經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃 具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能 異常信號(hào)過高或過低或范圍內(nèi)或范圍外檢測可任意設(shè)定 報(bào)警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時(shí)間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動(dòng)延遲動(dòng)作時(shí)間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動(dòng)作時(shí)間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復(fù)歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動(dòng)作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2013-11-02
上傳用戶：fandeshun
特點(diǎn)： 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-19999~99999可任意規(guī)劃 具有自動(dòng)歸零或保持或雙顯示功能 (optional) 小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：libinxny
特點(diǎn)： 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號(hào) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 具有自動(dòng)歸零或保持或開根號(hào)或雙顯示功能 小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：lionlwy
特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍0- ±19999可任意規(guī)劃 具有自動(dòng)歸零與保持(開根號(hào))功能 具有9段線性折補(bǔ)功能 4組警報(bào)功能 15BIT 類比輸出功能 數(shù)位RS-485界面
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：gonuiln
特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 具有自動(dòng)歸零或保持或開根號(hào)或雙顯示功能 小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：dbs012280
特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻等信號(hào) 顯示范圍0- ±19999可任意規(guī)劃 數(shù)位化指撥設(shè)定操作簡易 具有自動(dòng)歸零與保持功能 4組警報(bào)功能 15BIT 類比輸出功能 數(shù)位RS-485界面
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：dianxin61
關(guān)於一些面板的介紹，包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。
標(biāo)簽： 面板
上傳時(shí)間： 2013-12-07
上傳用戶：啊颯颯大師的
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
SMT（Surface mount technology）是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼：1.可在板上雨成同特焊接，封裝密度提高50~70%.WW2.l短，提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化，快速，成本低.1.表面貼裝零件SOIC（small outline integrate circle）RESISTANCE（電阻）CAPACITANCE（電容）AMPLCC（plastic leaded chip carriers）CONNECT etc.（結(jié)器）封裝材料1.）陶瓷（BeO）：精度高，密封度高（CTE：5～7PPM/℃）封板子熟膨服要求高2.）聚硫胺醚（Polyetherimide）：一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖，機(jī)械，電子性能侵良AwIR各波皆敏感，易分解，生“酸泡”現(xiàn)象.3.）熔融矽砂（Fused silica），暖氧橫脂
標(biāo)簽： fpc
上傳時(shí)間： 2022-07-27
上傳用戶：zhaiyawei
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