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產(chǎn)業(yè)(yè)鏈

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 按鈕接通關(guān)斷控制器簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

    標(biāo)簽: 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:225588

  • 按鈕接通關(guān)斷控制器簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

    標(biāo)簽: 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:dianxin61

  • 熱插拔解決方案符合AMC和MicroTCA標(biāo)準(zhǔn)

    LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器,該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。

    標(biāo)簽: MicroTCA AMC 熱插拔 方案

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:我累個(gè)乖乖

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。

    標(biāo)簽: 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器

    為簡化總線式RS485隔離器的設(shè)計(jì),提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡單實(shí)用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點(diǎn)。給出了基本實(shí)驗(yàn)電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計(jì)依據(jù)。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器,尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級(jí)改造,其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。

    標(biāo)簽: 485 RS 脈沖變壓器 總線式

    上傳時(shí)間: 2013-10-07

    上傳用戶:lizx30340

  • 安規(guī)電容常識(shí)

    安規(guī)電容常識(shí)內(nèi)容有安規(guī)電容安全等級(jí)是應(yīng)用中允許的峰值脈沖電壓 過電壓等級(jí)(IEC664),X,Y電容都是安規(guī)電容,火線零線間的是X電容,火線與地間的是Y電容。

    標(biāo)簽: 安規(guī)電容 常識(shí)

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:z754970244

  • 變壓器差動(dòng)保護(hù)整定-電力工程師須知

    差動(dòng)保護(hù)整定范例一: 三圈變壓器參數(shù)如下表: 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn,y,d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當(dāng)為Y接線時(shí)為1,當(dāng)為Δ接線時(shí)為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況計(jì)算確定)   計(jì)算: 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流

    標(biāo)簽: 變壓器 差動(dòng)保護(hù) 工程師 整定

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

    上傳用戶:edisonfather

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