透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
第一章 序論……………………………………………………………6 1- 1 研究動(dòng)機(jī)…………………………………………………………..7 1- 2 專題目標(biāo)…………………………………………………………..8 1- 3 工作流程…………………………………………………………..9 1- 4...
無線感測(cè)器已變得越來越普及,短期內(nèi)其開發(fā)和部署數(shù)量將急遽增加。而無線通訊技術(shù)的突飛猛進(jìn),也使得智慧型網(wǎng)路中的無線感測(cè)器能夠緊密互連。此外,系統(tǒng)單晶片(SoC)的密度不斷提高,讓各式各樣的多功能、小尺寸無線感測(cè)器系統(tǒng)相繼問市。儘管如此,工程師仍面臨一個(gè)重大的挑戰(zhàn):即電源消耗。 ...
特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測(cè) 交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃 具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能 異常信號(hào)過高或過低或范圍內(nèi)或范圍外檢測(cè)可任意設(shè)定 報(bào)警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)...
特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 可直接量測(cè)直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性高 分離式端子,配線容易 CE 認(rèn)證 主要規(guī)格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. &plusm...