高壓雙管反激變換器的設計:介紹一種雙管反激的電路拓撲,分析了其工作原理,給出了一些關鍵技術參數的計算公式,設計并研制成功的30W 380V AC5 0H z/510V DC/+15.1 V DC(1A )、+5.2VDC(2A)輔助開關電源具有功率密度高、變換效率高、可靠性高等優良的綜合性能。該變換器在高電壓輸人情況下有重要的應用價值。【關 鍵 詞 】變換器,輔助開關電源,雙管反激 [Abstract】 A n e wt opologyfo rd oubles witchfl ybackc onverteris in troduced.Th eo perationp rincipleis a nalyzeda nds ome for mulas for calculating key parameters for the topology are presented. The designed and produced auxiliary switching power supply,i. e. 30W 380V AC5 0H z/5 10V DC/+15.1 V DC《1A )、+5.2 V DC《2A ),hase xcellentc omprehensivep erformances sucha sh ighp owerd ensity, hi ghc onversione fficiencya ndh ighr eliability.Th isc onverterh asim portanta pplicationv aluef orh igh input voltag [Keywords ]converter,au xiliary switchingp owers upply,do ubles witchf lybac
上傳時間: 2013-11-01
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為了解決一些遠程單片機設備不方便升級內部程序的困難,本文提出了利用單片機系統中現有的數據獲取方式來升級單片機內部程序的方法。本文利用凌陽16 位單片機可以自讀寫片內程序空間的特性,通過在片內駐留BootLoader 程序的方式實現了凌陽16 位單片機片內程序的在需要時的遠程升級。單片機獲取數據的方式可以有很多,本文選取通過串口獲取數據進行程序升級為例,并選取常見的凌陽單片機SPCE061A 為例介紹了此方法的設計思路以及實現過程。單片機的應用非常廣泛,在某些情況下,單片機內部程序的升級在所難免,但是往往需要對單片機產品進行收回才能實現,這樣在一些遠程設備的程序升級問題上就顯得非常不方便。但是有些遠程設備本身留有遠程通訊的方式:例如某些遠程數據傳輸模塊,為了把數據上報總會留有通訊的接口,比如422、485 甚至GPRS 或者局域網接口;又或者某些車載定位設備,為了和監控中心通訊會留有GSM、CDMA 或者GPRS 等通訊方式。在這種情況下就可以利用其現有的通訊方式對其內部單片機程序進行升級而不需要收回產品。本文的主要內容就是來研究這種遠程升級單片機程序的方法。由于近年來凌陽科技的單片機,尤其是 16 位單片機,得到了越來越多的推廣,其應用領域越來越廣泛。本文選取一種常見的凌陽科技的16 位單片機SPCE061A 為例,來介紹單片機程序遠程升級的方法。SPCE061A 里內嵌了32K 字的閃存(FLASH),即可以作為程序存儲空間又可以存儲數據,并且有自讀寫任意閃存地址的能力,本文利用這一功能,提出了通過在單片機中駐留BootLoader 程序的方法,來實現單片機程序的遠程升級。遠程升級的實現,需要單片機自身的響應同時還需要遠程服務器提供升級所需的代碼。下文將通過這兩個方面來分別介紹。
上傳時間: 2013-10-31
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利用系介質陶瓷材料研制的微波元器件,廣泛應用于航空航天、軍事及民用通信及電子設備中,在理論分析和工藝試驗的基礎上,通過對介質陶瓷材料組分和控制溫度工藝研究,優化BaO-Nd2O3-TiO2組分材料,改進煅燒溫度等工藝方法,研制出性能穩定性介質陶瓷材料。為研制用于高頻、超高頻電子設備中性能穩定微波元器件找到了有效的途徑。
上傳時間: 2013-11-05
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MC68HC11A0在熱印字機中的應用.pdf
上傳時間: 2013-10-11
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protel99se元件名系表
上傳時間: 2013-11-12
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半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間: 2013-11-04
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電容器及介質種類: ※高頻類: 此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器,包括通用型高頻COG、COH電容器和溫度補償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中COG、COH電容器電性能最穩定,幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化,適用于低損耗,穩定性要求高的高頻電路,HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應變化,適用于低損耗、溫度補償型電路中。 ※ X7R、X5R:此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器,具有較高的介電常數,容量比Ⅰ類電容器高,具有較穩定的溫度特性,適用于容量范圍廣,穩定性要求不高的電路中,如隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。 ※Y5V:此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器,是所有電容器中介電常數最大的電容器,但其容量穩定性較差,對溫度、電壓等條件較敏感,適用于要求大容量,溫度變化不大的電路中。 ※Z5U:此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器,其溫度特性介于X7R和Y5V之間,容量穩定性較差,對溫度、電壓等條件較敏感,適用于要求大容量,使用溫度范圍接近于室溫的旁路,耦合等,低直流偏壓的電路中。
上傳時間: 2013-11-05
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Netscape公司提供的安全套接字層
上傳時間: 2013-12-06
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安全套接字層
標簽: 套接
上傳時間: 2013-12-19
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單個漢字庫字摸提取程序
上傳時間: 2013-12-17
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