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對(duì)射開關(guān)

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • 射頻遙控在家電遙控器中的應用電路圖

    射頻遙控在家電遙控器中的應用電路圖

    標簽： 射頻遙控 家電遙控器 中的應用 電路圖

    上傳時間： 2013-11-19

    上傳用戶：erkuizhang

  • 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

    利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明，該放大器工作穩定，性能可靠

    標簽： 寬頻帶 高功率 射頻 脈沖功率放大器

    上傳時間： 2013-11-17

    上傳用戶：waitingfy

  • 射頻電路PCB設計

    射頻電路PCB設計

    標簽： PCB 射頻電路

    上傳時間： 2014-01-13

    上傳用戶：a1054751988

  • 射頻電路PCB設計中注意問題

      PCB 設計對于電路設計而言越來越重要。但不少設計者往往只注重原理設計,而對PCB 板的設計布局考慮不多,因此在完成的電路設計中常會出現EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發,闡述了射頻電路PCB 設計中需要注意的一些問題。

    標簽： PCB 射頻電路

    上傳時間： 2013-10-24

    上傳用戶：jiangxiansheng

  • protel 99se進行射頻電路PCB設計的流程

    介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設計的設計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設計時應考慮電磁兼容性，因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標簽： protel PCB 99 se

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：竺羽翎2222

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    標簽： 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時間： 2013-10-23

    上傳用戶：woshiayin

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

    設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

    標簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：ewtrwrtwe

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