LTC®4223 是一款符合微通信計算架構 (MicroTCA) 規(guī)範電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範於近期得到了 PCI 工業(yè)計算機制造商組織 (PICMG) 的批準。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：我累個乖乖
在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
上傳時間： 2014-12-01
上傳用戶：lhc9102
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應用： 船舶、工程機械 產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩(wěn)定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
本發(fā)明的LED 光源包含矩形的LED 芯片和內藏該芯片的透明樹脂封裝體。樹脂封裝體具有用于將LED 芯片發(fā)出的光射出到封裝體的外部的鏡界面。
上傳時間： 2013-12-14
上傳用戶：kernor
吉時利強大的開關系統使得為任何應用配置最優(yōu)化的解決方案變得簡單，可以提供標準的或者定制化的解決方案。無論應用需要開關矩陣或者多路復用器，或者設計常規(guī)的DC、RF、微波、光電或者數字I/O信號等，吉時利都為您提供高性能、低成本的各種解決方案。
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：范縝東苑
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
熱陰極螢光燈(HCFL)發(fā)光原理 冷陰極螢光燈(CCFL)發(fā)光原理 產品特性 CCFL製程概述 產品結構
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：cknck
半導體激光器是一種高功率密度并具有極高量子效率的器件，微小的電流變化將導致光功率輸出的極大變化和器件參數（如激射波長、噪聲性能、模式跳動）的變化，這些變化直接影響器件的安全工作和應用要求。 本公司設計和生產的半導體激光電源LDD-AAVV-T是連續(xù)可調恒流電源，采用了目前國際先進的半導體激光電源方案，選用優(yōu)質元器件生產。具有輸出噪聲小、恒流特性好、電流穩(wěn)定、抗干擾能力強等優(yōu)點，并具有防過沖、反沖和反浪涌的穩(wěn)壓、恒流雙重保護電路，保證激光器的穩(wěn)定工作和使用壽命。LDD-AAVV型半導體激光電源采用單片機管理和控制，是一種智能化高精度恒流型開關電源，可作為半導體激光打標機的配套電源。針對激光打標設備的特點，電源還可管理水泵、指示光、振鏡和Q開關幾部分的開關。電源有LCD液晶顯示，能提供電源工作的各個參數及其工作狀態(tài)的顯示，具備過壓、過流、水溫和水壓報警功能，實為半導體激光器的理想電源。本電源還可以作為其它高精度恒流源，供設備使用。
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：lifangyuan12
