主要介紹了高效率E類(lèi)射頻功率振蕩器的原理和設(shè)計(jì)方法，通過(guò)電路等效變換，E類(lèi)射頻功率振蕩器最終轉(zhuǎn)換成與E類(lèi)放大器相同的結(jié)構(gòu)，MOS管工作在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會(huì)同時(shí)交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類(lèi)放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結(jié)合E類(lèi)射頻振蕩器在等離子體源中的應(yīng)用，給出了的設(shè)計(jì)實(shí)例。ADS仿真結(jié)果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設(shè)計(jì)預(yù)期。
上傳時(shí)間： 2014-02-10
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/****************temic*********t5557***********************************/ #include <at892051.h> #include <string.h> #include <intrins.h> #include <stdio.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define ulong unsigned long //STC12C2051AD的SFR定義 sfr WDT_CONTR = 0xe1;//stc2051的看門(mén)狗?????? /**********全局常量************/ //寫(xiě)卡的命令 #define write_command0 0//寫(xiě)密碼 #define write_command1 1//寫(xiě)配置字 #define write_command2 2//密碼寫(xiě)數(shù)據(jù) #define write_command3 3//喚醒 #define write_command4 4//停止命令 #define TRUE 1 #define FALSE 0 #define OK 0 #define ERROR 255 //讀卡的時(shí)間參數(shù)us #define ts_min 250//270*11.0592/12=249//取近似的整數(shù) #define ts_max 304//330*11.0592/12=304 #define t1_min 73//90*11.0592/12=83:-10調(diào)整 #define t1_max 156//180*11.0592/12=166 #define t2_min 184//210*11.0592/12=194 #define t2_max 267//300*11.0592/12=276 //***********不采用中斷處理:采用查詢(xún)的方法讀卡時(shí)關(guān)所有中斷****************/ sbit p_U2270B_Standby = P3^5;//p_U2270B_Standby PIN=13 sbit p_U2270B_CFE = P3^3;//p_U2270B_CFE PIN=6 sbit p_U2270B_OutPut = P3^7;//p_U2270B_OutPut PIN=2 sbit wtd_sck = P1^7;//SPI總線 sbit wtd_si = P1^3; sbit wtd_so = P1^2; sbit iic_data = P1^2;//lcd IIC sbit iic_clk = P1^7; sbit led_light = P1^6;//測(cè)試綠燈 sbit led_light1 = P1^5;//測(cè)試紅燈 sbit led_light_ok = P1^1;//讀卡成功標(biāo)志 sbit fengmingqi = P1^5; /***********全局變量************************************/ uchar data Nkey_a[4] = {0xA0, 0xA1, 0xA2, 0xA3};//初始密碼 //uchar idata card_snr[4]; //配置字 uchar data bankdata[28] = {1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7}; //存儲(chǔ)卡上用戶(hù)數(shù)據(jù)(1-7)7*4=28 uchar data cominceptbuff[6] = {1,2,3,4,5,6};//串口接收數(shù)組ram uchar command; //第一個(gè)命令 uchar command1;// //uint temp; uchar j,i; uchar myaddr = 8; //uchar ywqz_count,time_count; //ywqz jishu: uchar bdata DATA; sbit BIT0 = DATA^0; sbit BIT1 = DATA^1; sbit BIT2 = DATA^2; sbit BIT3 = DATA^3; sbit BIT4 = DATA^4; sbit BIT5 = DATA^5; sbit BIT6 = DATA^6; sbit BIT7 = DATA^7; uchar bdata DATA1; sbit BIT10 = DATA1^0; sbit BIT11 = DATA1^1; sbit BIT12 = DATA1^2; sbit BIT13 = DATA1^3; sbit BIT14 = DATA1^4; sbit BIT15 = DATA1^5; sbit BIT16 = DATA1^6; sbit BIT17 = DATA1^7; bit i_CurrentLevel;//i_CurrentLevel BIT 00H(Saves current level of OutPut pin of U2270B) bit timer1_end; bit read_ok = 0; //緩存定時(shí)值,因用同一個(gè)定時(shí)器 union HLint { uint W; struct { uchar H;uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint data a; //緩存定時(shí)值,因用同一個(gè)定時(shí)器 union HLint0 { uint W; struct { uchar H; uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint0 data b; /**********************函數(shù)原型*****************/ //讀寫(xiě)操作 void f_readcard(void);//全部讀出1~7 AOR喚醒 void f_writecard(uchar x);//根據(jù)命令寫(xiě)不同的內(nèi)容和操作 void f_clearpassword(void);//清除密碼 void f_changepassword(void);//修改密碼 //功能子函數(shù) void write_password(uchar data *data p);//寫(xiě)初始密碼或數(shù)據(jù) void write_block(uchar x,uchar data *data p);//不能用通用指針 void write_bit(bit x);//寫(xiě)位 /*子函數(shù)區(qū)*****************************************************/ void delay_2(uint x) //延時(shí),時(shí)間x*10us@12mhz,最小20us@12mhz { x--; x--; while(x) { _nop_(); _nop_(); x--; } _nop_();//WDT_CONTR=0X3C;不能頻繁的復(fù)位 _nop_(); } ///////////////////////////////////////////////////////////////////// void initial(void) { SCON = 0x50; //串口方式1,允許接收 //SCON =0x50; //01010000B:10位異步收發(fā),波特率可變,SM2=0不用接收到有效停止位才RI=1, //REN=1允許接收 TMOD = 0x21; //定時(shí)器1 定時(shí)方式2(8位),定時(shí)器0 定時(shí)方式1(16位) TCON = 0x40; //設(shè)定時(shí)器1 允許開(kāi)始計(jì)時(shí)(IT1=1) TH1 = 0xfD; //FB 18.432MHz 9600 波特率 TL1 = 0xfD; //fd 11.0592 9600 IE = 0X90; //EA=ES=1 TR1 = 1; //啟動(dòng)定時(shí)器 WDT_CONTR = 0x3c;//使能看門(mén)狗 p_U2270B_Standby = 0;//單電源 PCON = 0x00; IP = 0x10;//uart you xian XXXPS PT1 PX1 PT0 PX0 led_light1 = 1; led_light = 0; p_U2270B_OutPut = 1; } /************************************************/ void f_readcard()//讀卡 { EA = 0;//全關(guān),防止影響跳變的定時(shí)器計(jì)時(shí) WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 p_U2270B_CFE = 1;// delay_2(232); //>2.5ms /* // aor 用喚醒功能來(lái)防碰撞 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us write_bit(1);//10=操作碼讀0頁(yè) write_bit(0); write_password(&bankdata[24]);//密碼block7 p_U2270B_CFE =1 ;// delay_2(516);//編程及確認(rèn)時(shí)間5.6ms */ WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 led_light = 0; b.W = 0; while(!(read_ok == 1)) { //while(p_U2270B_OutPut);//等一個(gè)穩(wěn)定的低電平?超時(shí)判斷? while(!p_U2270B_OutPut);//等待上升沿的到來(lái)同步信號(hào)檢測(cè)1 TR0 = 1; //deng xia jiang while(p_U2270B_OutPut);//等待下降沿 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//定時(shí)器晚啟動(dòng)10個(gè)周期 //同步頭 if((324 < a.W) && (a.W < 353)) ;//檢測(cè)同步信號(hào)1 else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //等待上升沿 while(!p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//b.N1<<=8; if(a.B.L < 195);//0.5p else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //讀0~7塊的數(shù)據(jù) for(j = 0;j < 28;j++) { //uchar i; for(i = 0;i < 16;i++)//8個(gè)位 { //等待下降沿的到來(lái) while(p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_max < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2;//先左移再賦值 b.B.L += 0xc0; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5p { b.W >>= 1; b.B.L += 0x80; } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; while(!p_U2270B_OutPut);//上升 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_min < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*a.W)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5P //else if(!(a.W==0)) { b.W >>= 1; //temp+=0x00; //led_light1=0;led_light=1;delay_2(40000); } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; } //取出奇位 DATA = b.B.L; BIT13 = BIT7; BIT12 = BIT5; BIT11 = BIT3; BIT10 = BIT1; DATA = b.B.H; BIT17 = BIT7; BIT16 = BIT5; BIT15 = BIT3; BIT14 = BIT1; bankdata[j] = DATA1; } read_ok = 1;//讀卡完成了 read_error: _nop_(); } } /***************************************************/ void f_writecard(uchar x)//寫(xiě)卡 { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(232); //>2.5ms //psw=0 standard write if (x == write_command0)//寫(xiě)密碼:初始化密碼 { uchar i; uchar data *data p; p = cominceptbuff; p_U2270B_CFE = 0; delay_2(31);//start gap>330us write_bit(1);//寫(xiě)操作碼1:10 write_bit(0);//寫(xiě)操作碼0 write_bit(0);//寫(xiě)鎖定位0 for(i = 0;i < 35;i++) { write_bit(1);//寫(xiě)數(shù)據(jù)位1 } p_U2270B_CFE = 1; led_light1 = 0; led_light = 1; delay_2(40000);//測(cè)試使用 //write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE = 1; bankdata[20] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[21] = cominceptbuff[1]; bankdata[22] = cominceptbuff[2]; bankdata[23] = cominceptbuff[3]; } else if (x == write_command1)//配置卡參數(shù):初始化 { uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//寫(xiě)操作碼1:10 write_bit(0);//寫(xiě)操作碼0 write_bit(0);//寫(xiě)鎖定位0 write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE= 1; } //psw=1 pssword mode else if(x == write_command2) //密碼寫(xiě)數(shù)據(jù) { uchar data*data p; p = &bankdata[24]; write_bit(1);//寫(xiě)操作碼1:10 write_bit(0);//寫(xiě)操作碼0 write_password(p);//發(fā)口令 write_bit(0);//寫(xiě)鎖定位0 p = cominceptbuff; write_block(cominceptbuff[4],p);//寫(xiě)數(shù)據(jù) } else if(x == write_command3)//aor //喚醒 { //cominceptbuff[1]操作碼10 X xxxxxB uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//10 write_bit(0); write_password(p);//密碼 p_U2270B_CFE = 1;//此時(shí)數(shù)據(jù)不停的循環(huán)傳出 } else //停止操作碼 { write_bit(1);//11 write_bit(1); p_U2270B_CFE = 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /************************************/ void f_clearpassword()//清除密碼 { uchar data *data p; uchar i,x; p = &bankdata[24];//原密碼 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us //操作碼10:10xxxxxxB write_bit(1); write_bit(0); for(x = 0;x < 4;x++)//發(fā)原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x00,p);//寫(xiě)新配置參數(shù):pwd=0 //密碼無(wú)效:即清除密碼 DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /*********************************/ void f_changepassword()//修改密碼 { uchar data *data p; uchar i,x,addr; addr = 0x07;//block7 p = &Nkey_a[0];//原密碼 DATA = 0x80;//操作碼10:10xxxxxxB for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } for(x = 0;x < 4;x++)//發(fā)原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT7); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x07,p);//寫(xiě)新密碼 p_U2270B_CFE = 1; bankdata[24] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[25] = cominceptbuff[1]; bankdata[26] = cominceptbuff[2]; bankdata[27] = cominceptbuff[3]; DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /***************************子函數(shù)***********************************/ void write_bit(bit x)//寫(xiě)一位 { if(x) { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(32);//448*11.0592/120=42延時(shí)448us p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫(xiě)1 } else { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(92);//192*11.0592/120=18 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫(xiě)0 } } /*******************寫(xiě)一個(gè)block*******************/ void write_block(uchar addr,uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)//block0數(shù)據(jù) { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } DATA = addr <<= 5;//0地址 for(i = 0;i < 3;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } } /*************************************************/ void write_password(uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)// { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } } /*************************************************/ void main() { initial(); TI = RI = 0; ES = 1; EA = 1; delay_2(28); //f_readcard(); while(1) { f_readcard(); //讀卡 f_writecard(command1); //寫(xiě)卡 f_clearpassword(); //清除密碼 f_changepassword(); //修改密碼 } }
標(biāo)簽： 12345
上傳時(shí)間： 2017-10-20
上傳用戶(hù)：my_lcs
本書(shū)共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開(kāi)關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門(mén)極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開(kāi)關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來(lái)制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書(shū)最后一章比較了書(shū)中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書(shū)的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專(zhuān)業(yè)人員。 本書(shū)適合高等院校有關(guān)專(zhuān)業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書(shū)， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書(shū)之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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本應(yīng)用筆記詳細(xì)記載了關(guān)于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應(yīng)用，SiC器件的優(yōu)勢(shì)和使用上的注意點(diǎn)，從初次接觸SiC器件到熟知產(chǎn)品的各位，都可以得到應(yīng)用和幫助
上傳時(shí)間： 2022-02-08
上傳用戶(hù)：shjgzh
硬件工程師 電子工程師必備知識(shí)手冊(cè)關(guān)鍵字： 電阻 基礎(chǔ)知識(shí) 線繞電阻器 薄膜電阻器 實(shí)心電阻器 電阻 導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱(chēng)著電阻，用符號(hào) R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號(hào)命名方法： 國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱(chēng) ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無(wú)機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類(lèi)，一般用數(shù)字表示，個(gè)別類(lèi)型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類(lèi) 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。 第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示，表示同類(lèi)產(chǎn)品中不同品種，以
上傳時(shí)間： 2022-02-17
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電子技術(shù)的發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源的體積越來(lái)越小、質(zhì)量越來(lái)越輕、效率越來(lái)越高、可靠性也越來(lái)越優(yōu)良，被廣泛地運(yùn)用到了生活中的各個(gè)方面。DcDC開(kāi)關(guān)電源是開(kāi)關(guān)電源中非常常用的一種形式，因此，對(duì)DCDC開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、反饋電路等相關(guān)知識(shí)的研究成為了理解開(kāi)關(guān)電源的重要環(huán)節(jié)。論文分析了推挽式DCDC開(kāi)關(guān)電源的工作原理、效率和優(yōu)缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一款輸出恒定的推挽式DCDC開(kāi)關(guān)電源。論文以T公司的高速PwM控制器Uc3825為核心，給出了DCDC開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)框圖，詳細(xì)設(shè)計(jì)了控制器、推挽式驅(qū)動(dòng)、整流濾波、反饋控制等電路，討論了變壓器、開(kāi)關(guān)管、整流二極管等選型問(wèn)題。通過(guò)對(duì)推挽式DCDC開(kāi)關(guān)電源樣機(jī)的測(cè)試，結(jié)果表明，在輸出功率為100W到30W時(shí)，論文設(shè)計(jì)的樣機(jī)的轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到85%以上。開(kāi)關(guān)電源就是通過(guò)特定的電路，控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間，以達(dá)到輸出恒定的直流電壓的設(shè)備。隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源涉及到的相關(guān)技術(shù)也越來(lái)越成熟，使得開(kāi)關(guān)電源成為了電子設(shè)備中不可或缺的一種供電方式開(kāi)關(guān)電源最早源于二十世紀(jì)五十年代的美國(guó)，當(dāng)時(shí)，美國(guó)為了設(shè)計(jì)特殊需求的軍用電源，提出了小型、輕量的目標(biāo)，自此開(kāi)始，開(kāi)關(guān)電源由于其比傳統(tǒng)的線性電源擁有的優(yōu)點(diǎn)而廣泛地運(yùn)用到電子、電氣設(shè)備、計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備等領(lǐng)經(jīng)過(guò)幾十年的不斷進(jìn)步，開(kāi)關(guān)電源在諸多方面都有了非常大的突破。大功率MOSFET和IGBT等功率器件技術(shù)的進(jìn)步使得開(kāi)關(guān)電源能向著高頻化、大功率的方向發(fā)展。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，可以大大提升開(kāi)關(guān)電源的效率，為高頻開(kāi)關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)提供了可能。平面變壓器和平面電感技術(shù)的發(fā)展使開(kāi)關(guān)電源的效率可以進(jìn)一步得到提升，體積也可以大大地減小。有源功率因數(shù)校正技術(shù)的發(fā)展，使開(kāi)關(guān)電源的功率因數(shù)得到了很大地提升，既解決了由電路中的非線性負(fù)載產(chǎn)生的諧波失真，又提高了開(kāi)關(guān)電源的整機(jī)效率
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-03-10
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本文對(duì)PWM全橋軟開(kāi)關(guān)直流變換器進(jìn)行了研究。具體闡述了PWM全橋ZS軟開(kāi)關(guān)直流變換器的工作原理和軟開(kāi)關(guān)的實(shí)現(xiàn)條件，就基本的移相控制FB ZVS PWM變換器存在的問(wèn)題給予分析并對(duì)兩種改進(jìn)方案進(jìn)行了研究：1、能在全部工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)的改進(jìn)型全橋移相zvs-PWM DCDC變換器，文中通過(guò)對(duì)其開(kāi)關(guān)過(guò)程的分析，得出實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)零電壓開(kāi)關(guān)的條件。采用改進(jìn)方案設(shè)計(jì)了一臺(tái)48V~6 VDC/DC變換器，實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明其比基本的 ZVS-PWM變換器具有更好的軟開(kāi)關(guān)性能。2、采用輔助網(wǎng)絡(luò)的全橋移相 ZVZCS-PWM DCDC變換器，文中具體分析了其工作原理及變換器特性，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率變換器在開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源、CPU電源照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、感應(yīng)加熱、電網(wǎng)的無(wú)功補(bǔ)償和諧波治理等眾多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，電力電子技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢(shì)使功率變換器的重量大大減輕體積大大減小，提高了產(chǎn)品的性能價(jià)格比，但采用傳統(tǒng)的硬開(kāi)關(guān)技術(shù)，開(kāi)關(guān)損耗將隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高而成正比地增加，限制了開(kāi)關(guān)的高頻化提高功率開(kāi)關(guān)器件本身的開(kāi)關(guān)性能，可以減少開(kāi)關(guān)損耗，另一方面，從變換器結(jié)構(gòu)和控制上改善功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)性能，可以減少開(kāi)關(guān)損耗。如緩沖技術(shù)、無(wú)損緩沖技術(shù)、軟開(kāi)關(guān)技術(shù)等軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在減少功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗方面效果比較好，理論上可使開(kāi)關(guān)損耗減少為零。12軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的原理和類(lèi)型功率變換器通常采用PwM技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。硬開(kāi)關(guān)技術(shù)在每次開(kāi)關(guān)通斷期間功率器件突然通斷全部的負(fù)載電流，或者功率器件兩端電壓在開(kāi)通時(shí)通過(guò)開(kāi)關(guān)釋放能量，這種方式的工作狀況下必將造成比較大的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)應(yīng)力，使開(kāi)關(guān)頻率不能做得很高。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)是利用感性和容性元件的諧振原理，在導(dǎo)通前使功率開(kāi)關(guān)器件兩端的電壓降為零，而關(guān)斷時(shí)先使功率開(kāi)關(guān)器件中電流下降到零，實(shí)現(xiàn)功率開(kāi)關(guān)器件的零損耗開(kāi)通和關(guān)斷，并且減少開(kāi)關(guān)應(yīng)力。
標(biāo)簽： 移相全橋
上傳時(shí)間： 2022-03-29
上傳用戶(hù)：jason_vip1
超聲波是一種能量存在的方式，超聲波通過(guò)高頻的振動(dòng)作用于水介質(zhì)，從而產(chǎn)生超聲空化效應(yīng)，這種空化效應(yīng)已經(jīng)在超聲波清洗中得到應(yīng)用，或者超聲波作用于傳聲媒介當(dāng)中，能夠引起媒介之間發(fā)生不同的效應(yīng)，已經(jīng)在基礎(chǔ)學(xué)科研究和工程應(yīng)用開(kāi)發(fā)都表示出非常廣闊的應(yīng)用前景[12]。按照超聲波研究?jī)?nèi)容上劃分，可以分為功率超聲和檢測(cè)超聲兩大領(lǐng)域Bl]。檢測(cè)超聲是工業(yè)及醫(yī)學(xué)檢查的一種方法之一，也被認(rèn)為是弱超聲的“被動(dòng)應(yīng)用”，功率超聲主要是通過(guò)超聲接觸對(duì)接觸面進(jìn)行高頻的振動(dòng)摩擦，以改變介質(zhì)的一些特性，所以功率超聲也被稱(chēng)為“主動(dòng)應(yīng)用”[]。本課題主要是針對(duì)功率超聲波換能器進(jìn)行研究。超聲波的產(chǎn)生主要依靠的是超聲波換能器。超聲波換能器是一種能夠進(jìn)行機(jī)、電能量或者聲、電能量轉(zhuǎn)換的器件。對(duì)于功率超聲換能器而言，換能器通過(guò)壓電材料的壓電效應(yīng)將輸入的高頻電能轉(zhuǎn)換成高頻振動(dòng)的機(jī)械能量。換能器的種類(lèi)有很多，應(yīng)用的領(lǐng)域也不相同，如磁致伸縮超聲換能器間，壓電陶瓷換能器等等。目前研究最為廣泛的是壓電陶瓷換能器，壓電陶瓷換能器是依靠壓電陶瓷的壓電效應(yīng)及逆壓電效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。壓電陶瓷的壓電效應(yīng)是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)引起的，壓電材料主要有鈦酸鋇、錯(cuò)鈦酸鉛、偏銳酸鉛、銳酸鉀鈉、鈦酸鉛等]。這些電介質(zhì)在某一恰當(dāng)?shù)姆较蚴┘右欢ǖ耐饬r(shí)，會(huì)引起內(nèi)部電極分布狀態(tài)發(fā)生改變，在介質(zhì)的相對(duì)表面上會(huì)出現(xiàn)和外力成正比且極性相反的帶電電荷，這種由外力引起的電介質(zhì)的現(xiàn)象叫做壓電效應(yīng)則。相反，若在電介質(zhì)上某一恰當(dāng)?shù)姆较蚣由弦欢◤?qiáng)度的外電場(chǎng)時(shí)，會(huì)引起電介質(zhì)內(nèi)部電極分布發(fā)生相應(yīng)的變化，從而產(chǎn)生和外電場(chǎng)強(qiáng)度成正比的應(yīng)變效應(yīng)，這種由于外電場(chǎng)引起的電介質(zhì)的應(yīng)變現(xiàn)象叫做逆壓電效應(yīng)]。功率超聲換能是超聲學(xué)領(lǐng)域中一個(gè)重要的分支學(xué)科。本課題主要針對(duì)壓電陶瓷式功率超聲波換能器展開(kāi)研究。20世紀(jì)初期超聲波技術(shù)開(kāi)始出現(xiàn)，而我國(guó)50年代才開(kāi)始進(jìn)行大功率超聲的研究[]。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展特別是電子技術(shù)的發(fā)展，如單片機(jī)、DSP、FPFA等微處理器得快速發(fā)展，微處理器功能越來(lái)越強(qiáng)大，運(yùn)算速度越來(lái)也快，以及IGBT、MOSFET等功率器件的快速發(fā)展，功率器件的容量不斷的增加，響應(yīng)速度不斷的提高。對(duì)超聲波發(fā)生器的要求也越來(lái)越高，體積越來(lái)越小，功能越來(lái)越強(qiáng)大，越來(lái)越智能，可靠性進(jìn)一步提高。
標(biāo)簽： 超聲波換能器
上傳時(shí)間： 2022-06-18
上傳用戶(hù)：shjgzh
Sentaurus TCAD全面繼承了Tsuprem4，Medici和ISE-TCAD的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，它可以用來(lái)模擬集成器件的工藝制程，器件物理特性和互連線特性等。Sentaurus TCAD提供全面的產(chǎn)品套件，其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV Inspect, Advanced Calibration等等。Sentaurus Process和Sentaurus Device可以支持的仿真器件類(lèi)型非常廣泛，包括CMOS，功率器件，存儲(chǔ)器，圖像傳感器，太陽(yáng)能電池，和模擬/射頻器件。sentaurus TCAD還提供互連建模和參數(shù)提取工具，為優(yōu)化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 tcad
上傳時(shí)間： 2022-06-30
上傳用戶(hù)：shjgzh
本文論述了基于ST7FMC的電動(dòng)摩托車(chē)控制系統(tǒng)的研究。 近年來(lái),由于燃油交通工具尾氣排放對(duì)城市空氣造成的嚴(yán)重污染，以及人們生活水平、環(huán)保意識(shí)的逐漸提高，綠色交通工具己成為時(shí)代發(fā)展的重要課題。考慮到我國(guó)目前的國(guó)情，發(fā)展電動(dòng)車(chē)具有重要的環(huán)保意義。 隨著電機(jī)技術(shù)及功率器件性能的不斷提高,電動(dòng)車(chē)的控制器發(fā)展迅速。但是目前市場(chǎng)上大多數(shù)的電動(dòng)車(chē)產(chǎn)品均采用低集成度元件控制裝置，功能過(guò)于簡(jiǎn)單，不能充分發(fā)揮系統(tǒng)潛力及處理一些特殊的控制問(wèn)題。 提出了基于意法半導(dǎo)體芯片ST7FMC的永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，進(jìn)行了低成本、高智能的無(wú)刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能滿(mǎn)足更多應(yīng)用場(chǎng)合的需要。主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行了分析與研究: 首先，建立無(wú)刷直流電機(jī)的數(shù)學(xué)模型，并分析其電機(jī)運(yùn)行特性。 其次，根據(jù)ST專(zhuān)用單片機(jī)的特點(diǎn)詳細(xì)設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的控制策略：將調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)為電流、速度雙閉環(huán)的PI算法控制，以保證調(diào)速性能和電流控制精度；采用ST芯片固有的寄存器進(jìn)行速度的檢測(cè)，比較精確；將相電流檢測(cè)設(shè)計(jì)成母線電流PWM On中點(diǎn)檢測(cè)；采用了高性能的驅(qū)動(dòng)集成電路IR2136來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET組成的全橋逆變電路；驅(qū)動(dòng)方式采用新型的凸形波驅(qū)動(dòng)控制方法。 最后，組裝了試驗(yàn)樣車(chē)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)室觀測(cè)及實(shí)地運(yùn)行，驗(yàn)證了系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性。 由此得出結(jié)論：本課題設(shè)計(jì)的基于ST7FMC的電動(dòng)摩托車(chē)控制系統(tǒng)具有運(yùn)行性能良好、可靠性高的特點(diǎn)，為后續(xù)的研究工作提供了一定的基礎(chǔ)。
標(biāo)簽： ST7FMC 電動(dòng)摩托車(chē) 控制系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-05-17
上傳用戶(hù)：電子世界
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