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視力檢測(cè)

  • pcb layout規(guī)則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2     3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4     4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標(biāo)簽: layout pcb

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

    上傳用戶:康郎

  • 阻抗匹配

    阻抗匹配  阻抗匹配(Impedance matching)是微波電子學(xué)里的一部分,主要用于傳輸線上,來(lái)達(dá)至所有高頻的微波信號(hào)皆能傳至負(fù)載點(diǎn)的目的,不會(huì)有信號(hào)反射回來(lái)源點(diǎn),從而提升能源效益。  大體上,阻抗匹配有兩種,一種是透過(guò)改變阻抗力(lumped-circuit matching),另一種則是調(diào)整傳輸線的波長(zhǎng)(transmission line matching)。  要匹配一組線路,首先把負(fù)載點(diǎn)的阻抗值,除以傳輸線的特性阻抗值來(lái)歸一化,然后把數(shù)值劃在史密夫圖表上。  把電容或電感與負(fù)載串聯(lián)起來(lái),即可增加或減少負(fù)載的阻抗值,在圖表上的點(diǎn)會(huì)沿著代表實(shí)數(shù)電阻的圓圈走動(dòng)。如果把電容或電感接地,首先圖表上的點(diǎn)會(huì)以圖中心旋轉(zhuǎn)180度,然后才沿電阻圈走動(dòng),再沿中心旋轉(zhuǎn)180度。重覆以上方法直至電阻值變成1,即可直接把阻抗力變?yōu)榱阃瓿善ヅ洹! ∮韶?fù)載點(diǎn)至來(lái)源點(diǎn)加長(zhǎng)傳輸線,在圖表上的圓點(diǎn)會(huì)沿著圖中心以逆時(shí)針?lè)较蜃邉?dòng),直至走到電阻值為1的圓圈上,即可加電容或電感把阻抗力調(diào)整為零,完成匹配.........

    標(biāo)簽: 阻抗匹配

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:ddddddos

  • 共模干擾差模干擾及其抑制技術(shù)分析

    共模干擾和差模干擾是電子、 電氣產(chǎn)品上重要的干擾之一,它們 可以對(duì)周圍產(chǎn)品的穩(wěn)定性產(chǎn)生嚴(yán)重 的影響。在對(duì)某些電子、電氣產(chǎn)品 進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計(jì)和測(cè)試的過(guò)程 中,由于對(duì)各種電磁干擾采取的抑 制措施不當(dāng)而造成產(chǎn)品在進(jìn)行電磁 兼容檢測(cè)時(shí)部分測(cè)試項(xiàng)目超標(biāo)或通 不過(guò)EMC 測(cè)試,從而造成了大量人 力、財(cái)力的浪費(fèi)。為了掌握電磁干 擾抑制技術(shù)的一些特點(diǎn),正確理解 一些概念是十分必要的。共模干擾 和差模干擾的概念就是這樣一種重 要概念。正確理解和區(qū)分共模和差 模干擾對(duì)于電子、電氣產(chǎn)品在設(shè)計(jì) 過(guò)程中采取相應(yīng)的抗干擾技術(shù)十分 重要,也有利于提高產(chǎn)品的電磁兼 容性。

    標(biāo)簽: 共模干擾 差模 干擾

    上傳時(shí)間: 2014-01-16

    上傳用戶:tdyoung

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 高電壓降壓型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長(zhǎng)的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列,這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。

    標(biāo)簽: LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:playboys0

  • 凌力爾特電池管理解決方案

    Linear Technology’s high performance battery management ICsenable long battery life and run time, while providing precision charging control, constantstatus monitoring and stringent battery protection. Our proprietary design techniques seamlesslymanage multiple input sources while providing small solution footprints, faster charging and100% standalone operation. Battery and circuit protection features enable improved thermalperformance and high reliability operation.

    標(biāo)簽: 凌力爾特 電池管理 方案

    上傳時(shí)間: 2013-10-13

    上傳用戶:yyq123456789

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過(guò)增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。

    標(biāo)簽: 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 變壓器基礎(chǔ)講解(電力設(shè)計(jì)院給的變壓器資料)

    電力設(shè)計(jì)院給的變壓器資料,很給力!!!

    標(biāo)簽: 變壓器 電力 設(shè)計(jì)院

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:二驅(qū)蚊器

  • 鎳鎘電池的快速充電電路

    鎳鎘電池可重復(fù)500次以上的充放電,經(jīng)濟(jì)耐用。其內(nèi)部抵制力小,既內(nèi)阻很小,可快速充電,又可為負(fù)載提供大電流,而且放電時(shí)電壓變化很小。

    標(biāo)簽: 鎳鎘電池 快速充電 電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-28

    上傳用戶:xinyuzhiqiwuwu

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