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插入損耗

理想二極管提供了針對(duì)電源布線錯(cuò)誤的保護(hù)作用

高可用性繫統(tǒng)常常采用雙路饋送功率分配，旨在實(shí)現(xiàn)冗餘並增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。“或”二極管把兩路電源一起連接在負(fù)載點(diǎn)上，最常用的是肖特基二極管，目的在於實(shí)現(xiàn)低損耗

標(biāo)簽： 理想二極管保護(hù) 電源布線錯(cuò)誤

上傳時(shí)間： 2013-10-19

上傳用戶：BOBOniu
四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器功率散熱器

上傳時(shí)間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
通過(guò)分析MOSFET功耗產(chǎn)生機(jī)制來(lái)提高同步整流效率

降低電源損耗，提高電源效率

標(biāo)簽： MOSFET 分功耗機(jī)制

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶：angle
GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》

GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》

標(biāo)簽： 1002 1996 GB 家

上傳時(shí)間： 2013-06-13

上傳用戶：eeworm
GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》.pdf

專輯類-國(guó)標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊(cè)-701M GB1002-1996《家用和類似用途單相插頭插入插座型式、基本參數(shù)和尺寸》.pdf

標(biāo)簽： 1002 1996 GB

上傳時(shí)間： 2013-06-06

上傳用戶：tccc
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
EMI電源濾波器的插入損耗分析

提出了共模插入損耗和差模插入損耗的計(jì)算方法,推導(dǎo)了濾波器插入損耗與阻抗關(guān)系的表達(dá)式,并且對(duì)這一關(guān)系作了仿真分析,仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論計(jì)算和分析的正確性。

標(biāo)簽： EMI 電源濾波器插入損耗分

上傳時(shí)間： 2013-11-20

上傳用戶：baba
MCP定時(shí)器的死區(qū)插入

MCP定時(shí)器的死區(qū)插入: 在雙極性PWM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，上下橋臂的電力開(kāi)關(guān)器件交替導(dǎo)通(如圖1-1的半橋電路)。圖1-1 電力開(kāi)關(guān)半橋電路理想情況下，電力開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)啟和關(guān)斷是不需要時(shí)間的，這時(shí)只要上下橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)只要相反就可以；而實(shí)際的電力開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)啟和關(guān)斷是需要時(shí)間的，而且關(guān)斷時(shí)間比開(kāi)啟時(shí)間要長(zhǎng)，這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一橋臂尚沒(méi)有完全關(guān)閉的情況下，另一橋臂就導(dǎo)通了，這就會(huì)出現(xiàn)上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通的情況，致使電源短路，出現(xiàn)很大的直通電流，導(dǎo)致電力器件大量發(fā)熱，不但會(huì)造成電源浪費(fèi)，還可能燒毀電力開(kāi)關(guān)器件。因此，為避免出現(xiàn)上下橋臂直通的現(xiàn)象，就需要在一橋臂開(kāi)始前，保證另一橋臂完全關(guān)斷，為此，在PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)中插入死區(qū)保護(hù)時(shí)間,如圖1-2中的灰條所示(這個(gè)信號(hào)是電力器件在低電平導(dǎo)通，高電平關(guān)斷的情況)。

標(biāo)簽： MCP 定時(shí)器死區(qū)

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：dgann
C語(yǔ)言冒泡、插入法、選擇排序算法分析

C語(yǔ)言冒泡、插入法、選擇排序算法分析

標(biāo)簽： C語(yǔ)言排序算法分析

上傳時(shí)間： 2014-12-29

上傳用戶：leyesome

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