<center id="sy8uq"></center> LC 正弦波振蕩電路 如果將該電路作為選頻網絡和正反饋，再加上基本放大電路和穩幅電路就構成LC正弦波振蕩電路。 將電容和電感并聯起來，在電容上施加一定電壓后可產生零輸入響應。這種響應在電容的電場和電感的磁場中交替轉換便可形成正弦波振蕩。 LC正弦波振蕩電路的選頻電路由電感和電容構成，可以產生高頻振蕩(>1MHz)。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：gy592333
第四章 信號分離電路 第四章 信號分離電路 第一節 濾波器的基本知識一、濾波器的功能和類型1、功能：濾波器是具有頻率選擇作用的電路或運算處理系統，具有濾除噪聲和分離各種不同信號的功能。2、類型：按處理信號形式分：模擬濾波器和數字濾波器按功能分：低通、高通、帶通、帶阻按電路組成分：LC無源、RC無源、由特殊元件構成的無源濾波器、RC有源濾波器按傳遞函數的微分方程階數分：一階、二階、高階第一節 濾波器的基本知識 第一節 濾波器的基本知識二、模擬濾波器的傳遞函數與頻率特性（一）模擬濾波器的傳遞函數模擬濾波電路的特性可由傳遞函數來描述。傳遞函數是輸出與輸入信號電壓或電流拉氏變換之比。經分析，任意個互相隔離的線性網絡級聯后，總的傳遞函數等于各網絡傳遞函數的乘積。這樣，任何復雜的濾波網絡，可由若干簡單的一階與二階濾波電路級聯構成。 第一節 濾波器的基本知識（二）模擬濾波器的頻率特性模擬濾波器的傳遞函數H(s)表達了濾波器的輸入與輸出間的傳遞關系。若濾波器的輸入信號Ui是角頻率為w的單位信號，濾波器的輸出Uo(jw)=H(jw)表達了在單位信號輸入情況下的輸出信號隨頻率變化的關系，稱為濾波器的頻率特性函數，簡稱頻率特性。頻率特性H(jw)是一個復函數，其幅值A(w)稱為幅頻特性，其幅角∮(w)表示輸出信號的相位相對于輸入信號相位的變化，稱為相頻特性。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：wutong
在VFB運算放大器的反饋環路中使用一個電容是非常常見的做法，其目的是影響頻率響應，就如在簡單的單極點低通濾波器中一樣，如下面的圖1所示。結果將噪聲增益繪制成了一幅波特圖，用于分析穩定性和相位裕量
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：38553903210
LVDS(低壓差分信號)標準ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點及其PCB (印制電路板)設計,糾正了某些錯誤認識。應用傳輸線理論分析了單線阻抗、雙線阻抗及LVDS差分阻抗計算方法,給出了計算單線阻抗和差分阻抗的公式,通過實際計算說明了差分阻抗與單線阻抗的區別,并給出了PCB布線時的幾點建議。關鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計算, PCB設計 LVDS (低壓差分信號)是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標準,其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號輸出邊緣變化很快,其信號通路表現為傳輸線特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進行PCB (印制電路板)設計時,超高速PCB設計和差分信號理論就顯得特別重要。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：水中浮云
微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內連續可調。本文首先介紹了微弧氧化電源技術的發展現狀，然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅動電路的結構、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明，Eupec系列的2ED300驅動電路結構簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅動。
上傳時間： 2014-01-21
上傳用戶：hahayou
許多電信和計算應用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負載電流。其應用包括分布式電源繫統、負載點調節和邏輯電源轉換。
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
為了利用級聯Blumlein型脈沖形成網絡在高阻抗負載產生理想的高壓平頂脈沖輸出，開展了構成該脈沖功率源關鍵單元的始端電感和終端電感設計。從充電電壓一致性，輸出脈沖不發生嚴重畸變，高的電壓疊加效率，可接受的負載預脈沖幅值出發，確定了始端電感和終端電感值的計算方法，利用錳鋅鐵氧體磁芯的飽和特性設計電感，通過實驗開展錳鋅鐵氧體磁芯參數測試。研究表明錳鋅鐵氧體飽和和剩余磁感應強度之和約為1.75，飽和磁導率約3.3，非飽和磁導率約1 462，飽和電感值為7.3 mH，非飽和電感值3.2 mH。
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：lyson
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
為了產生驅動多幅閃光照相的高重頻猝發高壓電脈沖，開展了基于硅堆隔離的猝發高壓脈沖發生裝置的可行性研究。對普通整流硅堆脈沖條件的導通電流，反向關斷時間進行了實驗研究；采用脈沖形成線產生矩形脈沖，利用不同長度傳輸線的傳輸時延產生多脈沖，以硅堆隔離的方式實現多脈沖在負載的輸出。研究表明：硅堆在500 ns脈寬條件下，其電流過載至少736倍，關斷時間約200 ns，硅堆的絕緣恢復時間決定產生脈沖的最高重復頻率。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：稀世之寶039
針對電能質量擾動的在線識別，提出一種基于dq變換和S變換的電能質量擾動識別方法。首先根據擾動信號電壓有效值的分布特性將擾動分為兩類：第一類為電壓暫降、暫升和中斷；第二類為振蕩暫態、電壓尖峰、電壓缺口和諧波。利用dq變換有效值波形特征對第一類擾動進行識別；然后對第二類擾動進行S變換，通過變換后S矩陣的頻譜標準差和工頻幅值變化進行識別。仿真結果表明：該方法正確率高、響應速度快、結構簡單且抗噪聲能力強。
上傳時間： 2014-01-12
上傳用戶：sdq_123
