第一性原理研究MoS2的電子結構及光學性質
為了系統深入地研究MoS2的電子能帶結構和光電性質,基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方 法,計算和分析了材料MoS2的電子結構及其光學性質,給出了MoS2 的能帶結構、光吸收譜、電子態密度、能 量損失譜、反射譜、介電函數譜等光學性質。計算結果表明:體材料MoS2的電子躍遷形式是非垂直躍遷,具有...
為了系統深入地研究MoS2的電子能帶結構和光電性質,基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方 法,計算和分析了材料MoS2的電子結構及其光學性質,給出了MoS2 的能帶結構、光吸收譜、電子態密度、能 量損失譜、反射譜、介電函數譜等光學性質。計算結果表明:體材料MoS2的電子躍遷形式是非垂直躍遷,具有...
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后,從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍,然后根據實驗分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖...
數學資料,范函分析,對各方面的研究都有幫助,是編成的基礎。...
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ogura(小倉)老師在京都大學講授波散射的資料,從基爾霍夫近似到微擾法,最后提到了他的隨機泛函的方法,小倉老師是隨即泛函用于博散射的鼻祖,電磁界的知名人士。...