p-n結的隧道擊穿模型研究
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意...
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意...
脈沖波形的產生和整形:介紹矩形脈沖波形的產生和整形電路。 在脈沖整形電路中。介紹了最常用的兩類整形電路——施密特觸發器和單穩態觸發器電路。在本章的最后,討論了廣為應用的555定時器和用它構成施密特觸發器、單穩態觸發器和多諧振蕩器的方法。 7.1單穩態觸發器 單穩態觸...
由於性電池容易購買而且價格相對便宜,因此它為人們帶來了方便,並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂設備的電源選擇。 ...
在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。 ...
目前開關電源市場上單端反激式的開關電源占有很大的份額,控制環路的設計是反激電源中關鍵的步驟之一。主要對基于L6561臨界(TM)模式下高功率因數(PF)單端反激式開關電源的控制環路設計進行了論述,文中通過對環路中各級的傳遞函數進行了定性分析和定量計算,進而給出了環路的補償電路。通過選擇合適的相位裕量...