用動(dòng)畫的方式進(jìn)行模擬，介紹模電里的基礎(chǔ)性原理，像PN節(jié) 二極管 三極管 CMOS
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：bruce
用動(dòng)畫的方式進(jìn)行模擬，介紹模電里的基礎(chǔ)性原理，像PN節(jié) 二極管 三極管 CMOS
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：吾學(xué)吾舞
元器件封裝
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：zhyfjj
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
數(shù)字電位計(jì)是機(jī)械電位計(jì)的最佳替代產(chǎn)品，因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優(yōu)勢(shì)。數(shù)字電位計(jì)可采用各種數(shù)字和手動(dòng)接口。手動(dòng)或按鈕接口直接通過兩個(gè)按鈕開關(guān)進(jìn)行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻，按向下按鈕可降低電阻，如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：wyiman
為了使計(jì)算機(jī)能更好的識(shí)別人臉表情，對(duì)基于Gabor小波變換的人臉表情識(shí)別方法進(jìn)行了研究。首先對(duì)包含表情區(qū)域的靜態(tài)灰度圖像進(jìn)行預(yù)處理，包括對(duì)確定的人臉表情區(qū)域進(jìn)行尺寸和灰度歸一化，然后利用二維Gabor小波變換提取臉部表情特征，使用快速PCA方法對(duì)提取的Gabor小波特征初步降維。再在低維的空間中，利用Fisher準(zhǔn)則提取那些有利于分類的特征，最后用SVM分類器進(jìn)行分類。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，上述提出的方法比傳統(tǒng)的方法識(shí)別速度更快，能達(dá)到實(shí)時(shí)性的要求，并且具有很好的魯棒性，識(shí)別率高。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：小眼睛LSL
pn結(jié)的形成及三極管的工作原理動(dòng)畫
標(biāo)簽： flash 二極管 三極管 動(dòng)畫
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：咔樂塢
給出了兩種應(yīng)用于兩級(jí)CMOS 運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)出的CMOS 運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號(hào)建立時(shí)間等優(yōu)點(diǎn),還可以在達(dá)到相同補(bǔ)償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級(jí)小信號(hào)等效電路的分析和仿真,對(duì)兩種補(bǔ)償技術(shù)進(jìn)行比較,結(jié)果驗(yàn)證了共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)相對(duì)于直接密勒補(bǔ)償技術(shù)的優(yōu)越性.
標(biāo)簽： 共源共柵 運(yùn)放 補(bǔ)償 比較
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：gengxiaochao
通過采用脈寬調(diào)制技術(shù),并自動(dòng)進(jìn)行反饋調(diào)節(jié),使得直流送絲電機(jī)的供電電壓隨電機(jī)扭矩的變化而改變,從而達(dá)到穩(wěn)定送絲速度的作用。
上傳時(shí)間： 2013-10-28
上傳用戶：paladin
基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計(jì)中采用了三級(jí)級(jí)聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級(jí)源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級(jí)電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個(gè)放大器都有較高的動(dòng)態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：masochism
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
