WIN7操作系統(tǒng)下,protel99se添加元件庫(kù)的操作方法
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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protel99se常用封裝庫(kù)元件&分立元件庫(kù)（三份資料匯總）
標(biāo)簽： protel 99 se 封裝庫(kù)
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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集成元件庫(kù)的創(chuàng)建
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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protel99se元件名系表
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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元件庫(kù)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：王楚楚
數(shù)字與模擬電路設(shè)計(jì)技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外，幾乎所有的電路都是由半導(dǎo)體組件所構(gòu)成，雖然半導(dǎo)體組件高速、高頻化時(shí)會(huì)有EMI的困擾，不過為了充分發(fā)揮半導(dǎo)體組件應(yīng)有的性能，電路板設(shè)計(jì)與封裝技術(shù)仍具有決定性的影響。 模擬與數(shù)字技術(shù)的融合由于IC與LSI半導(dǎo)體本身的高速化，同時(shí)為了使機(jī)器達(dá)到正常動(dòng)作的目的，因此技術(shù)上的跨越競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。雖然構(gòu)成系統(tǒng)的電路未必有clock設(shè)計(jì)，但是毫無(wú)疑問的是系統(tǒng)的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)與成本，以及如何防止噪訊的產(chǎn)生與噪訊外漏等綜合考慮。機(jī)器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號(hào)/小功率信號(hào)、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數(shù)字電路，經(jīng)常出現(xiàn)在同一個(gè)高封裝密度電路板，設(shè)計(jì)者身處如此的環(huán)境必需面對(duì)前所未有的設(shè)計(jì)思維挑戰(zhàn)，例如高穩(wěn)定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時(shí)，如果未將噪訊入侵高穩(wěn)定性電路的對(duì)策視為設(shè)計(jì)重點(diǎn)，事后反復(fù)的設(shè)計(jì)變更往往成為無(wú)解的夢(mèng)魘。模擬電路與高速數(shù)字電路混合設(shè)計(jì)也是如此，假設(shè)微小模擬信號(hào)增幅后再將full scale 5V的模擬信號(hào)，利用10bit A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，由于分割幅寬祇有4.9mV，因此要正確讀取該電壓level并非易事，結(jié)果造成10bit以上的A/D轉(zhuǎn)換器面臨無(wú)法順利運(yùn)作的窘境。另一典型實(shí)例是使用示波器量測(cè)某數(shù)字電路基板兩點(diǎn)相隔10cm的ground電位，理論上ground電位應(yīng)該是零，然而實(shí)際上卻可觀測(cè)到4.9mV數(shù)倍甚至數(shù)十倍的脈沖噪訊(pulse noise)，如果該電位差是由模擬與數(shù)字混合電路的grand所造成的話，要測(cè)得4.9 mV的信號(hào)根本是不可能的事情，也就是說為了使模擬與數(shù)字混合電路順利動(dòng)作，必需在封裝與電路設(shè)計(jì)有相對(duì)的對(duì)策，尤其是數(shù)字電路switching時(shí)，ground vance noise不會(huì)入侵analogue ground的防護(hù)對(duì)策，同時(shí)還需充分檢討各電路產(chǎn)生的電流回路(route)與電流大小，依此結(jié)果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實(shí)例都是設(shè)計(jì)模擬與數(shù)字混合電路時(shí)經(jīng)常遇到的瓶頸，如果是設(shè)計(jì)12bit以上A/D轉(zhuǎn)換器時(shí)，它的困難度會(huì)更加復(fù)雜。
標(biāo)簽： 數(shù)字 模擬電路 設(shè)計(jì)技巧
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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LVDS(低壓差分信號(hào))標(biāo)準(zhǔn)ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應(yīng)用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點(diǎn)及其PCB (印制電路板)設(shè)計(jì),糾正了某些錯(cuò)誤認(rèn)識(shí)。應(yīng)用傳輸線理論分析了單線阻抗、雙線阻抗及LVDS差分阻抗計(jì)算方法,給出了計(jì)算單線阻抗和差分阻抗的公式,通過實(shí)際計(jì)算說明了差分阻抗與單線阻抗的區(qū)別,并給出了PCB布線時(shí)的幾點(diǎn)建議。關(guān)鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計(jì)算, PCB設(shè)計(jì) LVDS (低壓差分信號(hào))是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標(biāo)準(zhǔn),其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號(hào)輸出邊緣變化很快,其信號(hào)通路表現(xiàn)為傳輸線特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進(jìn)行PCB (印制電路板)設(shè)計(jì)時(shí),超高速PCB設(shè)計(jì)和差分信號(hào)理論就顯得特別重要。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：水中浮云
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
分析并設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于磁耦合諧振的無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)。介紹了無(wú)線電能傳輸技術(shù)，闡述了磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸技術(shù)原理及其優(yōu)越性，分析了磁耦合諧振無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)中傳輸距離d及負(fù)載阻值RL等相關(guān)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)傳輸功率、效率的影響。對(duì)所提出的無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需綜合考慮上述相關(guān)參數(shù)，以達(dá)到傳輸效率、傳輸功率的最優(yōu)化設(shè)計(jì)。同時(shí)驗(yàn)證了理論分析的有效性。
標(biāo)簽： 磁耦合 無(wú)線電能傳輸 諧振
上傳時(shí)間： 2014-01-04
上傳用戶：集美慧
開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)中往往存在兩個(gè)并聯(lián)電源性能參數(shù)不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統(tǒng)的并聯(lián)均流方案來(lái)平均分?jǐn)傠娏鳎@就需要按各個(gè)電源模塊的輸出能力分擔(dān)輸出功率。基于這種靈活性的需要，本設(shè)計(jì)在采用主從設(shè)置法設(shè)計(jì)并聯(lián)均流開關(guān)電源的基礎(chǔ)上新增加了單片機(jī)控制模塊，實(shí)現(xiàn)了分流比可任意調(diào)節(jié)、各模塊電流可實(shí)時(shí)監(jiān)控的半智能化并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)。實(shí)測(cè)結(jié)果表明，該并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)分流比設(shè)置誤差小于0.5%，具有總過流和單路過流保護(hù)功能。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 電流 并聯(lián) 電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：guojin_0704
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