透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。 ...
CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。 ...
透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress ...
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