本資料是關于tc358749在rk平臺的相關調試工作本文檔是基于 RK3288(W version)/RK3399 ANDROID7.1/8.1 平臺開發 HDMI IN 功 能的幫助文檔
標簽： hdmi
上傳時間： 2022-05-14
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安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內。編碼器輸入綜20公尺以內。配象時請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯溪勤作，請探下列的威置：請在電源上加入經緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內。
標簽： tsda
上傳時間： 2022-05-28
上傳用戶：zhanglei193
在這個DIY指南中，我將向您展示如何制作自己的無線氣象站。硬件組件：Microchip ATmega328× 228插座× 216 MHz晶振× 2電容器22 pF× 4電容器100 nF× 2電容10μF× 2電阻10k歐姆× 2螺釘端子2P 2.54mm× 2
上傳時間： 2022-06-10
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rC-BUs接口實時時鐘RX-8025 SA/NB內置高精度頻率調整的32768kHz水晶振子（Ta=+25℃時±5×106）對應rc-BUS高速模式（400kHz）時計（時、分、秒）、日歷（年、月、日、星期）的計數功能（BCD代碼）可選擇12/24時間制自動判別至2099年的間年·內置高精度時計精度調整電路·對CPU的發生中斷功能（周期1個月~0.5秒、具有中斷請求、中斷停止功能）·2個系統的鬧鐘功能（Alam-w：星期、時、分、Alarm_D：時、分）.32 768kHz時鐘輸出（帶控制引腳的CMOS輸出）對內部數據進行有效無效判定的振動停止檢測功能電源電壓監視功能（可選擇檢測標準電壓）1.15V~55V的寬幅計時（保持）電壓范圍1.7v~5.5V的寬幅接口電壓范圍低消耗電流 0.48uA/3.0V（Typ）1.概要本模塊是內置高精度調整的32 768kHz水晶振子的1c總線接口方式的實時計時器。除了具有6種發生中斷功能、2個系統的鬧鐘功能、對內部數據進行有效無效判定的振動停止檢測功能、電源電壓監視功能等外，還配有時鐘精度調整功能，可以對時鐘進行任意精度調整。內部振蕩回路是以固定電壓驅動，因而可獲得受電壓變動影響小且穩定的3276skHz時鐘輸本產品功能多樣，采用表貼封裝形式，最適用于各種手機、攜帶終端及其他小型電子機器等。
標簽： rx8025
上傳時間： 2022-06-18
上傳用戶：d1997wayne
ax88179千兆網卡芯片手冊，usb3.0 rj45網卡
上傳時間： 2022-06-18
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
當前世界能源短缺以及環境污染問題日益嚴重，這些問題迫使人們改變能源結構，尋找新的替代能源。可再生潔凈能源的開發愈來愈受到重視，太陽能以其經濟、清潔等優點倍受青睞，其開發利用技術亦得以迅速發展，而光伏水泵成為其中重要的研究領域。本文針對采用異步電機作為光伏水泵驅動電機的光伏水泵系統，詳細介紹了推挽DC/DC升壓電路、DC/AC IPM模塊逆變電路、及基于dsPIC30F2010的控制電路等，并制作了一臺試驗樣機。同時圍繞多種最大功率跟蹤方法展開研究，設計了最大功率跟蹤程序。論文的主要工作如下：1）設計了DC-DC推挽升壓電路，并通過加入TPS2812改進了推挽功率MOS管的驅動電路；2）研究分析了光伏水泵系統最大功率跟蹤控制，通過Matlab對多種MPPT方式進行了仿真，確定系統采用黃金分割法最大功率跟蹤方式；3）采用SVPWM調制技術，實現了系統的穩定快速跟蹤控制：4）采用IPM模塊作為逆變器主電路，大大簡化了逆變器驅動電路和保護電路設計，縮小了系統體積，提高了效率和系統的可靠性；5）采用徵芯公司的dsPIC20F2010作為主電路的控制核心，并設計了包括W"保護電路在內的外圍電路和相關的軟件；6）詳細介紹了系統主電路各元件參量的選擇和設計；7）在樣機上進行了不同負載下的試驗，給出了試驗波形和效率測試結果，驗證了本系統的可靠性和高效性。
上傳時間： 2022-06-20
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Tanner版圖流程舉例（反相器）集成電路設計近年來發展相當迅速，許多設計需要借助計算機輔助設計軟件。作為將來從事集成電路設計的工作人員，至少需要對版圖有所了解，但是許多軟件（如cadence）實在工作站上執行的，不利于初學者。L-Edit軟件是基于PC上的設計工具，簡單易學，操作方便，通過學習，掌握版圖的設計流程。Tanner Pro簡介：Tanner Pro是一套集成電路設計軟件，包括S-EDIT，T-SPICE，W-EDIT，L-EDIT，與LVS，他們的主要功能分別如下：1、S-Edit：編輯電路圖2，T-Spice：電路分析與模擬3，W-Edit：顯示T-Spice模擬結果4，L-Edit：編輯布局圖、自動配置與繞線、設計規則檢查、截面觀察、電路轉化5、LVS：電路圖與布局結果對比設計規則的作用設計規則規定了生產中可以接受的幾何尺寸的要求和達到的電學性能。對設計和制造雙方來說，設計規則既是工藝加工應該達到的規范，也是設計必循遵循的原則設計規則表示了成品率和性能的最佳折衷
標簽： cmos
上傳時間： 2022-06-21
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Modbus尋址Modbus地址通常是包含數據類型和偏移量的5 個或6 個字符值。第一個或前兩個字符決定數據類型，最后的四個字符是符合數據類型的一個適當的值。Modbus主設備指令能將地址映射至正確的功能，以便發送到從站。1 Modbus主站尋址Modbus主設備指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是離散輸出（線圈）。(2) 10001 至19999是離散輸入（觸點）。(3) 30001 至39999是輸入寄存器（通常是模擬量輸入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 為基位，表示第一個數據值從地址1 開始。有效地址范圍將取決于從站。不同的從站將支持不同的數據類型和地址范圍。2 Modbus從站尋址Modbus從站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是實際輸出，對應于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是實際輸入，對應于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模擬輸入寄存器，對應于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，對應于V 區。Modbus從站協議允許您對Modbus主站可訪問的輸入、輸出、模擬量輸入和保持寄存器（ V 區）的數量進行限定。MBUS_INIT指令的參數MaxlQ 指定Modbus主站允許訪問的實際輸入或輸出（ I 或Q) 的最大數量。MBUS_INIT指令的MaxAl 參數指定Modbus主站允許訪問的輸入寄存器（ A 丨W)的最大數量。MBUS_INIT指令的MaxHold 參數指定Modbus主站允許訪問的保持寄存器（V 存儲區字）的最大數
上傳時間： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產生很大的損耗，這些損耗通常表現為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當的散熱裝置，將熱量傳導到外部環境。如果散熱裝置設計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產生的損耗功率Pa、器件允許的結溫T、環境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據Raf-a）求出最大允許的散熱器到環境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續流二極管FWD組成，它們各自發生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅動功耗，即構成IGRT模塊整體發生的損耗。另外，發生損耗的情況可分為穩態時和交換時。對上述內容進行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
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