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無(wú)線電技術(shù)

  • S8JX開關電源(35/50/100/150-W型)

    符合全球標準的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準  :  UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

    標簽: S8JX 100 150 35

    上傳時間: 2014-04-17

    上傳用戶:fklinran

  • 4x4鍵盤的設計與制作

    三種方法讀取鍵值􀂄 使用者設計行列鍵盤介面,一般常採用三種方法讀取鍵值。􀂉 中斷式􀂄 在鍵盤按下時產生一個外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態判斷哪個按鍵被按下。􀂄 本實驗採用中斷式實現使用者鍵盤介面。􀂉 掃描法􀂄 對鍵盤上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對應列的鍵被按下。否則掃描下一行。􀂉 反轉法􀂄 先將所有行掃描線輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線輸出低電位,再讀行值。􀂄 根據讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結構。按鍵按下將會使行列連成通路,這也是見的使用者鍵盤設計電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時去抖動 if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }

    標簽: 4x4 鍵盤

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:a673761058

  • W波段寬帶倍頻器的設計與仿真

    本文介紹了一種由低次級聯形式構成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號先經過MMIC得到二倍頻,再由反向并聯二極管對平衡結構實現寬帶三倍頻,從而將Ku波段信號六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉換接頭,輸出為 WR-10 標準矩形波導結構。仿真結果表明當輸入信號功率為20dBm時,三倍頻器在整個W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右,變頻損耗小于17dB。該設計可以降低毫米波設備的主振頻率,擴展已有微波信號源的工作頻段。

    標簽: W波段 寬帶 倍頻器 仿真

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:qingzhuhu

  • W波段雷達導引頭技術分析

    由于電子對抗技術的飛速發展,低頻段電子干擾設備已經非常完善,低頻段主動雷達的工作效能相應地大幅度降低。為了提高雷達系統的抗干擾能力,通過對國內外雷達技術發展趨勢的研究,以及影響雷達系統抗干擾能力主要因素的分析,說明了采用更高頻段的雷達導引頭技術發展的重要性。以W波段雷達導引頭技術發展及應用為前提,對其中需要解決的關鍵技術進行了分解,論述了W波段雷達導引頭的基本實現方案、關鍵技術解決途徑,得出W波段雷達導引頭技術發展具有策略上的必要性和技術上的可行性的結論。

    標簽: W波段 雷達導引頭 技術分析

    上傳時間: 2013-12-04

    上傳用戶:mikesering

  • W-RXM2013高性能ASK無線超外差射頻接收模塊

    W-RXM2013基于高性能ASK無線超外差射頻接收芯片 設計,是一款完整的、體積小巧的、低功耗的無線接 收模塊。 模塊采用超高性價比ISM頻段接收芯片設計 主要設定為315MHz-433MHz頻段,標準傳輸速率下接 收靈敏度可達到-115dbm。并且具有行業內同類方案W-RXM2013 Micrel、SYNOXO、PTC等知名品牌的芯片所不具備的超強抗干擾能力。外圍省去10.7M的中頻 器件模塊將芯片的使能腳引出,可作休眠喚醒控制,也可通過電阻跳線設置使能置高控制。 本公司推出該款模塊力求解決客戶開發產品過程中無線射頻部分的成本壓力,為客戶提供 性能卓越價格優勢突出的電子組件。模塊接口采用金手指方式,方便生產及應用。天線輸入部 分可以將接收天線焊接在模塊上面,也可以通過接口轉接至客戶主機板上,應用非常靈活。 優勢應用:機電控制板、電源控制板、高低溫環境數據監測等復雜條件下 的控制指令的無線傳輸。 1.1 基本特性 λ ●省電模式下,低電流損耗 ●方便投入應用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍:﹣40℃~+85℃ ●工作電壓:2.4~ 5.5 Volts. ●有效頻率:250-348Mhz, 400-464Mhz ●靈敏度高(-115dbm)、功耗低在3.5mA@315MHz應用下 ●待機電流小于1uA,系統喚醒時間5ms(RF Input Power=-60dbm)

    標簽: W-RXM 2013 ASK 性能

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:dapangxie

  • 回路電源式顯示電表(無電源式)

    特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標簽: 回路電源 電表 無電源

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:lhuqi

  • pcb layout規則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2     3. 基準點 (光學點) -for SMD:........... 4     4. 標記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設計............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標簽: layout pcb

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:1234xhb

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • LABVIEW最實用的技巧合集

    LABVIEW最實用的技巧合集

    標簽: LABVIEW

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:685

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統)

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統) 特點: 精確度0.25%滿刻度±1位數 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要規格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協議: Modbus RTU mode 溫度系數: 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時間: 2015-01-03

    上傳用戶:幾何公差

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