HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流，并能計算有功功率，視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點，適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。
上傳時間： 2022-06-21
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本文把所研制的IGBT驅動保護電路應用在電磁感應加熱系統上，并且針對注塑機的特點設計了一款電磁感應加熱系統。其中包括整流濾波電路、半橋逆變電路、控制電路、驅動電路和溫度、電流等檢測電路。本文的另一個重點分析了IGBT對驅動保護電路的要求，并且研制了一種單管IGBT驅動保護電路和一種IGBT半橋模塊驅動保護電路。單管1GBT驅動電路的功能比較簡單，只具有軟關斷和過流保護功能。而IGBT半橋模塊驅動保護電路功能比較多，具有軟關斷、互鎖、電平轉換、錯誤信號電平轉換、過流保護、供電電壓監視、電源隔離和脈沖隔離電路等保護功能，適用于中大功率的IGBT半橋模塊驅動。在電磁感應加熱部分介紹了電磁感應加熱的工作原理，分析了串并聯諧振逆變器的拓撲結構和特點。根據注塑機的實際應用設計了兩款主電路的拓撲結構，一款是針對小功率部分加熱的拓撲結構，是單管IGBT的拓撲結構，另一款是針對中大功率加熱部分的半橋IGBT拓撲結構。另外介紹了電磁感應加熱的控制電路以及采用模糊PID算法對注塑機料筒進行溫度監控調節。最后通過對系統的仿真和實驗調試表明整個感應加熱系統滿足實際應用要求，運行可靠，適合于再注塑機行業中推廣。最后，總結了本文的研究內容，并在此基礎上對以后的工作做出了簡單的展望。
上傳時間： 2022-06-21
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1，Vs：集射極阻斷電壓在可使用的結溫范圍內，柵極和發射極短路狀況下，集射極最高電壓。手冊里一般為25℃下的數據，隨著結溫的降低，VcEs會逐漸降低。由于模塊內外部的雜散電感，IGBT在關斷時Vcs最容易超過限值2，Poat：最大允許功耗在25℃時，IGBT開關的最大允許功率損耗，即通過結到殼的熱帆所允許的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty為結溫， 為環境溫度。二極管的最大功耗可以用同樣的公式獲得。在這里，順便解釋下這幾個熱阻，Rtice 結到殼的熱阻抗，乘以發熱量獲得結與克的溫差；Rthig芯片熱源到周圍空氣的總熱阻抗，乘以發熱量獲得器件溫升；Rehb芯片結與PCB間的熱阻抗，乘以單板散熱量獲得與單板的溫差。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產生很大的損耗，這些損耗通常表現為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當的散熱裝置，將熱量傳導到外部環境。如果散熱裝置設計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產生的損耗功率Pa、器件允許的結溫T、環境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據Raf-a）求出最大允許的散熱器到環境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續流二極管FWD組成，它們各自發生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅動功耗，即構成IGRT模塊整體發生的損耗。另外，發生損耗的情況可分為穩態時和交換時。對上述內容進行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
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本論文主要研究自激式RF電源的功率控制，主要分為七個部分：第部分主要介紹ICP儀器的發展歷史、RF電源的主流技術路線及國內外研究現狀，指出了存在的部分問題，確立了本文研究主題。第二部分簡介了ICP儀器的系統結構，重點介紹等離子炬光源以及自激式RF電源。首先從系統的角度介紹了ICP儀器的組成及工作原理，然后對等離子矩光源的產生條件及生成機理作了說明，并且對其在點火過程中表現的負載特性作了分析，最后從ICP儀器的分析性能方面說明了它對RF電源的設計要求，明確RF電源的設計指標。第三部分詳細介紹了自激式RF電源的實現原理。按照信號流向首先介紹了作為跟蹤等離子矩特性的振蕩源——鎖相環的原理，分別對其中的鑒相器、環路濾波器、壓控振蕩器和驅動電路等做了詳細介紹。然后介紹了高頻功率放大器的原理，確定了主要元件參數，并介紹了適用于自激式RF電源的電路結構。最后對阻抗匹配原理作了介紹，并重點介紹了集中參數元件匹配網絡。第四部分詳細介紹了本文所做的設計工作，包含軟硬件設計。這部分仍然是按信號流向作說明，根據自激式RF電源的結構特點，針對這幾部分選擇合適的電路結構、元件參數等設計完成鎖相環路、高效率E類推挽功率放大電路以及阻抗匹配網絡。除此之外，還包括電路中的主要信號采樣與檢測、熱設計、電磁兼容設計以及軟件部分的設計說明。第五部分對本文采取的功率控制流程與策略作詳細說明，介紹了如何通過改善控制流程和控制策略以提高RF電源性能。第六部分對所設計的RF電源進行了測試，表明本設計達到了預定的設計指標，說明此方法的可行性與實用性，并且分析了等離子炬的負載變化過程，對RF電源的設計提供了有益的參考。第七部分作了全文總結與展望。所設計RF電源成功點燃等離子炬，期間通過對RF電源的測試，并在ICP-AES整機上進行了系統驗證，測試證明所設計的自激式RF電源與同類電源相比性能有所提升。
上傳時間： 2022-06-23
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設計要求：① 電路輸出功率大于4W，負載8Ω；② 頻率響應 20~20KHz；③ 失真小，輸出波形基本不失真；④輸入阻抗不低于47KΩ；⑤輸入靈敏度為100mV。針對要求，文檔提供設計方案，并對方案進行仿真驗證。仿真通過Multisim軟件。
上傳時間： 2022-06-30
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智能電源排插解決方案，并能測量：交流電壓、電流、有功功率硬件設計
標簽： 智能電源
上傳時間： 2022-06-30
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便攜式數字音頻功率放大器揚聲器電路圖+PCB源文件（PWM D類放大）
上傳時間： 2022-07-03
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逆變器修正波設計資料，含功率板，BOM清單，PCB圖等
上傳時間： 2022-07-08
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EMC測試培訓--端子騷擾電壓、騷擾功率篇
上傳時間： 2022-07-21
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