薄膜硅電池生產(chǎn)線的問(wèn)題 •設(shè)備投資過(guò)大 •技術(shù)升級(jí)過(guò)快 •生產(chǎn)工藝不成熟 •電池效率仍較低 •電池的長(zhǎng)期壽命有待驗(yàn)證(電池的穩(wěn)定性仍不好)
上傳時(shí)間: 2014-12-24
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在一般的隔離電源中,光耦隔離反饋是一種簡(jiǎn)單、低成本的方式。但對(duì)于光耦反饋的各種連接方式及其區(qū)別,目前尚未見(jiàn)到比較深入的研究。而且在很多場(chǎng)合下,由于對(duì)光耦的工作原理理解不夠深入,光耦接法混亂,往往導(dǎo)致電路不能正常工作。本研究將詳細(xì)分析光耦工作原理,并針對(duì)光耦反饋的幾種典型接法加以對(duì)比研究。
標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 光耦隔離 典型 對(duì)比
上傳時(shí)間: 2013-10-19
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LED在電子系統(tǒng)中使用已經(jīng)有很多年了,主要用作電子設(shè)備的指示燈。現(xiàn)在在亮度和色彩深度方面取得的重大進(jìn)步,意味著LED現(xiàn)在可以用于更廣泛的應(yīng)用,從手機(jī)和多媒體播放機(jī)中的背光,汽車(chē)儀表盤(pán)、尾燈,一直到取代商業(yè)和家庭照明應(yīng)用中的傳統(tǒng)光源。
標(biāo)簽: LED 可調(diào)光 驅(qū)動(dòng) 方案
上傳時(shí)間: 2013-11-07
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功能簡(jiǎn)述:本控制器采用微控制器控制,其功能如下:1. 12V/24V 蓄電池自動(dòng)識(shí)別2. 自動(dòng)開(kāi)關(guān)燈智能感知外界光線,天黑時(shí)延時(shí)自動(dòng)開(kāi)啟路燈,天亮?xí)r自動(dòng)關(guān)閉路燈3. 自動(dòng)充放電(以12V 蓄電池為例)進(jìn)入白天后太陽(yáng)能電池板電壓高于蓄電池電壓時(shí)自動(dòng)進(jìn)入充電狀態(tài),充電至蓄電池電壓高于14.4V 就進(jìn)入涓流狀態(tài)充電。而當(dāng)天黑且蓄電池電壓高于10.6V 就允許向LED 放電。4. 蓄電池保護(hù)(以12V 蓄電池為例):當(dāng)蓄電池電壓低(低于10.6V)時(shí),會(huì)自動(dòng)關(guān)閉路燈,防止過(guò)放,以保護(hù)電池。當(dāng)電池充滿(mǎn)(14.4V)時(shí),會(huì)停止其他充電狀態(tài),而進(jìn)入涓流充充電狀態(tài),以防止過(guò)充。5. 采用PWM 調(diào)光技術(shù)對(duì)LED 路燈進(jìn)行調(diào)光,可以和各種可調(diào)光恒流源匹配工作。6. 為了節(jié)能而調(diào)光,可以有各種節(jié)能調(diào)光模式,以實(shí)現(xiàn)不同程度的節(jié)能。
標(biāo)簽: PWM 電路 太陽(yáng)能路燈 控制器
上傳時(shí)間: 2013-11-07
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采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間: 2013-11-21
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什么叫光無(wú)源器件?光無(wú)源器件是一種不必借助外部的任何光或電的能量,由自身能夠完成某種光學(xué)功能的光學(xué)元器件,其工作原理遵守幾何光學(xué)理論和物理光學(xué)理論,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)、各種計(jì)算公式和各種測(cè)試方法與纖維光學(xué)和集成光學(xué)息息相關(guān)。
標(biāo)簽: 無(wú)源器件
上傳時(shí)間: 2013-11-01
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熱陰極螢光燈(HCFL)發(fā)光原理 冷陰極螢光燈(CCFL)發(fā)光原理 產(chǎn)品特性 CCFL製程概述 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間: 2013-11-18
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當(dāng)光照較弱時(shí)漏電電阻對(duì)光電流的影響較小,而對(duì)開(kāi)路電壓的影響較大 當(dāng)光照較強(qiáng)時(shí),二極管電流遠(yuǎn)大于漏電電流,此時(shí)并聯(lián)電阻對(duì)光電池影響較小,串聯(lián)電阻對(duì)開(kāi)路電壓機(jī)會(huì)沒(méi)有影響,但對(duì)短路電流影響很大。 所以要制備并聯(lián)電阻較大但串聯(lián)電阻較小的光電池,提高其填充因子FF。 砷化鎵電池的旁路電阻大于1K,對(duì)輸出特情基本沒(méi)有影響,當(dāng)總串聯(lián)電阻增加到5時(shí),電池的轉(zhuǎn)換效率就要下降30%,可見(jiàn)串聯(lián)電阻對(duì)砷化鎵太陽(yáng)能電池的影響是較大的,最近對(duì)于硅電池,要求實(shí)用化的產(chǎn)品的串聯(lián)電阻在0.5以下。 影響太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的一些因素 主要以硅電池為例 光生電流的光學(xué)損失,有三種:
標(biāo)簽: 轉(zhuǎn)換效率 太陽(yáng)能 薄膜
上傳時(shí)間: 2014-01-21
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采用stc12c5a60s2為主控芯片,用光敏電阻感應(yīng)光的強(qiáng)度,然后將采集到的信號(hào)經(jīng)AD轉(zhuǎn)換后送入單片機(jī)
上傳時(shí)間: 2013-10-15
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基于 MSP430單片機(jī)的光發(fā)射機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)
標(biāo)簽: MSP 430 單片機(jī) 光發(fā)射機(jī)
上傳時(shí)間: 2013-11-21
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