久久精品国产一区二区三 ,欧美日韩亚洲免费,欧美日韩国产观看视频

無(wú)線視頻

W波段反對(duì)稱漸變探針過渡轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

介紹了一種反對(duì)稱漸變波導(dǎo)微帶探針過渡結(jié)構(gòu)，采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性，并對(duì)影響過渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析，得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB，回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易加工等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。

標(biāo)簽： W波段對(duì)稱探針轉(zhuǎn)換

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶：名爵少年
S8JX開關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

標(biāo)簽： S8JX 100 150 35

上傳時(shí)間： 2014-04-17

上傳用戶：fklinran
W波段寬帶倍頻器的設(shè)計(jì)與仿真

本文介紹了一種由低次級(jí)聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號(hào)先經(jīng)過MMIC得到二倍頻，再由反向并聯(lián)二極管對(duì)平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶三倍頻，從而將Ku波段信號(hào)六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭，輸出為 WR-10 標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸入信號(hào)功率為20dBm時(shí)，三倍頻器在整個(gè)W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右，變頻損耗小于17dB。該設(shè)計(jì)可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率，擴(kuò)展已有微波信號(hào)源的工作頻段。

標(biāo)簽： W波段寬帶倍頻器仿真

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶：qingzhuhu
W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)分析

由于電子對(duì)抗技術(shù)的飛速發(fā)展，低頻段電子干擾設(shè)備已經(jīng)非常完善，低頻段主動(dòng)雷達(dá)的工作效能相應(yīng)地大幅度降低。為了提高雷達(dá)系統(tǒng)的抗干擾能力，通過對(duì)國(guó)內(nèi)外雷達(dá)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的研究，以及影響雷達(dá)系統(tǒng)抗干擾能力主要因素的分析，說明了采用更高頻段的雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展的重要性。以W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用為前提，對(duì)其中需要解決的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分解，論述了W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭的基本實(shí)現(xiàn)方案、關(guān)鍵技術(shù)解決途徑，得出W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展具有策略上的必要性和技術(shù)上的可行性的結(jié)論。

標(biāo)簽： W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)分析

上傳時(shí)間： 2013-12-04

上傳用戶：mikesering
W-RXM2013高性能ASK無線超外差射頻接收模塊

W-RXM2013基于高性能ASK無線超外差射頻接收芯片設(shè)計(jì)，是一款完整的、體積小巧的、低功耗的無線接收模塊。模塊采用超高性價(jià)比ISM頻段接收芯片設(shè)計(jì) 主要設(shè)定為315MHz-433MHz頻段，標(biāo)準(zhǔn)傳輸速率下接收靈敏度可達(dá)到-115dbm。并且具有行業(yè)內(nèi)同類方案W-RXM2013 Micrel、SYNOXO、PTC等知名品牌的芯片所不具備的超強(qiáng)抗干擾能力。外圍省去10.7M的中頻器件模塊將芯片的使能腳引出，可作休眠喚醒控制，也可通過電阻跳線設(shè)置使能置高控制。本公司推出該款模塊力求解決客戶開發(fā)產(chǎn)品過程中無線射頻部分的成本壓力，為客戶提供性能卓越價(jià)格優(yōu)勢(shì)突出的電子組件。模塊接口采用金手指方式,方便生產(chǎn)及應(yīng)用。天線輸入部分可以將接收天線焊接在模塊上面，也可以通過接口轉(zhuǎn)接至客戶主機(jī)板上，應(yīng)用非常靈活。優(yōu)勢(shì)應(yīng)用：機(jī)電控制板、電源控制板、高低溫環(huán)境數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)等復(fù)雜條件下的控制指令的無線傳輸。 1.1 基本特性 λ ●省電模式下，低電流損耗 ●方便投入應(yīng)用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍：﹣40℃～＋85℃ ●工作電壓：2.4~ 5.5 Volts. ●有效頻率：250-348Mhz, 400-464Mhz ●靈敏度高（-115dbm）、功耗低在3.5mA@315MHz應(yīng)用下 ●待機(jī)電流小于1uA，系統(tǒng)喚醒時(shí)間5ms（RF Input Power=-60dbm）

標(biāo)簽： W-RXM 2013 ASK 性能

上傳時(shí)間： 2013-10-08

上傳用戶：dapangxie
克服能量采集無線感測(cè)器設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

無線感測(cè)器已變得越來越普及，短期內(nèi)其開發(fā)和部署數(shù)量將急遽增加。而無線通訊技術(shù)的突飛猛進(jìn)，也使得智慧型網(wǎng)路中的無線感測(cè)器能夠緊密互連。此外，系統(tǒng)單晶片(SoC)的密度不斷提高，讓各式各樣的多功能、小尺寸無線感測(cè)器系統(tǒng)相繼問市。儘管如此，工程師仍面臨一個(gè)重大的挑戰(zhàn)：即電源消耗。

標(biāo)簽： 能量采集無線感測(cè)器

上傳時(shí)間： 2013-10-30

上傳用戶：wojiaohs
電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

電路板故障分析維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起電路板太複雜,維修困難維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足無法維修的死板,廢棄可惜送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高備份板太多,積壓資金送國(guó)外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長(zhǎng) 對(duì)老化零件無從查起無法預(yù)先更換維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績(jī)效不彰

標(biāo)簽： 電路板維修技術(shù)資料

上傳時(shí)間： 2013-11-09

上傳用戶：chengxin
傳輸線與電路觀點(diǎn)詳解

•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時(shí)域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

標(biāo)簽： 傳輸線電路

上傳時(shí)間： 2013-10-21

上傳用戶：fhzm5658
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2013-11-04

上傳用戶：372825274
關(guān)于操作系統(tǒng)：本程序可選用優(yōu)先數(shù)法或簡(jiǎn)單輪轉(zhuǎn)法對(duì)五個(gè)進(jìn)程進(jìn)行調(diào)度。每個(gè)進(jìn)程處于運(yùn)行R（run）、就緒W（wait）和完成F（finish）三種狀態(tài)之一

關(guān)于操作系統(tǒng)：本程序可選用優(yōu)先數(shù)法或簡(jiǎn)單輪轉(zhuǎn)法對(duì)五個(gè)進(jìn)程進(jìn)行調(diào)度。每個(gè)進(jìn)程處于運(yùn)行R（run）、就緒W（wait）和完成F（finish）三種狀態(tài)之一，并假定起始狀態(tài)都是就緒狀態(tài)W。

標(biāo)簽： finish wait run 進(jìn)程

上傳時(shí)間： 2014-01-27

上傳用戶：1427796291