透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規劃 具有異常值與異常次數記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內或范圍外檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩...
特點: 精確度0.05%滿刻度±1位數 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-19999~99999可任意規劃 具有自動歸零或保持或雙顯示功能 (optional) 小數點可任意規劃 尺寸小,穩定性高...
特點: 精確度0.05%滿刻度±1位數 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 具有自動歸零或保持或開根號或雙顯示功能 小數點可任意規劃 尺寸小,穩定性高...
特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍0- ±19999可任意規劃 具有自動歸零與保持(開根號)功能 具有9段線性折補功能 4組警報功能 15BIT 類比輸出功能 數位RS-48...