本文將探討微控制器與 PSoC (可編程系統單晶片)在數位電視應用上的設計挑戰,並比較微控制器和 PSoC 架構在處理這些挑戰時的不同處,以有效地建置執行。
上傳時間: 2013-11-22
上傳用戶:gengxiaochao
這是一本講述加密解密技術和歷史的科普書。
上傳時間: 2013-06-25
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半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間: 2014-01-20
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一.晶片的作用: 晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成.
標簽: 芯片
上傳時間: 2013-12-10
上傳用戶:離殤
結合大功率LED熱流模型和結構,我們不難看出,影響大功率LED熱阻的主要因素有:1. LED晶片的導熱能力;2. 固晶粘合膠的導熱能力以及粘合的品質;3. 器件(包括晶片)熱通道的長度;4. 灌封材料的熱導能力;5. 熱沉的熱導能力。
上傳時間: 2013-11-11
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LED和LVD無極燈比較誰優誰劣 LED的內在特征決定了它是最理想的光源去代替傳統的光源,它有著廣泛的用途。 體積小 LED基本上是一塊很小的晶片被封裝在環氧樹脂里面,所以它非常的小,非常的輕。 耗電量低 LED耗電非常低,一般來說LED的工作電壓是2-3.6V。工作電流是0.02-0.03A。這就是說:它消耗的電不超過0.1W。 使用壽命長 在恰當的電流和電壓下,LED的使用壽命可達10萬小時。 高亮度、低熱量 比HID或白熾燈更少的熱輻射。 環保 LED是由無毒的材料作成,不像熒光燈含水銀會造成污染,同時LED也可以回收再利用。 堅固耐用 LED是被完全的封裝在環氧樹脂里面,它比燈泡和熒光燈管都堅固。燈體內也沒有松動的部分,這些特點使得LED可以說是不易損壞的。 可控性強 可以實現各種顏色的變化。
上傳時間: 2013-12-13
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采用晶片為nRF24E1,該晶片是工作于全球開放的2.4GHz頻段,125個頻道,高性能單片式無線收發晶片,內置高性能增強型51單片機(4clock),內含4組ADC12bit高速采樣,單片機全速運行時功耗1mA。
上傳時間: 2013-11-05
上傳用戶:wojiaohs
采用晶片為nRF9E5,該晶片是工作在430/868/915Mhz頻段的高性能單片式無線收發晶片,內置高性能增強型51單片機(4clock),內含4組ADC12bit高速采樣,單片機全速運行功耗1mA.
上傳時間: 2013-11-15
上傳用戶:龍飛艇
Xilinx UltraScale™ 架構針對要求最嚴苛的應用,提供了前所未有的ASIC級的系統級集成和容量。 UltraScale架構是業界首次在All Programmable架構中應用最先進的ASIC架構優化。該架構能從20nm平面FET結構擴展至16nm鰭式FET晶體管技術甚至更高的技術,同 時還能從單芯片擴展到3D IC。借助Xilinx Vivado®設計套件的分析型協同優化,UltraScale架構可以提供海量數據的路由功能,同時還能智能地解決先進工藝節點上的頭號系統性能瓶頸。 這種協同設計可以在不降低性能的前提下達到實現超過90%的利用率。 UltraScale架構的突破包括: • 幾乎可以在晶片的任何位置戰略性地布置類似于ASIC的系統時鐘,從而將時鐘歪斜降低達50% • 系統架構中有大量并行總線,無需再使用會造成時延的流水線,從而可提高系統速度和容量 • 甚至在要求資源利用率達到90%及以上的系統中,也能消除潛在的時序收斂問題和互連瓶頸 • 可憑借3D IC集成能力構建更大型器件,并在工藝技術方面領先當前行業標準整整一代 • 能在更低的系統功耗預算范圍內顯著提高系統性能,包括多Gb串行收發器、I/O以及存儲器帶寬 • 顯著增強DSP與包處理性能 賽靈思UltraScale架構為超大容量解決方案設計人員開啟了一個全新的領域。
標簽: UltraScale Xilinx 架構
上傳時間: 2013-11-17
上傳用戶:皇族傳媒
Xilinx UltraScale™ 架構針對要求最嚴苛的應用,提供了前所未有的ASIC級的系統級集成和容量。 UltraScale架構是業界首次在All Programmable架構中應用最先進的ASIC架構優化。該架構能從20nm平面FET結構擴展至16nm鰭式FET晶體管技術甚至更高的技術,同 時還能從單芯片擴展到3D IC。借助Xilinx Vivado®設計套件的分析型協同優化,UltraScale架構可以提供海量數據的路由功能,同時還能智能地解決先進工藝節點上的頭號系統性能瓶頸。 這種協同設計可以在不降低性能的前提下達到實現超過90%的利用率。 UltraScale架構的突破包括: • 幾乎可以在晶片的任何位置戰略性地布置類似于ASIC的系統時鐘,從而將時鐘歪斜降低達50% • 系統架構中有大量并行總線,無需再使用會造成時延的流水線,從而可提高系統速度和容量 • 甚至在要求資源利用率達到90%及以上的系統中,也能消除潛在的時序收斂問題和互連瓶頸 • 可憑借3D IC集成能力構建更大型器件,并在工藝技術方面領先當前行業標準整整一代 • 能在更低的系統功耗預算范圍內顯著提高系統性能,包括多Gb串行收發器、I/O以及存儲器帶寬 • 顯著增強DSP與包處理性能 賽靈思UltraScale架構為超大容量解決方案設計人員開啟了一個全新的領域。
標簽: UltraScale Xilinx 架構
上傳時間: 2013-12-23
上傳用戶:小儒尼尼奧