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聲音延時(shí)開關(guān)(guān)

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\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

標(biāo)簽： Protel 99 se

上傳時(shí)間： 2013-09-11

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MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無(wú)雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

上傳時(shí)間： 2014-01-22

上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-08-01

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串入式聲音延時(shí)開關(guān)的制作

串入式聲音延時(shí)開關(guān)的制作

標(biāo)簽： 聲音延時(shí)開關(guān)

上傳時(shí)間： 2013-10-29

上傳用戶：392210346
聲卡虛擬示波器

功能簡(jiǎn)介虛儀聲卡萬(wàn)用儀是一個(gè)功能強(qiáng)大的基于個(gè)人電腦的虛擬儀器。它由聲卡實(shí)時(shí)雙蹤示波器、聲卡實(shí)時(shí)雙蹤頻譜分析儀和聲卡雙蹤信號(hào)發(fā)生器組成，這三種儀器可同時(shí)使用。本儀器內(nèi)含一個(gè)獨(dú)特設(shè)計(jì)的專門適用于聲卡信號(hào)采集的算法，它能連續(xù)監(jiān)視輸入信號(hào)，只有當(dāng)輸入信號(hào)滿足觸發(fā)條件時(shí)，才采集一幀數(shù)據(jù)，即先觸發(fā)后采集，因而不會(huì)錯(cuò)過任何觸發(fā)事件。這與同類儀器中常用的先采集一長(zhǎng)段數(shù)據(jù)，然后再在其中尋找觸發(fā)點(diǎn)的方式，即先采集后觸發(fā)，截然不同。因此本儀器能達(dá)到每秒50幀的快速屏幕刷新率，從而實(shí)現(xiàn)了真正的實(shí)時(shí)信號(hào)采集、分析和顯示。本儀器還支持各種復(fù)雜的觸發(fā)方式包括超前觸發(fā)和延遲觸發(fā)。虛儀聲卡萬(wàn)用儀發(fā)揮了以電腦屏幕作為顯示的虛擬儀器的優(yōu)點(diǎn)，支持圖形顯示的放大和滾動(dòng)，并將屏幕的絕大部分面積用于數(shù)據(jù)顯示，使您能夠深入研究被測(cè)信號(hào)的任何細(xì)節(jié)。而市面上有些同類儀器則在人機(jī)界面上過分追求“形”似，將傳統(tǒng)儀器的面板簡(jiǎn)單地模擬到電腦屏幕上，占用了大量寶貴的屏幕資源，僅留下較小面積供數(shù)據(jù)顯示用。虛儀聲卡萬(wàn)用儀提供了一套完整的信號(hào)測(cè)試與分析功能，包括：雙蹤波形、波形相加、波形相減、李莎如圖、電壓表、瞬態(tài)信號(hào)捕捉、RMS絕對(duì)幅度譜、相對(duì)幅度譜、八度分析（1/1、1/3、1/6、1/12、1/24）、THD、THD+N、SNR、SINAD、頻率響應(yīng)、阻抗測(cè)試、相位譜、自相關(guān)函數(shù)、互相關(guān)函數(shù)、函數(shù)發(fā)生器、任意波形發(fā)生器、白噪聲發(fā)生器、粉紅噪聲發(fā)生器、多音合成發(fā)生器和掃頻信號(hào)發(fā)生器等。虛儀聲卡萬(wàn)用儀將采集到的數(shù)據(jù)和分析后的數(shù)據(jù)保存為標(biāo)準(zhǔn)的WAV波形文件或TXT文本文件。它也支持WAV波形文件的輸入和BMP圖像文件的輸出和打印。支持24比特采樣分辨率。支持WAV波形文件的合并和數(shù)據(jù)抽取。

標(biāo)簽： 聲卡虛擬示波器

上傳時(shí)間： 2013-10-25

上傳用戶：silenthink
采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能?；诩捎?jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

上傳時(shí)間： 2013-10-11

上傳用戶：gtzj
p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
延時(shí)控制

延時(shí)控制

標(biāo)簽： 延時(shí)控制

上傳時(shí)間： 2013-11-19

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