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基于TMS320F28335的恒流型饋能式電子負載的設計

針對電源設備出廠老化測試電能浪費問題，設計了一種基于TMS320F28335DSP的恒流型饋能式電子負載。描述了一種原邊帶箝位二極管的ZVS移相全橋變換器的工作特點，采用了一種簡便易行的移相波形數字控制方法；基于DC/DC電壓前饋、DC/AC電壓電流雙環控制方法，研制出一臺3.5 kW試驗樣機。實驗結果表明：該系統性能穩定、調節速度快，能很好地滿足測試老化及饋網要求。

標簽： F28335 28335 320F TMS

上傳時間： 2013-10-13

上傳用戶：yd19890720
Q72型晶體管特性圖儀器使用說明書

Q72型晶體管特性圖儀器使用說明書

標簽： Q72 晶體管儀器使用說明書

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：sk5201314
新穎三電平軟開關諧振型DC_DC變換器

該文提出一種新顆的三電平LLc串聯電流諧振型Dc，Dc變換器。每個主開關電壓應力是輸入電壓的一半，并且全范圍實現zvs而不用附加任何電路。整流二極管工作在zcs狀態。該變換器通過_次諧振的手段使得以較小的頻率變化范圍就可以實現較大的輸入輸出調節范圍。整個變換器只需一顆磁元件。

標簽： DC_DC 三電平軟開關諧振

上傳時間： 2013-10-16

上傳用戶：604759954
基于DSP控制的電壓型PWM整流器

采用滯環電流控制方式,以TMS320F2812為控制器組建了電壓型PWM整流器雙閉環自動控制系統。實驗結果表明,該系統具有良好的靜態、動態性能。為設計PWM整流器提供了一定的理論依據。

標簽： DSP PWM 控制電壓型

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：tiantwo
電流型二線制光照強度變送器的設計

現階段對電流型二線制光照強度變送器的研究還相對較少，設計的光照強度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩定，不能輸出標準4~20 mA電流信號的問題。介紹了一種電流型二線制光照強度變送器的設計，其結構由光照強度轉電壓電路、電壓范圍轉換電路、電壓轉電流電路以及穩壓電源產生電路組成。實驗結果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩定可靠地輸出標準4~20 mA電流的特點。

標簽： 電流型二線制光照變送器

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：star_in_rain
電壓驅動型脈寬調制器TL494

電壓驅動型脈寬調制器TL494

標簽： 494 TL 電壓驅動

上傳時間： 2013-10-28

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S8JX開關電源(35/50/100/150-W型)

符合全球標準的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

標簽： S8JX 100 150 35

上傳時間： 2014-04-17

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AC通用輸入(100~240V AC)全球對應型電源1

AC通用輸入(100~240V AC)全球對應型電源1

標簽： 100 240 AC 輸入

上傳時間： 2014-04-15

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主從型IGCT逆變器及其在STATCOM中的應用

本文針對6KV中壓電網三相平衡負載的無功功率補償，結合二極管箝位多電平逆變器和H橋級聯多電平逆變器的特點，提出了一種能夠直接并入電網的新型主從式的逆變器結構：主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器，從逆變器采用三個H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級聯的形式連接，最后構成一個五電平的混聯逆變器。從逆變器負責產生一個方波電壓，構成輸礎正弦電壓的基本成分：主逆變器產生輸出電壓的補償部分以及負責消除低次諧波。對于主逆變器直流側電容電壓的平衡問題，本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法，從而降低了PWM調制時控制方法的復雜性。因為集成門極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優點，主電路選用IGCT作為開關器件。本文詳細分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結構，同時給出了電路參數的確定方法，并對STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進行了理論分析。根據本文提出的主從型逆交器結構特點，建立了基于瞬時無功理論的STATCOM系統動態控制模型，并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結構在消除諧波方面的優越性。

標簽： STATCOM IGCT 逆變器中的應用

上傳時間： 2013-10-31

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NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。

標簽： NIP 非晶硅薄膜太陽能電池

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：wanqunsheng