透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
產品型號(封裝形式): VK3702DM VK3702TM VK3702OM——(SOP8 ) VK3706OM ...
一 產品描述 提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 二 產品特色 1 工作電壓範圍:3.1V – 5.5V 2 工作電流:3mA@5V 3 6個觸摸感應按鍵 4 提供一對一的直接輸...
一.產品描述 提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,輸出為開漏(opendrain)型態,適合作AD鍵。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 二。產品特色 1.工作電壓範圍:3.1V – 5.5V 2.工作電流: 3mA@5V 3.6&...
一.產品描述 提供10個觸摸感應按鍵及兩線式串列界面,並有中斷輸出INT腳與MCU聯繫。特性上對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 二。產品特色 1. 工作電壓範圍:3.1V – 5.5V ...