基于DSP設計的數字化大功率電源數字化全橋變換器電源ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件，包括主板和控制板2個硬件，均為4層板設計，ALTIUM設計的硬件工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設計參考。主板原理圖器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業B/消費C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業A/消費C/快恢復二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業A/消費B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標簽： tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時間： 2021-12-22
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PCB聯盟網-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產業的動態和技術，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發展與制造 1、原子結構：原子是由高度密集的質子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發現了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應用于工業已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產品的使 用中退出； 3、半導體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、硒，半導體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結），當結上為正向偏壓時可以導通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結組合成一個器件，導致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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基于傳感器和模糊規則的機器人在動態障礙環境中的智能運動控制基于傳感器和模糊規則的機器人在動態障礙環境中的智能運動控制 oIlI～0(、r> 王 敏 金·波斯科 黃心漢 ，O、l、L (華i 面面辜寫j幕．武漢，43074) ＼I。L上、o 捌要：提出了一種基于傳感器和模糊規則的智能機器人運動規劃方法 ．該方法運用了基于調和函數分析的人 工勢能 場原 理 ．采用模糊規則 可減少推導勢能函數所 必須的計算 ，同時給機器人伺服 系統發 出指令 ，使它能夠 自動 地尋找通向目標的路徑．提出的方法具有簡單、快速的特點，而且能對 n自由度機械手的整個手臂實現最碰．建立 在非線性機器人動力學之上的整 個閉環系統和模糊控制器 的穩定性 由李雅普諾 夫原理 保證 ．仿真結 果證明 了該方 法 的有效性 ，通 過比較分析顯示 出文 中所提 出的最障算法的優越性 ． 美t詞：基于傳感器的機器人運動控制；模糊規則；人工勢能場；動態避障；機器人操作手 1 叫啞oducd0n R。boIsarewjdelyusedfor詛sb inchasma~ia]b柚· 血 ， spot ： ng， spray Ijl岫 1g， mech卸icaland elec咖 icas搴enlb1y，ma al塒 IIovaland wa時 cut· ring 咖 ． ofsuch tasks_堋 llldea pri|柚ary ptd 眥 of 她 ar0botto e oncpositiontoanother withoutbur叩inginto anyobstacles． s 曲km，de． notedasthefDbotm ∞ pJan，liDgp∞ 舶1，hasbeen the倒 娜bj0ct鋤l哪gIeseat℃ll∞ ． Every method o0血∞rI1ing 如b0tmotionplanninghas itsownadv∞ngesandapplicationdoma~ asweftasits di戤ldvaIIta麟 and constr~dnts． Therefore it would be ratherdifficulteithertoc0Ⅱ】paremethodsorton~ vate thechoio~ofan dl0‘iupon othP~s． 0州 d眥 ：1999—07—29；Revised~ ：2000一∞ 一絲 In conU~astto many n~ hods，rob
上傳時間： 2022-02-15
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該問題由某客戶提出，發生在STM32F103VDT6 器件上。據其工程師講述：在其產品中，需要使用STM32 的 ADC 對多路模擬信號進行同步采樣。在具體的實現上，采用了 ADC 常規通道的掃描模式來完成這一功能。然而，在調試中過程中發現一個奇怪的現象：當將各路模擬信號的電平設置成相同時，ADC 對各路模擬信號的轉換結果相同，用 A 來表示。改變其中一路模擬信號的電平，并保持其各路模擬信號的電平不變，則 ADC 對該路信號的轉換結果變為 B。然而，此時與其在掃描次序上相鄰的下一路模擬信號的轉換結果也發生
標簽： adc
上傳時間： 2022-02-21
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STM32 F1系列 MCU ATIUM AD集成庫 原理圖庫 PCB 3D封裝庫文件,STM32F1XXXXX全系列原理圖+PCB封裝庫文件，共209個器件型號，CSV text has been written to file : STM32 F1.csvLibrary Component Count : 209Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32F100C4T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C4T7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C6T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C6T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100C6T7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C8T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C8T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100CBT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100CBT7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100R4H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R4T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R4T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100R6H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R6T6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R6T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R6T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, Tape and ReelSTM32F100R8H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R8T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R8T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100RBH6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100RBH6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, Tape and ReelSTM32F100RBT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RBT6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100RCT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 256 kB Flash, 24 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RDT6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 384 kB Flash, 32 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RDT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 384 kB Flash, 32 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RET6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 512 kB Flash, 32 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RET6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 512 kB Flash, 32 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-
上傳時間： 2022-04-30
上傳用戶：jiabin
本文件包括了一系列應力測試失效機理、 最低應力測試認證要求的定義及集成電路認證的參考測試條件。 這些測試能夠模擬跌落半導體器件和封裝失效， 目的是能夠相對于一般條件加速跌落失效。 這組測試應該是有區別的使用，每個認證方案應檢查以下： a、任何潛在新的和獨特的失效機理；b、任何應用中無顯現但測試或條件可能會導致失效的情況；c、任何相反地會降低加速失效的極端條件和應用 。使用本文件并不是要解除 IC 供應商對自己內部認證項目的責任性， 其中的使用者被定義為所有按照規格書使用其認證器件的客戶， 客戶有責任去證實確認所有的認證數據與本文件相一致。 供應商對由其規格書里所陳述的器件溫度等級的使用是非常值得提倡的。 此規格的目的是要確定一種器件在應用中能夠通過應力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質和可靠性。 如果成功完成根據本文件各要點需要的測試結果， 那么將允許供應商聲稱他們的零件通過了 AEC Q100認證。供應商可以與客戶協商，可以在樣品尺寸和條件的認證上比文件要求的要放寬些， 但是只有完成要求實現的時候才能認為零件通過了 AEC Q100認證。
上傳時間： 2022-05-08
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摘要本文以音響放大系統為研究對象，以電子技術基本理論為基礎，結合當前模擬電子應用技術，對音響放大系統進行了分析和研究，針對現代人群對功放效率的要求和特征，設計出該音響放大系統。音響的音質是音響最重要的環節，由于我國在高級音響的設計上起步較晚，對新技術的開發與應用遠遠落后于國外的發大國家，從放大電路的設計，揚聲器的設計，對音像的還原，降低信噪比，低音的厚重感等等都遠遠超出我國自主產品，但是我國的音響企業已認識到技術的不足，正在加大研發的投入，培養技術人才，努力學習和趕超國外的先進技術。本文對現代高級音響設計的工藝有初步的了解，研究高級音響設計的電路組成，能夠理解電路圖的原理，對新技術、新知識進行研究學習，并將所學用于實踐在現代音有普及中，人們因生活層次、文化習俗、音樂修養、欣賞口味的不同，令對相通電氣指標的音響設備得出不同的評價。所以，就高保真度功放而言，應該達到電氣指標與實際聽音指標的平衡與統一。隨者技術的發展，人民生活水平的提高，人們對音頻技術的功放的效率要求隨之提高。模擬的功率放大器經過了幾十年的發展，在這方面的技術已經相當成熟。正因為這樣，數字功放應運而生。近年來，利用脈寬調劑原理設計的D類功放也進入了音響領域".國外半導體一直專注于研發高性能的放大器與比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，其中包含基本的芯片以及特殊應用標準產品（ASSP），以滿足市場上對高精度、高速度、低電壓及低功率放大器的需求。另外國外在數字音頻功率放大器領城進行了二三十年的研究，六十年代中期，日本研制出8bit數字音頻功率發大器。1893年，M.B.Sandler等學者提出D類數字PCM功率發大器的基本結構。主要是圍繞如何將PCM信號轉化為PWM信號。把信號的幅度信號用不同的脈沖寬度來表示。此后，研究的焦點是降低其時鐘頻率，提高音質。隨若數字信號處理（DSP）技術和新型功率器件及應用的發展，開始實用化的16位數字音額功放成為可能。
標簽： 音響電路
上傳時間： 2022-06-18
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說明：原文（英語）來自Freescale Semiconductor，Inc.的應用文檔，作者，T.C.Lun，Applications Engineering，Microcontroller Division，Hong Kong.文檔分為下列幾個部分：PART 1 觀EMC PART 2器件的選擇及電路的設計PART 3印刷電路板layout技術附錄A EMC術語表附錄B 抗干擾測量標準第一部分 EMI和EMC縱覽：在現代電子設計中EMI是一個主要的問題。為抗干擾，設計者嬰么除掉干擾源，要么保護受影響的電路，最終的目的都是為了達到電磁兼容的目的僅僅達到電磁兼容也許還不夠。雖然電路工作在板級，但它有可能對系統的共他部件輻射噪音、干擾，從而引起系統級的問題。此外，系統毅或者設備級的EMC不得不滿足某些輻射標準，以便不影響其他設備。許多發達國家在電子產品上有非常嚴格的EMC標準。為了達到這些要求，設計者必須考慮從板極開始的EMI抑制。一個簡單的EMI模型包含三個元素，如圖1所示：1.EMI源2.耦合路徑3.感應體
上傳時間： 2022-06-20
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好吧，電路很簡單，可是元件值如何選？射頻器件差一點就差很多，是不是一定要用專用的射頻元件？做為常溫測試來說，普通器件就可以滿足，當然，如果要考慮溫度、諧波、靈敏度等，電感還是選用高Q的，電容選擇COG材質的。看看PA元件如何選，AN435里寫得很清楚。不想看原理的可以直接參考其值：按以上參考值出17-19dBm是可以的，但是要滿打滿的出到20dBm，或者大于20dBm則需要根據板子微調部分元件，在你不知道如果調試時，可以小范圍調整一下CM以及天線開關后面的低通濾波器，如果還是不行，那就調電感吧。不想深究的可以跳過本節了，下面是AN435里對于PA匹配的原理性說明，感興趣的可以繼續往下面看，其實Sl4432的硬件手冊里說得是很全的，多看手冊可以學到很多。Sl4432內部的PA并非傳統的A，B，C類放大器，也不是D類，而是E類放大器，其實就是一個開關而已。下圖是AN435里一個開關類射頻放大器的結構圖。這個放大器理解起來很容易，比傳統ABC類放大器容易多了。其中Lchoke為上拉電感，與三極管C極的電阻是一樣的作用，在S0開關時，會給Cshunt充電，經過CO和LO組成的帶通濾器器，濾除開關過程中產生的雜波及諧波，再經過Lx就可以得到一個正弦波。這類放大器只是提供一個方波，再通過LC選頻。
上傳時間： 2022-07-03
上傳用戶：bluedrops
半導體器件物理考試考試范圍 現更改為Physics of Semiconductor Devices/Third Edition，S. M. Sze， KWOK K.NG， John Wiley & Sons，2006 半導體器件物理，施 敏，伍國玨，西安交通大學出版社，2010。
標簽： 半導體器件
上傳時間： 2022-07-23
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