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型號(hào)簡(jiǎn)介

電流型運(yùn)算放大器在應(yīng)用電路中的特性研究

　　文中簡要介紹了電流型運(yùn)放的特性，著重對電流型運(yùn)放的應(yīng)用電路進(jìn)行測試，研究電流型運(yùn)放的應(yīng)用特性。實(shí)驗(yàn)中，選擇典型電流型運(yùn)放及電壓型運(yùn)放構(gòu)建負(fù)阻變換器、電壓跟隨器和同相比例放大器，通過對此3類應(yīng)用電路的測試，分析、總結(jié)運(yùn)放參數(shù)對特殊應(yīng)用電路的影響，為電路設(shè)計(jì)者在具體電路的設(shè)計(jì)中恰當(dāng)選擇適合的放大器提供參考。

標(biāo)簽： 電流型應(yīng)用電路運(yùn)算放大器

上傳時(shí)間： 2013-10-18

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CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級。

標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻分

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。但是對于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標(biāo)簽： CoolMos 制造

上傳時(shí)間： 2013-11-11

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永久型數(shù)字式電位器X9313及其應(yīng)用

永久型數(shù)字式電位器X9313及其應(yīng)用:

標(biāo)簽： X9313 數(shù)字式電位器

上傳時(shí)間： 2013-11-12

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采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

上傳時(shí)間： 2013-10-11

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p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

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高增益跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

運(yùn)算放大器作為模擬集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，同時(shí)作為DAC校準(zhǔn)電路的一部分，本次設(shè)計(jì)一個(gè)高增益全差分跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器。

標(biāo)簽： 增益運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-10-31

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電壓反饋型運(yùn)算放大器的增益和帶寬

本教程旨在考察標(biāo)定運(yùn)算放大器的增益和帶寬的常用方法。需要指出的是，本討論適用于電壓反饋(VFB)型運(yùn)算放大器——電流反饋(CFB)型運(yùn)算放大器將在以后的教程(MT-034)中討論。

標(biāo)簽： 電壓反饋增益帶寬運(yùn)算放大器

上傳時(shí)間： 2013-11-15

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晶體管代換手冊下載

為使本書成為國內(nèi)目前　　最新、最全、最適用的晶體管　　代換手冊，編者根據(jù)國內(nèi)外　　出版的最新資料，在1992年　　最新增訂版的基礎(chǔ)上，又增　　加了數(shù)千種日本晶體管和數(shù)　　千種歐州晶體管型號及其代　　換的國內(nèi)外型號，并且，還介　　紹了美國1985年以前生產(chǎn)　　的3N型場效應(yīng)管及其代換　　型號。　　本手冊介紹了數(shù)萬種國　　外晶體管（包括部分場效應(yīng)　　管）的型號、用途、極性、主要　　參數(shù)、國外代換型號、國內(nèi)代　　換型號以及具有管腳排列和　　實(shí)際尺寸的外形圖。手冊還　　介紹了中國、國際、美國、日　　本等半導(dǎo)體器件型號命名法　　等內(nèi)容。　　本手冊的特點(diǎn)是：資料　　新穎，型號齊全，查閱方便，　　實(shí)用性強(qiáng)，可供業(yè)余無線電　　愛好者、電子和通訊專業(yè)的　　工人和工程技術(shù)人員使用。

標(biāo)簽： 晶體管代換手冊

上傳時(shí)間： 2013-12-11

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IPC介電常數(shù)測試方法

IPC介電常數(shù)測試方法

標(biāo)簽： IPC 介電常數(shù) 測試方法

上傳時(shí)間： 2013-10-09

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