環(huán)境的不斷污染、石油能源的加劇消耗促使純電動車成為了各國各汽車廠商爭相研究的對象。而閥控免維護鉛酸蓄電池（VRLA）憑著其低廉的價格優(yōu)勢占據(jù)了車用蓄電池的大部分市場份額。本文旨在開發(fā)一套完整的VRLA蓄電池管理系統(tǒng)，包括蓄電池狀態(tài)檢測、均衡充放電管理、溫度管理、充放電管理等。 本文首先討論了車用VRLA蓄電池的特性，包括其失效模式、改進方式以及各種充電方法對其物理上的影響。隨后，針對VRLA車用蓄電池，本文著重討論了電動汽車蓄電池的智能管理系統(tǒng)，第三章到第四章詳細介紹了裝載車內(nèi)的管理系統(tǒng)（檢測系統(tǒng)、均衡系統(tǒng)）；第五章著重討論了置于車外的充放電管理系統(tǒng)的設(shè)計和實現(xiàn)。 狀態(tài)檢測系統(tǒng)系統(tǒng)主要包括電池狀態(tài)采集系統(tǒng)以及剩余容量SoC、健康狀態(tài)SoH測量系統(tǒng)。本文針對電動汽車這個特殊應(yīng)用場合，提出了一種新的同時基于AH定律、Peukert方程、溫度修正、SoH以及開路電壓的的容量預(yù)測方法。 均衡充電系統(tǒng)的目的是保持串聯(lián)電池組單體電池容量的均衡。均衡管理系統(tǒng)主要包括控制器、開關(guān)組件以及輔助均衡充電器三個部分。 主充電系統(tǒng)采用的是正負脈沖的充電方式，本系統(tǒng)通過一個全橋雙向DC/DC變流器來實現(xiàn)。主充電器的功率等級為20kW，在本課題組中，這個功率等級較之以往有較大的突破。
上傳時間： 2013-04-24
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金屬氧化物壓敏電阻器（MOV）,簡稱為壓敏電阻器,它以其優(yōu)越的非線性伏安特性，廣泛用作線路、設(shè)備及元器件的過電壓保護和浪涌吸收元件。MOV 雖有卓越的功能和作用，但是它在各種應(yīng)力的作用下,總是會失效的
標簽： 合金 壓敏電阻 產(chǎn)品說明書 溫度保險絲
上傳時間： 2013-05-18
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genesis9.0算號器提供genesis算號器使用視頻。安裝文件一定要放在小寫英文路徑下，中文不行，有大寫字母的英文也不行。1.算號器的只是算gnd的號，要算get的號，需要參考算號器的步驟。注意選擇破解有效時間。2.7天過期，30天過期，永不過期等。注意要用自己機器識別號去算，在get運行彈出來的序號對話框里，有機器識別號。3.安裝完成，啟動時，填寫進入用戶名和密碼時，一定不能用鼠標。直接用回車鍵，否則失效。密碼框內(nèi)的密碼不可見，輸完直接回車，即可進入genesis界面。
上傳時間： 2014-12-23
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靜電放電（ＥＳＤ）是造成大多數(shù)電子元器件或電路系統(tǒng)破壞的主要因素。因此，電子產(chǎn)品中必須加上ＥＳＤ保護，提供ＥＳＤ電流泄放路徑。電路模擬可應(yīng)用于設(shè)計和優(yōu)化新型ＥＳＤ保護電路，使ＥＳＤ保護器件的設(shè)計不再停留于舊的設(shè)計模式。文中討論了器件由ＥＳＤ引起的熱效應(yīng)的失效機理及研究熱效應(yīng)所使用的模型。介紹用于ＥＳＤ模擬的軟件，并對一些相關(guān)模擬結(jié)果進行了分析比較。
上傳時間： 2013-11-05
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由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對整機應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設(shè)計人員提出了幾種在線路設(shè)計中如何抗靜電，以保護CMOS器件不受損傷。
上傳時間： 2013-11-05
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計來進行考慮。
標簽： Construction Strategy ESD of
上傳時間： 2013-11-09
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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根據(jù)汽車發(fā)動機控制芯片的工作環(huán)境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動機控制芯片中的帶隙基準電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準電壓源結(jié)構(gòu)，具有適應(yīng)低電源電壓、電源抑制比高的特點。同時還提出一種使用不同溫度系數(shù)的電阻進行高階補償?shù)姆椒ǎ瑢崿F(xiàn)了較寬溫度范圍內(nèi)的低溫度系數(shù)。仿真結(jié)果表明，該帶隙基準電路在-50℃~+125℃的溫度范圍內(nèi)，實現(xiàn)平均輸出電壓誤差僅5.2 ppm/℃，可用于要求極端嚴格的發(fā)動機溫度環(huán)境。該電路電源共模抑制比最大為99 dB，可以有效緩解由發(fā)動機在不同工況下產(chǎn)生的電源紋波對輸出參考電壓的影響。
上傳時間： 2014-01-09
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結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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在航天等空間產(chǎn)品中使用的分布式供電系統(tǒng)中，總體電路一般只提供27~30 V的直流一次電源，各單機產(chǎn)品大多采用DC/DC模塊將該一次電源轉(zhuǎn)換為所需的二次電源，并實現(xiàn)一次地與二次地的隔離。分析了INTERPOINT公司的DC/DC模塊的輸入端反接后，輸入電壓對DC/DC模塊、電源保護濾波電路及負載的影響，通過仿真與驗證試驗，得出電源模塊輸入端反接后單機產(chǎn)品中電源保護電路發(fā)生作用，對產(chǎn)品中負載無影響，可以繼續(xù)使用。電源模塊失效分析對航天產(chǎn)品中電源模塊中出現(xiàn)類似的故障后的處理提供了參考。
上傳時間： 2013-11-05
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