電子元器件可靠性和失效分析(共40篇)
上傳時(shí)間： 2013-07-15
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電子元器件失效分析技術(shù)與案例
標(biāo)簽： 電子元器件 失效 分析技術(shù) 案例
上傳時(shí)間： 2013-07-18
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電子元器件可靠性和失效分析經(jīng)典文章(共38篇) pdf
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊(cè)-9020M 電子元器件失效分析技術(shù)與案例-31頁(yè)-1.3M.pdf
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專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊(cè)-9020M 電子元器件可靠性和失效分析-共40篇-172頁(yè)-4.0M.pdf
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專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊(cè)-9020M 電子元器件可靠性和失效分析經(jīng)典文章-共40篇-pdf.zip
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由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有工作頻率高、處理功率大和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn),在電力電子設(shè)備、尤其是中大型功率的電力電子設(shè)備中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設(shè)備故障往往會(huì)對(duì)生產(chǎn)帶來(lái)巨大影響和損失,因此,對(duì)IGBT的失效研究具有十分重要的應(yīng)用意義。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基礎(chǔ)上,采用雙極傳輸理論聯(lián)立求解電子和空穴的傳輸方程,得到了穩(wěn)態(tài)時(shí)電子和空穴電流的表達(dá)式,對(duì)造成IGBT失效的各種因素進(jìn)行了詳細(xì)分析。應(yīng)用MATLAB軟件,對(duì)硅參數(shù)的熱導(dǎo)率、載流子濃度、載流子壽命、電子遷移率、空穴遷移率和雙極擴(kuò)散系數(shù)等進(jìn)行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是發(fā)生擎住效應(yīng)以及泄漏電流導(dǎo)致IGBT延緩失效的有用結(jié)論。并且,進(jìn)行了IGBT動(dòng)態(tài)模型的設(shè)計(jì)和仿真,對(duì)IGBT在短路情況下的失效機(jī)理進(jìn)行了深入研究。 考慮到實(shí)際設(shè)備中的IGBT在使用中經(jīng)常會(huì)發(fā)生反復(fù)過(guò)流這一問(wèn)題,通過(guò)搭建試驗(yàn)電路,著重對(duì)反復(fù)過(guò)流對(duì)IGBT可能帶來(lái)的影響進(jìn)行了試驗(yàn)研究,探討了IGBT因反復(fù)過(guò)流導(dǎo)致的累積失效的變化規(guī)律。本文研究結(jié)果對(duì)于正確判斷IGBT失效以及失效程度、進(jìn)而正確判斷和預(yù)測(cè)設(shè)備的可能故障,具有一定的應(yīng)用參考價(jià)值。
上傳時(shí)間： 2013-08-04
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永磁直流微電機(jī)作為一種機(jī)電能量轉(zhuǎn)換器件，隨著永磁新材料的開發(fā)，得到了迅猛的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。作為元器件，它的失效會(huì)關(guān)聯(lián)到相應(yīng)的工作系統(tǒng)和機(jī)構(gòu)的正常運(yùn)作，所以微電機(jī)的壽命可靠性分析和失效研究顯得很重要，是準(zhǔn)確估計(jì)其相關(guān)復(fù)雜工程系統(tǒng)穩(wěn)定可靠性的基礎(chǔ)。 論文基于永磁直流微電機(jī)產(chǎn)品是大批量且生產(chǎn)過(guò)程處于嚴(yán)格的統(tǒng)計(jì)質(zhì)量控制狀態(tài)下，而對(duì)其進(jìn)行可靠性及失效分析。由于在影響微電機(jī)壽命的因素中，有很多屬于隨機(jī)性因素，因此可結(jié)合概率統(tǒng)計(jì)學(xué)原理，運(yùn)用相關(guān)的數(shù)學(xué)工具，來(lái)探討微電機(jī)失效分布函數(shù)的特征、類型和評(píng)價(jià)指標(biāo)。論文針對(duì)微電機(jī)的特征，把一般的可靠性、失效分布類型函數(shù)進(jìn)行整合、變換，運(yùn)用到了微電機(jī)的可靠性分析上。 論文對(duì)微電機(jī)壽命可靠性及失效分析的數(shù)據(jù)處理也作了一些探討。具體包括三個(gè)方面的內(nèi)容：首先是根據(jù)試驗(yàn)測(cè)量結(jié)果，對(duì)預(yù)先假定的可靠性分布模式，即隨機(jī)變量分布規(guī)律進(jìn)行檢驗(yàn)(假設(shè)檢驗(yàn))的方法作了探討；其次是基于試驗(yàn)測(cè)量的樣本值，估計(jì)隨機(jī)分布參數(shù)的數(shù)值和推斷這種估計(jì)的誤差范圍(一定置信水平下)；再次是在預(yù)先根本不知道或不確定分布函數(shù)類型情形下，而根據(jù)壽命試驗(yàn)的測(cè)量數(shù)據(jù)結(jié)果，從中尋找出失效的分布特征，或者尋找出某一數(shù)學(xué)函數(shù)表達(dá)式，在某一確定精度下，運(yùn)用數(shù)值分析原理來(lái)逼近數(shù)據(jù)分布規(guī)律。還結(jié)合微電機(jī)壽命試驗(yàn)的結(jié)果，作了可靠性實(shí)例分析。 論文還針對(duì)微電機(jī)失效的常見(jiàn)主要形式、狀態(tài)，對(duì)組成微電機(jī)的主要零部件從工程應(yīng)用角度作了系統(tǒng)分析。內(nèi)容包括結(jié)合個(gè)人護(hù)理應(yīng)用微電機(jī)的開發(fā)實(shí)例，建立了電刷振動(dòng)分析模型，使用計(jì)算機(jī)軟件模擬分析技術(shù)和激光振動(dòng)測(cè)試技術(shù)，對(duì)微電機(jī)電刷片振動(dòng)作了模擬和實(shí)際測(cè)量的對(duì)比分析，探討了微電機(jī)電刷失效問(wèn)題及改善、優(yōu)化途徑；運(yùn)用材料學(xué)分析方法系統(tǒng)地探索了杯士和換向器設(shè)計(jì)、材料選擇及失效問(wèn)題；運(yùn)用可靠性理論對(duì)電機(jī)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)；并運(yùn)用設(shè)計(jì)編程的電磁場(chǎng)有限元軟件，對(duì)微電機(jī)電磁場(chǎng)進(jìn)行了模擬優(yōu)化設(shè)計(jì)；樣機(jī)的實(shí)際測(cè)量結(jié)果和理論模擬基本吻合，并略為有所提高；還探討了微電機(jī)壽命改善和能力提高的方法。
上傳時(shí)間： 2013-07-18
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功率合成器是大功率固態(tài)高功放的重要組成器件。應(yīng)用散射參數(shù)原理對(duì)功率合成器的合成效率進(jìn)行了研究，對(duì)一路或者幾路功率合成器輸入失效時(shí)的合成效率進(jìn)行了分析，并在某型大功率固態(tài)高功放功率合成器中進(jìn)行了驗(yàn)證。
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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我公司生產(chǎn)的 USBkey 產(chǎn)品所使用的MCU 電路，自2007 年9 月初USBkey 產(chǎn)品開始量產(chǎn)化后，我們對(duì)其部分產(chǎn)品做了電老化試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)該款電路早期失效問(wèn)題達(dá)不到我們要求，上電以后一段時(shí)間內(nèi)失效率為千分之一點(diǎn)五左右。為此，我們從去年10 月到今年2 月對(duì)所生產(chǎn)的產(chǎn)品（已發(fā)出的除外）全部進(jìn)行了電老化篩選，通過(guò)這項(xiàng)工作發(fā)現(xiàn)了一些規(guī)律性的東西，對(duì)提高電子產(chǎn)品的安全可靠性有一定指導(dǎo)意義。2 試驗(yàn)條件的設(shè)定造成電路早期失效的原因很多，從 IC 設(shè)計(jì)到半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝、電路封裝、焊接裝配等生產(chǎn)工序和生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)材料、生產(chǎn)環(huán)境及人為的因素都有可能是成因，作為電路的使用方不可能都顧及到，也不可控。通過(guò)分析，我們認(rèn)為還是著眼于該款電路在完成半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝后，在后部加工中所產(chǎn)生的早期失效問(wèn)題更有針對(duì)性。，因此決定從電路的后部加工工序即封裝、COS 軟件以及產(chǎn)品SMT 加工工藝等方面入手，安排幾種比對(duì)試驗(yàn)并取得試驗(yàn)數(shù)據(jù)，以期找出失效原因。
上傳時(shí)間： 2014-12-28
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