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2推薦：串口擴展芯片GM812X和非易失性存
標簽： 812X 812 GM 串口擴展
上傳時間： 2015-06-16
上傳用戶：iswlkje
fm1808中文資料 描述 FM1808是用先進的鐵電技術制造的 256K位的非易失性的記憶體 鐵電隨機 存儲器 FRAM 是一種具有非易失 性 并且可以象RAM一樣快速讀寫 但 它沒有BBSRAM模組系統的設計復雜 性 缺點和相關的可靠性問題 數據在 掉電可以保存10年 高速寫以及高擦寫 次數使得它比EEPROM或其他非易失性 存儲器可靠性更高 系統更簡單
標簽： 1808 256K FRAM RAM
上傳時間： 2014-01-11
上傳用戶：zhangjinzj
EEPROM飛易失性存儲器24c02讀寫編程 C語言(已通過測試)
標簽： EEPROM 24c02 C語言 易失性存儲器
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：yyq123456789
本書內容包括： 快速有效的測試存儲器芯片 如何寫入和擦除快閃存儲器 用循環冗余校驗碼驗證非易失性存儲器數據 與芯片的內部外設和外部外設接口 設計和實現設備驅動 優化嵌入式軟件 最大限度高性能的應用C++特性 本書適用于嵌入式系統程序員、設計師和項目管理人員
標簽： 測試 存儲器芯片 存儲器數據 外設
上傳時間： 2016-08-31
上傳用戶：yph853211
FM25L256B是采用先進的鐵電技術制造的256Kb非易失性存儲器。鐵電隨機存儲器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一樣快速讀寫。數據在掉電后可以保存10年，同時消除由EEPROM和其他非易失性存儲器導致的復雜性，開銷和系統級別可靠性問題。
標簽： 256 256B L256 FRAM
上傳時間： 2016-09-26
上傳用戶：songrui
程控增益線性脈沖放大器的設計。 設計了一種新型程控增益線性脈沖放大器。采用準高斯CR2RC2CR 成形電路結構,使用非易失性數字電位器和精密運放,使電路結構大大簡化,抗干擾能力強,增益多級連續變化平穩,且具有溫漂低、脈沖線性好等特點
標簽： CR2RC2CR 增益 程控 放大器
上傳時間： 2013-11-27
上傳用戶：wcl168881111111
//9488定時器B功能測試 9488定時器B功能測試B:DAMI調試通過: 9488 8位定時器B的使用 有關的I/O為三個:TBPWM(輸出)(P1.0) 模式有:間隔定時功能,PWM模式 有定時中斷:定時器B溢出中斷
標簽： 9488 TBPWM DAMI 定時器
上傳時間： 2017-06-01
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VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存儲器的8051MCU。該器件8KB真正的非易失性隨機存儲器映像到VRS51L3074的XRAM存儲尋址空間上充分發揮其快速讀寫以及讀寫壽命無限的特點。單周期8051處理器 內核可以提供高達 4O MIPS的吞吐量，并且與標準8051s指令兼容。
標簽： L3074 3074 VRS 51L
上傳時間： 2014-01-03
上傳用戶：米卡
NEC閃光胸牌電路板的構成電路板是由單片機應用電路部分和閃存編程器兩部分構成的。■單片機應用電路部分單片機應用電路部分主要是由電池（1220），開關和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機構成。把程序寫入單片機內置的閃存存儲器，就可以進行各種控制了。■閃存編程器部分閃存編程器是把PC里的程序寫入單片機的閃存存儲器的裝置。您得到的電路板上的閃存編程器部分只有配線沒有零部件，要寫入程序必須購置零部件后焊接，您只要花費很少的經費和精力即可完成。關于閃存編程器的制作方法下面會做詳細說明。
標簽： NEC 閃存編程器
上傳時間： 2013-10-31
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標簽： IzWwR IRTWw JGR 8vQ
上傳時間： 2015-02-22
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