不對稱的形狀，并且直流偏磁量越大勵磁電流的畸變越嚴重。在求出直流偏磁量與勵磁電流峰值關系的基礎上，應用一種基于鐵心空載損耗數據的方法，定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器鐵心損耗情況，結果表明，隨著直流偏磁電流的增加，鐵心損耗也會隨之增加，這會導致鐵心溫升上升，嚴重時會導致鐵心局部過熱，影響變壓器的正常運行。在漏磁場分析中，討論了變壓器漏磁場的類型和作用，經過合理簡化，建立了換流變壓器二維漏磁場計算模型，應用二維瞬態場路直接耦合有限元法，分析了不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器漏磁場分布情況，結果表明，隨著直流偏磁量的增加，不同位置處漏磁場分量的變化規律基本不變，但漏磁在增加，且不同位置漏磁分量增加的速率不同。

標簽： 大型變壓器直流偏磁

上傳時間： 2013-06-25

上傳用戶：zxc23456789
單電源運放的偏置原因分析與偏置方法.doc

介紹了單電源運放為什么需要加偏置電源，以及試驗單電源運放的注意事項。

標簽： 單電源分運放

上傳時間： 2013-07-29

上傳用戶：kgylah
用于FPGA的N+0.5分頻代碼

用于FPGA的N+0.5分頻代碼，可以用來進行非整數分頻！

標簽： FPGA 0.5 分頻代碼

上傳時間： 2013-08-06

上傳用戶：weixiao99
多路18b20測溫顯示系統,可同時測量n個第三18b20

多路18b20測溫顯示系統,可同時測量n個第三18b20

標簽： 18b20 多路測溫顯示系統

上傳時間： 2013-08-21

上傳用戶：zhangchu0807
使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

標簽： 128 FlashRom 8051 KB

上傳時間： 2013-08-30

上傳用戶：cainaifa
自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

標簽： CPLD 244 74 HC

上傳時間： 2013-08-31

上傳用戶：dancnc
<快學易用Protel99se>\r\n

\r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

標簽： Protel 99 se

上傳時間： 2013-09-11

上傳用戶：Yukiseop