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這個(gè)文件只是漢化了PROTEL99SE的菜單文件帶英文的，比較適合初學(xué)者，把它解壓放在系統(tǒng)盤(pán)WINDOWS目錄下，注意要先關(guān)掉PROTEL99SE軟件，再覆蓋掉原文件，網(wǎng)上也有很多漢化菜單的文件，但功能都不齊全，這個(gè)是本人自己修改過(guò)來(lái)的，包括板層設(shè)置，材料清單等功能都很齊全，和大家分享！
標(biāo)簽： protel 99 se 漢化
上傳時(shí)間： 2013-12-18
上傳用戶：aa17807091
Multisim_11.0詳細(xì)的_安裝+漢化+破解_全過(guò)程
標(biāo)簽： Multisim 11.0 漢化 破解
上傳時(shí)間： 2013-10-29
上傳用戶：gxmm
徹底解決99在以往不能完全漢化的問(wèn)題，全面實(shí)現(xiàn)漢化，具體到每個(gè)對(duì)話框和工作表，對(duì)初學(xué)者和英文不好的用戶非常實(shí)用，也非常簡(jiǎn)單！ 用過(guò)的，麻煩頂一下我，或加一點(diǎn)分，謝謝啦！
標(biāo)簽： Protel 99 CH SE
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：1079836864
Arduino教程_Arduino圖形化編程軟件_ArduBlock
標(biāo)簽： Arduino ArduBlock 教程 圖形化編程
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：pans0ul
為了提高交錯(cuò)并聯(lián)變換器的性能，對(duì)四相交錯(cuò)并聯(lián)雙向DC/DC變換器中不對(duì)稱耦合電感進(jìn)行分析，推導(dǎo)出等效穩(wěn)態(tài)電感和等效暫態(tài)電感的數(shù)學(xué)表達(dá)式。結(jié)合提出的耦合電感結(jié)構(gòu)進(jìn)行不對(duì)稱耦合電感對(duì)稱化研究。通過(guò)Saber和3D Maxwell軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證和樣機(jī)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了理論分析和仿真結(jié)果的正確性。
標(biāo)簽： 交錯(cuò)并聯(lián) 變換器 耦合電感 對(duì)稱
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：wangfei22
為了提高Forward變換器非線性系統(tǒng)的控制性能，采用了精確線性化控制方法。首先采用開(kāi)關(guān)函數(shù)和開(kāi)關(guān)周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統(tǒng)模型。從理論上證明了該模型滿足系統(tǒng)精確線性化的條件。對(duì)非線性坐標(biāo)變換后得到的線性系統(tǒng)，利用二次型最優(yōu)控制策略推導(dǎo)出非線性狀態(tài)反饋控制律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能，驗(yàn)證了該控制方法的有效性和正確性。
標(biāo)簽： Forward 變換器 線性 控制
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：xywhw1
IGBT驅(qū)動(dòng)電路模塊化設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 模塊化設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：yczrl
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
Protel99SE 完全漢化包.rar
標(biāo)簽： Protel 99 SE 漢化包
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：kiklkook
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