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場效應管作用
標簽： 場效應管 放大電路
上傳時間： 2013-11-23
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5000種場效應管速查
標簽： 5000 場效應管 速查
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：wfl_yy
1N系列穩壓管參數
標簽： 穩壓管 參數
上傳時間： 2013-10-11
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主要介紹場效應管H參數的模型
標簽： 場效應管 h參數 等效模型
上傳時間： 2014-01-09
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下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
標簽： MOS 驅動電路
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：文993
2SJ系列場效應管參數大全:
標簽： 2SJ 場效應管 參數大全
上傳時間： 2013-11-24
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MOS關模型 Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊，第二是耗盡區電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結電容，也是和電壓相關的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多，這個稱為米勒效應。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。
標簽： MOS 驅動 功耗計算
上傳時間： 2013-12-09
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運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現了從原理圖到PCB的過程
標簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時間： 2013-11-25
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創建PCB元件管腳封裝
標簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時間： 2014-12-24
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結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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