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LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應用 在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統，該存儲器系統可用作代碼和數據的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始的位置，一般其起始地址從零開始。
標簽： Flash LM3S 微控制器 存儲器
上傳時間： 2013-10-09
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NXP半導體設計的LPC3000系列ARM芯片，適用于要求高性能和低功耗結合的嵌入式應用中。 NXP通過使用90納米的處理技術，將一個帶有矢量浮點協處理器的ARM926EJ-S CPU內核與一系列包括USB On-The-Go在內的標準外設結合起來，從而實現LPC3000的性能目標。LPC3000系列ARM可工作在高于266MHz的CPU頻率下。ARM926EJ-S CPU內核加入5級流水處理并采用哈佛結構。該內核還具有一個完整的存儲器管理單元（MMU），以提供支持現代操作系統多程序設計所需的虛擬存儲器功能。ARM926EJ-S CPU內核還包含了帶有單周期MAC操作的一系列DSP指令擴展，以及Jazelle Java字節代碼執行。NXP實現的器件具有一個32kB指令高速緩存和32kB數據高速緩存。
標簽： ARM 176 PL 多端口
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：xiaowei314
MCS-51單片機數據存儲器的擴展:3 數據存儲器的擴展MCS-51單片機內部有128或256個字節的數據存儲器，這些存儲器通常被用作工作寄存器、堆棧、臨時變量等等，一般已經夠用，但是如果系統要存儲大量的數據，比如數據采集系統，那么片內的數據存儲器就不夠用了，需要進行擴展。3．1 常用的數據存儲器單片機中常用的數據存儲器是靜態RAM存儲器（SRAM），圖7是幾種常用的數據存儲器的引腳圖，以62256為例介紹，其中：A0~A14：地址輸入線；D0~D7：數據線； CE：選片信號輸入線，低電平有效； OE：讀選通信號輸入線，低電平有效； WE：寫選通信號輸入線，低電平有效；CE2：6264芯片的高有效選通端；VCC：工作電源，一般接+5V；GND：工作地.
標簽： MCS 51 單片機 數據存儲器
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：jkhjkh1982
6.1 存儲器概述1、存儲器定義 在微機系統中凡能存儲程序和數據的部件統稱為存儲器。2、存儲器分類 微機系統中的存儲器分為內存和外存兩類。3、內存儲器的組成 微機系統中的存儲器由半導體存儲器芯片組成。 單片機內部有存儲器，當單片機內部的存儲器不夠用時，可以外擴存儲器。外擴的存儲器就是由半導體存儲器芯片組成的。 當用半導體存儲器芯片組成內存時必須滿足個要求：①每個存儲單元一定要有8個位。②存儲單元的個數滿足系統要求。注意：內存的容量是指它所含存儲單元的個數（每個存儲單元一定要有8個位，可以存儲8位二進制信息）。6.2 半導體存儲器由于集成工藝水平的限制，一個半導體存儲器芯片上所集成的單元個數和每個單元的位數有限，用它構成內存時必須滿足：內存容量和一個存儲單元有8個位的要求，因此內存常常由多個半導體存儲器芯片構成。 半導體存儲器芯片的存儲容量是指其上所含的基本存儲電路的個數，用單元個數×位數表示。掌握：① 已知內存容量和半導體存儲器芯片的容量，求用半導體存儲器芯片構成內存時需要的芯片個數。② 內存的容量=末地址—首地址+1 半導體存儲器芯片分成ROM和RAM兩類。6.2.1 ROM芯片6.2.2 RAM芯片6.3 MCS-51單片機存儲器擴展 在微機系統中存儲器是必不可少。MCS51系列單片機內部的存儲器不夠用時需要外擴半導體存儲器芯片，外擴的半導體存儲器芯片與MCS51系列單片機通過三總線交換信息。二者連接時必須考慮如下問題：1．二者地址線、數據線、控制線的連接。2．工作速度的匹配。CPU在取指令和存儲器讀或寫操作時，是有固定時序的，用戶要根據這些來確定對存儲器存取速度的要求，或在存儲器已經確定的情況下，考慮是否需要Tw周期，以及如何實現。3．片選信號的產生。目前生產的存儲器芯片，單片的容量仍然是有限的，通常總是要由許多片才能組成一個存儲器，這里就有一個如何產生片選信號的問題。4．CPU的驅動能力 。在設計CPU芯片時，一般考慮其輸出線的直流負載能力，為帶一個TTL負載。現在的存儲器一般都為MOS電路，直流負載很小，主要的負載是電容負載，故在小型系統中，CPU是可以直接與存儲器相連的，而較大的系統中，若CPU的負載能力不能滿足要求，可以（就要考慮CPU能否帶得動，需要時就要加上緩沖器，）由緩沖器的輸出再帶負載。6.3.1 ROM芯片的擴展6.3.2 RAM芯片的擴展
標簽： 存儲器接口
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：moerwang
顯示器存儲器數據大全:AOC772S單芯片06年新款機數據，LG未來窗T710S數據，部分顯示器EPROM數據，彩顯數據，飛利浦的一些數據，分享唯一顯示器EPROM數據WEIYI-775B(A81DC，聯想液晶MCU，彩電、顯示器總線進入法-大全
標簽： 顯示器 存儲器 數據大全
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：jrsoft
存儲器技術.doc 計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內部存儲器，簡稱為內存。內存實質上是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。內存的主要作用是用來存放計算機系統執行時所需要的數據，存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時作為緩沖用。由于CPU只能直接處理內存中的數據 ，所以內存是計算機系統中不可缺少的部件。內存的品質直接關系到計算機系統的速度、穩定性和兼容性。 4.1 存儲器類型計算機內部存儲器有兩種類型，一種稱為只讀存儲器ROM（Read Only Memiry），另一種稱為隨機存儲器RAM（Random Access Memiry）。 4.1.1 只讀存儲器只讀存儲器ROM主要用于存放計算機固化的控制程序，如主板的BIOS程序、顯卡BIOS控制程序、硬盤控制程序等。ROM的典型特點是：一旦將數據寫入ROM中后，即使在斷電的情況下也能夠永久的保存數據。從使用上講，一般用戶能從ROM中讀取數據，而不能改寫其中的數據。但現在為了做一日和尚撞一天鐘于軟件或硬件程序升級，普通用戶使用所謂的閃存（Flash Memiry）也可以有條件地改變ROM中的數據。有關只讀存儲器ROM的內容將在第11章中介紹，本章主要介紹隨機存儲器。4.1.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAM的最大特點是計算機可以隨時改變RAM中的數據，并且一旦斷電，TAM中數據就會立即丟失，也就是說，RAM中的數據在斷電后是不能保留的。從用于制造隨機存取存儲器的材料上看，RAM又可分為靜態隨機存儲器SRAM（Static RAM）和動態隨機存儲器DRAM（Dymamic RAM）兩種。1. 動態隨機存儲器在DRAM中數據是以電荷的形式存儲在電容上的，充電后電容上的電壓被認為是邏輯上的“1”，而放電后的電容上的電壓被認為是邏輯上的“0”認。為了減少存儲器的引腳數，就反存儲器芯片的每個基本單元按行、列矩陣形式連接起來，使每個存儲單元位于行、列的交叉點。這樣每個存儲單元的地址做一日和尚撞一天鐘可以用位數較少的行地址和列地址兩個部分表示，在對每個單元進行讀寫操作時，就可以采用分行、列尋址方式寫入或讀出相應的數據，如圖4－1所示。 由于電容充電后，電容會緩慢放電，電容 上的電荷會逐漸
標簽： 存儲器
上傳時間： 2014-01-10
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2003年第5期《簡易串行存儲器拷貝器》源程序
標簽： 2003 串行存儲器 拷貝器 源程序
上傳時間： 2014-04-16
上傳用戶：問題問題
MC68HC908GP32 MCU的Flash存儲器在線編程技術.doc
標簽： Flash 908 MCU MC
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：許小華
FPGA 設計人員在滿足關鍵時序余量的同時力爭實現更高性能，在這種情況下，存儲器接口的設計是一個一向構成艱難而耗時的挑戰。Xilinx FPGA 提供 I/O 模塊和邏輯資源，從而使接口設計變得更簡單、更可
標簽： Xilinx FPGA 存儲器接口 生成器
上傳時間： 2013-10-15
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使用功能強大的FPGA來實現一種DDR2 SDRAM存儲器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產的DDR2 SDRAM的存儲控制器，由于該公司出產的這種存儲控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，可知本設計具有很大的使用前景。本設計通過采用多路高速率數據讀寫操作仿真驗證，可知其完全可以滿足時序要求，由綜合結果可知其使用邏輯資源很少，運行速率很高，基本可以滿足所有設計需要。
標簽： SDRAM FPGA DDR2 存儲器
上傳時間： 2013-11-07
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