NIP型非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H...
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H...
大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級(jí)空間。 ...
雙晶硅...
MCS-51單晶片8051與資料記憶體擴(kuò)充相關(guān)資料...
一個(gè)單晶片8051模擬軟體,可以查看模擬的內(nèi)部外部RAM資料及暫存器資料,並設(shè)置斷點(diǎn) windows 平臺(tái)下執(zhí)行...
使用單晶片的一般IO腳來(lái)模擬 硬體 UART 通訊介面,好處為可節(jié)省hardware uart 的應(yīng)用!...
一般單晶片 GPIO 模擬MCU硬體uart通訊介面,增加MCU的功能應(yīng)用!...
對(duì)于負(fù)荷大范圍呈周期性變化的某些感應(yīng)電動(dòng)機(jī)來(lái)說(shuō),在一個(gè)工作周期中可能會(huì)出現(xiàn)重載、輕載(空載)的工況,甚至?xí)霈F(xiàn)異步發(fā)電狀態(tài).如繼續(xù)按照常規(guī)方式供電,則會(huì)有大量電能損耗.以往研究表明,重載通電、輕載與發(fā)...
石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性, 使得從19 世紀(jì)40 年代中期以來(lái)一直作為基本的時(shí)鐘器件. 盡管在陶瓷, 硅晶和RLC電路方面有60 多年的研究, 在此之前沒(méi)有哪種材料或技術(shù)能替代石英振蕩器, 鑒于其...
一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無(wú)線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作,初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能,設(shè)計(jì)流程包含數(shù)...